芯片測(cè)試機(jī)是一種專門用來檢測(cè)芯片的工具。它可以在生產(chǎn)中測(cè)試集成電路芯片的功能和性能，來確保芯片質(zhì)量符合設(shè)計(jì)要求。芯片測(cè)試機(jī)的主要作用是對(duì)芯片的電學(xué)參數(shù)和邏輯特性進(jìn)行測(cè)量，然后按照預(yù)定規(guī)則進(jìn)行對(duì)比，從而對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行評(píng)估。芯片測(cè)試機(jī)常見的用途是測(cè)試運(yùn)行紋理陣列器（FPGA）和應(yīng)用特定集成電路（ASIC）。FPGA作為可編程芯片，通常是初步設(shè)計(jì)，測(cè)試和驗(yàn)證過程中關(guān)鍵的部分。ASIC則是根據(jù)設(shè)定的電路、電子設(shè)備和/或存儲(chǔ)器進(jìn)行硬件配置的特定集成電路。芯片測(cè)試機(jī)還可以進(jìn)行邏輯測(cè)試以測(cè)試操作錯(cuò)誤。寧波LED芯片測(cè)試機(jī)哪家好
優(yōu)先選擇地，所述機(jī)架上還設(shè)置有加熱裝置，所述加熱裝置至少包括高溫加熱機(jī)構(gòu)，所述高溫加熱機(jī)構(gòu)位于所述測(cè)試裝置的上方，所述高溫加熱機(jī)構(gòu)包括高溫加熱頭、頭一移動(dòng)機(jī)構(gòu)及下壓機(jī)構(gòu)，所述下壓機(jī)構(gòu)與所述頭一移動(dòng)機(jī)構(gòu)相連，所述高溫加熱頭與所述下壓機(jī)構(gòu)相連。優(yōu)先選擇地，所述加熱裝置還包括預(yù)加熱緩存機(jī)構(gòu)，所述預(yù)加熱緩存機(jī)構(gòu)位于所述自動(dòng)上料裝置與所述測(cè)試裝置之間，所述預(yù)加熱緩存機(jī)構(gòu)包括預(yù)加熱工作臺(tái)，所述預(yù)加熱工作臺(tái)上設(shè)有多個(gè)預(yù)加熱工位。河南CPU芯片測(cè)試機(jī)平臺(tái)芯片測(cè)試機(jī)能夠進(jìn)行電氣特性測(cè)試。
在開始芯片測(cè)試流程之前應(yīng)先充分了解芯片的工作原理。要熟悉它的內(nèi)部電路，主要參數(shù)指標(biāo)，各個(gè)引出線的作用及其正常電壓。diyi部工作做的好，后面的檢查就會(huì)順利很多。芯片很敏感，所以測(cè)試的時(shí)候要注意不要引起引腳之間的短路，任何一瞬間的短路都能被捕捉到，從而造成芯片燒壞。另外，如果沒有隔離變壓器時(shí)，是嚴(yán)禁用已經(jīng)接地的測(cè)試設(shè)備去碰觸底盤帶電的設(shè)備，因?yàn)檫@樣容易造成電源短路，從而波及普遍，造成故障擴(kuò)大化。焊接時(shí)，要保證電烙鐵不帶電，焊接時(shí)間要短，不堆焊，這樣是為了防止焊錫粘連，從而造成短路。但是也要確定焊牢，不允許出現(xiàn)虛焊的現(xiàn)象。在有些情況下，發(fā)現(xiàn)多處電壓發(fā)生變化，此時(shí)不要輕易下結(jié)論就是芯片已經(jīng)壞掉了。要知道某些故障也能導(dǎo)致各個(gè)引腳電壓測(cè)試下來與正常值一樣，這時(shí)候也不要輕易認(rèn)為芯片就是好的。
