某分析化學(xué)實(shí)驗(yàn)室采用 Polos 光刻機(jī)開(kāi)發(fā)了集成電化學(xué)傳感器的微流控芯片。其多材料同步曝光技術(shù)在 PDMS 通道底部直接制備出 10μm 寬的金電極，傳感器的檢測(cè)限達(dá) 1nM，較傳統(tǒng)電化學(xué)工作站提升 100 倍。通過(guò)軟件輸入不同圖案，可在 24 小時(shí)內(nèi)完成從葡萄糖檢測(cè)到重金屬離子分析的模塊切換。該芯片被用于即時(shí)檢測(cè)（POCT）設(shè)備，使現(xiàn)場(chǎng)水質(zhì)監(jiān)測(cè)時(shí)間從 2 小時(shí)縮短至 10 分鐘，相關(guān)設(shè)備已通過(guò)歐盟 CE 認(rèn)證。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。成本效益：?jiǎn)未纹毓獬杀镜陀趥鹘y(tǒng)光刻 1/3，小批量研發(fā)更經(jīng)濟(jì)。上海德國(guó)桌面無(wú)掩模光刻機(jī)讓你隨意進(jìn)行納米圖案化

某revolution生物醫(yī)學(xué)研究機(jī)構(gòu)致力于開(kāi)發(fā)快速、precise的疾病診斷技術(shù)。在研發(fā)一種用于早期tumor篩查的微流體診斷芯片時(shí)，采用了德國(guó) Polos 光刻機(jī)。利用其無(wú)掩模激光光刻技術(shù)，科研團(tuán)隊(duì)成功制造出擁有復(fù)雜微通道網(wǎng)絡(luò)的芯片。這些微通道能精確控制生物樣本與檢測(cè)試劑的混合及反應(yīng)過(guò)程，極大提高了檢測(cè)的靈敏度和準(zhǔn)確性。以往使用傳統(tǒng)光刻技術(shù)制備此類芯片，不only周期長(zhǎng)，且精度難以保證。而 Polos 光刻機(jī)使制備周期縮短了近三分之一，助力該機(jī)構(gòu)在tumor早期診斷研究上取得重大突破，相關(guān)成果已發(fā)表在國(guó)際authority醫(yī)學(xué)期刊上。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。江蘇德國(guó)桌面無(wú)掩模光刻機(jī)高頻元件驗(yàn)證：成功開(kāi)發(fā)射頻器件與IDC電容器，加速國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈突破。

某能源研究團(tuán)隊(duì)采用 Polos 光刻機(jī)制造了壓電式微型能量收集器。其激光直寫(xiě)技術(shù)在 PZT 薄膜上刻制出 50μm 的叉指電極，器件的能量轉(zhuǎn)換效率達(dá) 35%，在 10Hz 振動(dòng)下可輸出 50μW/cm2 的功率。通過(guò)自定義電極間距和厚度，該收集器可適配不同頻率的環(huán)境振動(dòng)，在智能穿戴設(shè)備中實(shí)現(xiàn)了運(yùn)動(dòng)能量的實(shí)時(shí)采集與存儲(chǔ)。其輕量化設(shè)計(jì)（體積 < 1mm3）還被用于物聯(lián)網(wǎng)傳感器節(jié)點(diǎn)，使傳感器續(xù)航時(shí)間從 3 個(gè)月延長(zhǎng)至 2 年。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。

某智能機(jī)器人實(shí)驗(yàn)室采用 Polos 光刻機(jī)制造了磁控微納機(jī)器人。其激光直寫(xiě)技術(shù)在鎳鈦合金薄膜上刻制出 10μm 的螺旋槳結(jié)構(gòu)，機(jī)器人在旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)下的推進(jìn)速度達(dá) 50μm/s，轉(zhuǎn)向精度小于 5°。通過(guò)自定義三維運(yùn)動(dòng)軌跡，該機(jī)器人在微流控芯片中成功實(shí)現(xiàn)了單個(gè)紅細(xì)胞的捕獲與轉(zhuǎn)運(yùn)，操作成功率從傳統(tǒng)方法的 40% 提升至 85%。其輕量化設(shè)計(jì)（質(zhì)量 < 1μg）還支持在活細(xì)胞表面進(jìn)行納米級(jí)手術(shù)，相關(guān)成果入選《Science Robotics》年度創(chuàng)新技術(shù)。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。技術(shù)Benchmark：Polos-μPrinter 入選《半導(dǎo)體技術(shù)》年度創(chuàng)新產(chǎn)品，推動(dòng)無(wú)掩模光刻技術(shù)普及。

可編程微流控芯片需要集成電路控制與流體通道，傳統(tǒng)工藝需多次掩模對(duì)準(zhǔn)，良率only 30%。Polos 光刻機(jī)的多材料同步曝光技術(shù)，支持在同一塊基板上直接制備金屬電極與 PDMS 通道，將良率提升至 85%。某微系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室利用該特性，開(kāi)發(fā)出可實(shí)時(shí)切換流路的生化分析芯片，通過(guò)軟件輸入不同圖案，10 分鐘內(nèi)即可完成從 DNA 擴(kuò)增到蛋白質(zhì)檢測(cè)的模塊切換。該成果應(yīng)用于 POCT 設(shè)備，使現(xiàn)場(chǎng)快速檢測(cè)系統(tǒng)的體積縮小 60%，檢測(cè)時(shí)間縮短至傳統(tǒng)方法的 1/3。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。電子學(xué)應(yīng)用：2μm 線寬光刻能力，第三代半導(dǎo)體器件研發(fā)效率提升 3 倍。江蘇德國(guó)桌面無(wú)掩模光刻機(jī)

微型傳感器量產(chǎn)：80 μm開(kāi)環(huán)諧振器加工能力，推動(dòng)工業(yè)級(jí)MEMS傳感器升級(jí)。上海德國(guó)桌面無(wú)掩模光刻機(jī)讓你隨意進(jìn)行納米圖案化

某半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室采用 Polos 光刻機(jī)開(kāi)發(fā)氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）。其激光直寫(xiě)技術(shù)在藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)了 50nm 柵極長(zhǎng)度的precise曝光，較傳統(tǒng)光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過(guò)自定義多晶硅柵極圖案，器件的電子遷移率達(dá) 2000 cm2/(V?s)，擊穿電壓提升至 1200V，遠(yuǎn)超商用產(chǎn)品水平。該技術(shù)還被用于 SiC 基功率器件的臺(tái)面刻蝕，刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%，助力我國(guó)新能源汽車電控系統(tǒng)core器件的國(guó)產(chǎn)化突破。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。上海德國(guó)桌面無(wú)掩模光刻機(jī)讓你隨意進(jìn)行納米圖案化