存儲(chǔ)器，芯片往往集成著各種類型的存儲(chǔ)器（例如ROM/RAM/Flash），為了測(cè)試存儲(chǔ)器讀寫和存儲(chǔ)功能，通常在設(shè)計(jì)時(shí)提前加入BIST（Built-In SelfTest）邏輯，用于存儲(chǔ)器自測(cè)。芯片通過(guò)特殊的管腳配置進(jìn)入各類BIST功能，完成自測(cè)試后BIST模塊將測(cè)試結(jié)果反饋給Tester。ROM（Read-Only Memory）通過(guò)讀取數(shù)據(jù)進(jìn)行CRC校驗(yàn)來(lái)檢測(cè)存儲(chǔ)內(nèi)容是否正確。RAM（Random-Access Memory）通過(guò)除檢測(cè)讀寫和存儲(chǔ)功能外，有些測(cè)試還覆蓋DeepSleep的Retention功能和Margin Write/Read等等。Embedded Flash除了正常讀寫和存儲(chǔ)功能外，還要測(cè)試擦除功能。Wafer還需要經(jīng)過(guò)Baking烘烤和Stress加壓來(lái)檢測(cè)Flash的Retention是否正常。還有Margin Write/Read、Punch Through測(cè)試等等。芯片測(cè)試機(jī)能夠快速產(chǎn)生測(cè)試結(jié)果。Prober芯片測(cè)試機(jī)工作原理
芯片曲線測(cè)試原理是一種用于測(cè)試芯片的技術(shù)，它可以檢測(cè)芯片的功能和性能。它通過(guò)測(cè)量芯片的輸入和輸出信號(hào)，以及芯片內(nèi)部的電路，來(lái)確定芯片的功能和性能。芯片曲線測(cè)試的基本步驟是：首先，將芯片連接到測(cè)試系統(tǒng)，然后將測(cè)試信號(hào)輸入到芯片，并記錄芯片的輸出信號(hào)。接著，將測(cè)試信號(hào)的頻率和幅度改變，并記錄芯片的輸出信號(hào)。然后，將測(cè)試結(jié)果與芯片的設(shè)計(jì)規(guī)格進(jìn)行比較，以確定芯片是否符合要求。芯片曲線測(cè)試的優(yōu)點(diǎn)是可以快速準(zhǔn)確地測(cè)試芯片的功能和性能，并且可以檢測(cè)出芯片內(nèi)部的電路問(wèn)題。但是，芯片曲線測(cè)試也有一些缺點(diǎn)，比如測(cè)試過(guò)程復(fù)雜，需要專業(yè)的測(cè)試設(shè)備和技術(shù)人員，耗時(shí)耗力，成本較高。云南推拉力芯片測(cè)試機(jī)芯片測(cè)試機(jī)包括測(cè)試頭和測(cè)試座來(lái)測(cè)試芯片。
芯片測(cè)試設(shè)備漏電流測(cè)試是指測(cè)試模擬或數(shù)字芯片高阻輸入管腳電流，或者是把輸出管腳設(shè)置為高阻狀態(tài)，再測(cè)量輸出管腳上的電流。盡管芯片不同，漏電大小會(huì)不同，但在通常情況下，漏電流應(yīng)該小于 1uA。測(cè)試芯片每個(gè)電源管腳消耗的電流是發(fā)現(xiàn)芯片是否存在災(zāi)難性缺陷的比較快的方法之一。每個(gè)電源管腳被設(shè)置為預(yù)定的電壓，接下來(lái)用自動(dòng)測(cè)試設(shè)備的參數(shù)測(cè)量單元測(cè)量這些電源管腳上的電流。這些測(cè)試一般在測(cè)試程序的開(kāi)始進(jìn)行，以快速有效地選出那些完全失效的芯片。電源測(cè)試也用于保證芯片的功耗能滿足終端應(yīng)用的要求。
