近年來(lái)全球硅晶圓供給不足，導(dǎo)致8英寸、12英寸硅晶圓訂單能見(jiàn)度分別已達(dá)2019上半年和年底。目前國(guó)內(nèi)多個(gè)硅晶圓項(xiàng)目已經(jīng)開(kāi)始籌備，期望有朝一日能夠打破進(jìn)口依賴(lài)，并有足夠的能力滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。硅在自然界中以硅酸鹽或二氧化硅的形式***存在于巖石、砂礫中，硅晶圓的制造可以歸納為三個(gè)基本步驟：硅提煉及提純、單晶硅生長(zhǎng)、晶圓成型。一，晶柱制造步驟硅提純:將沙石原料放入一個(gè)溫度約為2000℃，并且有碳源存在的電弧熔爐中，在高溫下，碳和沙石中的二氧化硅進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)（碳氧結(jié)合，得硅），提純得純度約為98%的純硅，又稱(chēng)冶金級(jí)硅，這對(duì)微電子器件來(lái)說(shuō)依然不夠純，因?yàn)榘雽?dǎo)體材料的電學(xué)特性對(duì)雜質(zhì)的濃度相當(dāng)?shù)拿舾校蚨鴮?duì)冶金級(jí)硅作進(jìn)一步提純：將粉碎的冶金級(jí)硅與氣態(tài)的氯化氫進(jìn)行氯化反應(yīng)，生成液態(tài)的硅烷，然后通過(guò)蒸餾和化學(xué)還原工藝，得到了高純度的多晶硅，其純度達(dá)99%，成為電子級(jí)硅。 設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊，操作簡(jiǎn)便，可提高晶圓搬運(yùn)效率。韶關(guān)新款晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂代理

 晶圓是半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵元件，隨著半導(dǎo)體行業(yè)的迅速發(fā)展，晶圓的搬運(yùn)技術(shù)逐漸成為制約行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵因素。晶圓搬運(yùn)機(jī)械手是IC裝備的**之一，其性能的優(yōu)劣直接影響晶圓的生產(chǎn)效率和制造質(zhì)量，體現(xiàn)著整個(gè)加工系統(tǒng)的自動(dòng)化程度和可靠性。在晶圓加工系統(tǒng)中包含兩類(lèi)晶圓搬運(yùn)機(jī)械手：大氣機(jī)械手（FI robot) 和真空機(jī)械手(Vacuum robot)。前者將晶圓從晶圓盒中取出并放到預(yù)對(duì)準(zhǔn)設(shè)備上，工作環(huán)境滿(mǎn)足一定的大氣潔凈度要求，控制精度要求相對(duì)較低。后者將晶圓從預(yù)對(duì)準(zhǔn)設(shè)備上取下，搬運(yùn)到各個(gè)工位進(jìn)行刻蝕等工藝流程加工，并將加工完的晶圓搬運(yùn)到接口位置，等待大氣機(jī)械手放回晶圓盒。這些工藝流程需要在真空環(huán)境下進(jìn)行，機(jī)械手必須要完全滿(mǎn)足真空潔凈度要求，控制精度和可靠性要求極高。廣州進(jìn)口晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂市場(chǎng)價(jià)手臂的結(jié)構(gòu)要緊湊小巧，才能做手臂運(yùn)動(dòng)輕快、靈活。

晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂是半導(dǎo)體制造過(guò)程中不可或缺的重要設(shè)備之一。它主要用于將晶圓從一個(gè)工序轉(zhuǎn)移到另一個(gè)工序，確保晶圓在整個(gè)制造過(guò)程中的安全和穩(wěn)定運(yùn)輸。

晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂具有高度的自動(dòng)化和精確性。它采用先進(jìn)的自動(dòng)控制系統(tǒng)，能夠準(zhǔn)確地定位和抓取晶圓，避免了人為操作的誤差和不穩(wěn)定性。通過(guò)精確的控制，晶圓可以在不同工序之間快速而安全地轉(zhuǎn)移，提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。其次，晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂具有高度的可靠性和穩(wěn)定性。它采用了質(zhì)量高的材料和先進(jìn)的制造工藝，具有良好的耐磨性和抗腐蝕性。同時(shí)，晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試和檢驗(yàn)，確保其在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行中不會(huì)出現(xiàn)故障或損壞，保證了生產(chǎn)線(xiàn)的連續(xù)性和穩(wěn)定性。

