相控陣探頭根據(jù)以下基本參數(shù)從功能上被分成不同的類別：晶片數(shù)量：較常用的相控陣探頭一般有16到128個晶片，有些探頭的晶片多達256個。隨著晶片數(shù)量的增多，聲波聚焦與電子偏轉(zhuǎn)的能力會增強，同時檢測所覆蓋的區(qū)域也會擴大，然而探頭和儀器的成本費用也會增加。每個晶片被單獨脈沖激勵，以創(chuàng)建希望得到的波前。因此這些晶片排列方向的維度通常被稱為主動方向或偏轉(zhuǎn)方向。頻率：超聲缺陷探測一般使用2MHz到10MHz之間的頻率，因此大多數(shù)相控陣探頭都屬于這個頻率范圍。此外，還有頻率更低或更高的探頭。使用常規(guī)探頭，穿透性能會隨著頻率的降低而增加，而分辨率及聚焦銳利度會隨著頻率的升高而增強。用戶對相控陣探頭的類型選擇需要考慮到被測材料的表面粗糙度。北京集成楔塊相控陣探頭

相控陣探頭的類型：根據(jù)探頭的功能可將探頭劃分為接觸式、延遲線式、角度聲束、或水浸式等類型。在具體應(yīng)用中，被測材料的特性例如：表面粗糙度、溫度、可達性、材料內(nèi)缺陷的位置、檢測速度等，都會影響用戶對探頭類型的選擇。尺寸：尺寸是指開啟探頭晶片的直徑，或者晶片的長度和寬度。晶片通常被置于比它稍大一點的外殼中。頻率：頻率是指一秒鐘內(nèi)聲波完成振動周期的次數(shù)，通常用千赫（kHz）或兆赫（MHz）表示。大多數(shù)工業(yè)超聲檢測在500kHz到20MHz頻率范圍內(nèi)進行，因此大多數(shù)探頭的頻率處于這個范圍內(nèi)。不過，用戶也可以買到頻率范圍在50kHz以下及200MHz以上的商業(yè)探頭。頻率越低，穿透力越強；頻率越高，那么分辨力和聚焦力度越高。相控陣探頭不同的相控陣探頭陣列排布方式將會產(chǎn)生不同的聲場特性。

超聲相控陣技術(shù)簡介：普通超聲探頭通常由一個晶片來產(chǎn)生超聲波,其聲束的傳播角度是獨特的,在實際檢測中,為了防止漏檢,通常需要進行不同角度的掃查。相控陣探頭是由許多單獨的晶片構(gòu)成的,每個晶片都能被單獨激發(fā)。這些探頭由特殊的裝置驅(qū)動,能夠在每個通道單獨的、同步的發(fā)射和接收信號。超聲相控陣的一個重要特性就是可以通過軟件來改變超聲波束的特性。根據(jù)系統(tǒng)軟件設(shè)置,每個晶片都能通過不同的時間延時來開啟,并發(fā)射和接收超聲信號。另外掃查角度范圍、聚焦深度和焦點尺寸等也都能通過軟件控制。因而在一定程度上克服了常規(guī)超聲由于聲束的方向性造成的在缺陷檢出和定量上的限制。

常規(guī)縱波超聲探頭工作的方式如同可發(fā)出高頻機械振動的活塞，探頭產(chǎn)生的這種振動即為聲波。在壓電換能器晶片（通常被稱作晶片）被施與電壓時，垂直于晶片表面的方向會受壓變形。電壓消失后，一般在一微秒之內(nèi)，晶片反彈，產(chǎn)生機械能脈沖，形成超聲波。同樣道理，如果晶片受到射入超聲波的壓力，也會在其表面產(chǎn)生電壓。這樣，同一個壓電晶片既可以作為超聲脈沖的發(fā)射器，又可以充當(dāng)超聲脈沖的接收器。根據(jù)探頭的功能可將探頭劃分為接觸式、延遲線式、角度聲束、或水浸式等類型。隨著相控陣探頭晶片數(shù)量的增多，聲波聚焦與電子偏轉(zhuǎn)的能力會增強。

相控陣探頭的類型：根據(jù)探頭的功能可將探頭劃分為接觸式、延遲線式、角度聲束、或水浸式等類型。在具體應(yīng)用中，被測材料的特性，如：表面粗糙度、溫度、可達性、材料內(nèi)缺陷的位置、檢測速度等，都會影響用戶對探頭類型的選擇。尺寸：尺寸是指開啟探頭晶片的直徑，或者晶片的長度和寬度。晶片通常被置于比它稍大一點的外殼中。頻率：頻率是指一秒鐘內(nèi)聲波完成振動周期的次數(shù)，通常用千赫（kHz）或兆赫（MHz）表示。大多數(shù)工業(yè)超聲檢測在500kHz到20MHz頻率范圍內(nèi)進行，因此大多數(shù)探頭的頻率處于這個范圍內(nèi)。不過，用戶也可以買到頻率范圍在50kHz以下及200MHz以上的商業(yè)探頭。頻率越低，穿透力越強；頻率越高，那么分辨力和聚焦力度越高。用戶對相控陣探頭的類型選擇需要考慮到被測材料的內(nèi)缺陷位置。相控陣探頭

隨著晶片寬度的減小，相控陣探頭的聲束電子偏轉(zhuǎn)的性能會增強。北京集成楔塊相控陣探頭

相控陣探頭的聲束形狀：我們用以下這個比喻可以有效地說明這個概念。發(fā)自典型的未聚焦圓盤探頭的聲束經(jīng)常被想象成一束源自開啟晶片區(qū)域的能量柱，這個能量柱在直徑方向上擴散，后消失。探頭的聲場被分為兩個區(qū)域：近場和遠場。近場是指接近探頭的區(qū)域。在這個區(qū)域中聲壓反復(fù)幾次達到大值、小值。這個區(qū)域的終端為軸上后一次出現(xiàn)大聲壓值的位置。這個位置到探頭表面的距離表示為N，即近場距離。近場距離N證明探頭的自然焦距。遠場是近場距離（N值）以外的區(qū)域。在這個區(qū)域，隨著聲束直徑的擴展及聲能的消散，聲壓逐漸降低為零。近場距離是探頭頻率、晶片大小以及被測材料的聲速互相作用的一個函數(shù)。北京集成楔塊相控陣探頭

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