優(yōu)先選擇地，所述機(jī)架上還設(shè)置有預(yù)定位裝置，所述預(yù)定位裝置包括預(yù)定位旋轉(zhuǎn)氣缸、預(yù)定位底座及轉(zhuǎn)向定位底座，所述預(yù)定位底座與所述預(yù)定位旋轉(zhuǎn)氣缸相連，所述預(yù)定位底座位于所述預(yù)定位旋轉(zhuǎn)氣缸與所述轉(zhuǎn)向定位底座之間，所述轉(zhuǎn)向定位底座上開(kāi)設(shè)有凹陷的預(yù)定位槽。優(yōu)先選擇地，所述預(yù)定位裝置還包括至少兩個(gè)光電傳感器，所述機(jī)架上固定有預(yù)定位氣缸底座，所述預(yù)定位旋轉(zhuǎn)氣缸固定于所述預(yù)定位氣缸底座上，所述預(yù)定位氣缸底座上設(shè)有相對(duì)設(shè)置的四個(gè)定位架，所述預(yù)定位底座及轉(zhuǎn)向定位底座位于四個(gè)所述定位架支之間，兩個(gè)所述光電傳感器分別固定于兩個(gè)所述固定架上。芯片測(cè)試機(jī)可以進(jìn)行鐘控測(cè)試，用于測(cè)量邏輯門延時(shí)。
動(dòng)態(tài)測(cè)試原理（或者叫功能測(cè)試或叫跑pattern方式），使用動(dòng)態(tài)測(cè)試法進(jìn)行開(kāi)短路測(cè)試比之前介紹的靜態(tài)測(cè)試法更快，成本也更低，適合管腳比較多的芯片，減少測(cè)試時(shí)間。使用測(cè)試機(jī)動(dòng)態(tài)電流負(fù)載單元為前端偏置的 VDD 保護(hù)二極管提供電流，通過(guò)輸出比較電平確定PASS區(qū)域（中間態(tài)或“Z”態(tài)）。兩種測(cè)量方法對(duì)比：利用功能測(cè)試進(jìn)行開(kāi)短路測(cè)試的優(yōu)點(diǎn)是速度相對(duì)比較快；不利之處在于datalog所能顯示的結(jié)果信息有限，當(dāng)fail產(chǎn)生，我們無(wú)法直接判斷失效的具體所在和產(chǎn)生原因。通常在測(cè)試中因?yàn)樾酒_不多，對(duì)時(shí)間影響不明顯，大部分選擇靜態(tài)（DC測(cè)試）方法.芯片測(cè)試機(jī)可以用于對(duì)不同的測(cè)試方案進(jìn)行比較和評(píng)估。云南推拉力芯片測(cè)試機(jī)
芯片測(cè)試機(jī)可以檢測(cè)芯片的電學(xué)參數(shù)，包括電流和電壓等。Prober芯片測(cè)試機(jī)工作原理
傳統(tǒng)的芯片測(cè)試，一般由測(cè)試廠商統(tǒng)一為芯片生產(chǎn)廠商進(jìn)行測(cè)試。隨著越來(lái)越多的芯片公司的誕生，芯片測(cè)試需求也日益增多。對(duì)于成熟的大規(guī)模的芯片廠而言，由于其芯片產(chǎn)量大，往往會(huì)在測(cè)試廠商的生產(chǎn)計(jì)劃中占據(jù)一定的優(yōu)勢(shì)。而對(duì)于小規(guī)模的芯片廠的小批量芯片而言，其往往在測(cè)試廠的測(cè)試計(jì)劃中無(wú)法得到優(yōu)先選擇處理，從而導(dǎo)致芯片測(cè)試周期變長(zhǎng)。當(dāng)前芯片測(cè)試廠的測(cè)試設(shè)備多為大型設(shè)備，可以滿足大批量的芯片測(cè)試的需求。如果該大型測(cè)試設(shè)備用于小批量的芯片的測(cè)試，則會(huì)造成資源的浪費(fèi)。而且現(xiàn)有的大型測(cè)試設(shè)備往往都是多個(gè)測(cè)試單元并行測(cè)試，以達(dá)到提高測(cè)試效率的目的，從而導(dǎo)致了該設(shè)備的體積較大，占地空間多，無(wú)法靈活移動(dòng)。Prober芯片測(cè)試機(jī)工作原理