第二z軸移動(dòng)組件24包括轉(zhuǎn)矩電機(jī)240、高扭矩時(shí)規(guī)皮帶241、兩個(gè)同步帶輪242、直線導(dǎo)軌243。轉(zhuǎn)矩電機(jī)240固定于吸嘴基板232上，兩個(gè)同步帶輪242分別相對(duì)設(shè)置于吸嘴基板232的上下兩側(cè)，兩個(gè)同步帶輪242通過高扭矩時(shí)規(guī)皮帶241相連，轉(zhuǎn)矩電機(jī)240與其中一個(gè)同步帶輪242相連。直線導(dǎo)軌243固定于吸嘴基板232上，真空吸嘴26通過滑塊固定于直線導(dǎo)軌243上，滑塊與高扭機(jī)時(shí)規(guī)皮帶相連。轉(zhuǎn)矩電機(jī)240驅(qū)動(dòng)其中同步帶輪242轉(zhuǎn)動(dòng)，同步帶輪242帶動(dòng)高扭矩時(shí)規(guī)皮帶241轉(zhuǎn)動(dòng)，高扭矩時(shí)規(guī)皮帶241通過滑塊帶動(dòng)真空吸嘴26在直線導(dǎo)軌243上上下移動(dòng)。芯片測(cè)試機(jī)可以提供定制化的測(cè)試方案，以滿足工程師的需求。
動(dòng)態(tài)測(cè)試測(cè)試方法：準(zhǔn)備測(cè)試向量如下（以8個(gè)pin腳為例）在上面示例的向量運(yùn)行時(shí)，頭一個(gè)信號(hào)管腳在第2個(gè)周期測(cè)試，當(dāng)測(cè)試機(jī)管腳驅(qū)動(dòng)電路關(guān)閉，動(dòng)態(tài)電流負(fù)載單元開始通過VREF將管腳電壓向+3V拉升，如果VDD的保護(hù)二極管工作，當(dāng)電壓升至約+0.65V時(shí)它將導(dǎo)通，從而將VREF的電壓鉗制住，同時(shí)從可編程電流負(fù)載的IOL端吸收越+400uA的電流。這時(shí)候進(jìn)行輸出比較的結(jié)果將是pass，因?yàn)?0.65V在VOH（+1.5V）和VOL（+0.2V）之間，即屬于“Z態(tài)”。如果短路，輸出比較將檢測(cè)到0V；如果開路，輸出端將檢測(cè)到+3V，它們都會(huì)使整個(gè)開短路功能測(cè)試結(jié)果為fail。注：走Z測(cè)試的目的更主要的是檢查是否存在pin-to-pin的短路。芯片測(cè)試機(jī)還可以進(jìn)行閂鎖掃描測(cè)試和邊緣掃描測(cè)試。河南CPU芯片測(cè)試機(jī)平臺(tái)
芯片測(cè)試機(jī)可以進(jìn)行鐘控測(cè)試，用于測(cè)量邏輯門延時(shí)。寧波LED芯片測(cè)試機(jī)哪家好
本發(fā)明的芯片測(cè)試機(jī)還包括加熱裝置，部分型號(hào)的芯片在測(cè)試前可能需要進(jìn)行高溫加熱或低溫冷卻。當(dāng)待測(cè)試芯片移載至測(cè)試裝置后，可以通過頭一移動(dòng)機(jī)構(gòu)帶動(dòng)高溫加熱頭移動(dòng)至測(cè)試裝置的上方，然后由下壓機(jī)構(gòu)帶動(dòng)高溫加熱頭向下移動(dòng)，并由高溫加熱頭對(duì)芯片進(jìn)行高溫加熱或低溫冷卻，滿足對(duì)芯片高溫加熱或低溫冷卻的要求。加熱裝置還包括預(yù)加熱緩存機(jī)構(gòu)，當(dāng)芯片需要進(jìn)行高溫測(cè)試的時(shí)候，為了提高加熱效率，可以先將多個(gè)待測(cè)試芯片移動(dòng)至預(yù)加熱工作臺(tái)的多個(gè)預(yù)加熱工位進(jìn)行預(yù)加熱，在測(cè)試的時(shí)候，可以減少高溫加熱頭加熱的時(shí)間，提高測(cè)試效率。寧波LED芯片測(cè)試機(jī)哪家好