    區(qū)熔法分為兩種：水平區(qū)熔法和立式懸浮區(qū)熔法。前者主要用于鍺、GaAs等材料的提純和單晶生長(zhǎng)；后者主要用于硅。為什么有橫著和豎著長(zhǎng)的不同捏？這是由于硅的熔點(diǎn)高，化學(xué)性能活潑，容易受到異物的玷污，所以難以找到適合的器皿來(lái)盛方，自然水平區(qū)熔法不能用在硅的生長(zhǎng)上啦。區(qū)熔法與直拉法比較大的不同之處在于：區(qū)熔法一般不使用坩鍋，引入的雜質(zhì)更少，生長(zhǎng)的材料雜質(zhì)含量也就更少?？偠灾?，單晶硅棒是圓柱形的，使用這種方法得到的單晶硅圓片自然也是圓形的了。就是下圖這個(gè)樣的——知道是兩頭的尖尖是如何造成的嗎？Bingo，圖左的尖尖是籽晶，圖右的尖尖是晶棒長(zhǎng)到***，從熔融態(tài)里出來(lái)后，由于復(fù)雜的流體力學(xué)原理，以及熔融態(tài)的硅迅速凝固而導(dǎo)致的。 普遍認(rèn)為機(jī)械臂是實(shí)現(xiàn)智能制造的很好的載體，可以實(shí)現(xiàn)五軸數(shù)控?zé)o法實(shí)現(xiàn)的大操作空間與靈活性。

對(duì)于晶圓狀態(tài)的檢測(cè)，主要包括晶圓的存在檢測(cè)、位置偏差檢測(cè)和表面質(zhì)量檢測(cè)等。通過(guò)光電傳感器或電容傳感器可以快速檢測(cè)晶圓是否正確放置在吸臂上，以及在搬運(yùn)過(guò)程中是否發(fā)生位移。表面質(zhì)量檢測(cè)傳感器則可以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)晶圓表面是否有劃痕、顆粒污染等缺陷，一旦發(fā)現(xiàn)異常情況，及時(shí)發(fā)出警報(bào)并采取相應(yīng)措施，以保證晶圓的質(zhì)量不受影響?；谶@些豐富的傳感器數(shù)據(jù)，控制系統(tǒng)可以對(duì)機(jī)械吸臂進(jìn)行精確的控制。控制系統(tǒng)采用先進(jìn)的算法和控制器，如PID控制算法、模糊控制算法等，根據(jù)傳感器反饋的信息實(shí)時(shí)調(diào)整吸臂的運(yùn)動(dòng)速度、加速度和力量，確保晶圓在搬運(yùn)過(guò)程中的平穩(wěn)性和準(zhǔn)確性。同時(shí)，控制系統(tǒng)還具備與其他半導(dǎo)體制造設(shè)備的通信接口，能夠?qū)崿F(xiàn)協(xié)同工作和自動(dòng)化生產(chǎn)流程的無(wú)縫對(duì)接。例如，在晶圓送入光刻機(jī)進(jìn)行曝光工藝時(shí)，機(jī)械吸臂可以與光刻機(jī)的控制系統(tǒng)進(jìn)行通信，按照預(yù)定的程序和時(shí)間節(jié)點(diǎn)將晶圓準(zhǔn)確地放置在光刻機(jī)的工作臺(tái)上，并在曝光完成后將晶圓安全取出，整個(gè)過(guò)程高度自動(dòng)化且精確無(wú)誤。簡(jiǎn)單的搬運(yùn)與碼垛，根本無(wú)法稱(chēng)之為智能制造。汕尾正規(guī)晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂賣(mài)價(jià)

X移動(dòng)，Y移動(dòng)，Z移動(dòng)組成，通過(guò)在執(zhí)行終端加裝X轉(zhuǎn)動(dòng)，Y轉(zhuǎn)動(dòng)，Z轉(zhuǎn)動(dòng)可以到達(dá)空間內(nèi)的任何坐標(biāo)點(diǎn)。韶關(guān)新款晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂代理

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造技術(shù)，尤其是一種用于晶圓搬運(yùn)的機(jī)械手。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體加工設(shè)備中，經(jīng)常需要將晶圓在各個(gè)工位之間進(jìn)行傳送，在傳送的過(guò)程中，傳送精度越高，設(shè)備工藝一致性就越好，速度越快，單臺(tái)設(shè)備的產(chǎn)能就越大。隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，設(shè)備處理的工藝越來(lái)越復(fù)雜，對(duì)設(shè)備自動(dòng)化程度、柔性化程度要求也越來(lái)越高，這就需要一種定位精度高，速度快的多自由度的機(jī)械手。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供了一種晶圓搬運(yùn)機(jī)械手，本發(fā)明的機(jī)械手在傳送過(guò)程中晶片中心始終保證直線(xiàn)運(yùn)動(dòng)，且角度不會(huì)發(fā)生改變。從而提高機(jī)械手整體剛度和承重能力，同時(shí)提高了重復(fù)定位精度。本發(fā)明結(jié)構(gòu)合理性能穩(wěn)定，維護(hù)方便，多功能集一身，可滿(mǎn)足多種工藝設(shè)備要求，適用于各種半導(dǎo)體設(shè)備。

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