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湖北POLOSBEAM光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

來源: 發(fā)布時間:2025-07-04

某材料科學研究中心在探索新型納米復合材料的性能時,需要在材料表面構(gòu)建特殊的納米圖案。德國 Polos 光刻機成為實現(xiàn)這一目標的得力工具。研究人員利用其無掩模激光光刻技術(shù),在不同的納米材料表面制作出各種周期性和非周期性的圖案結(jié)構(gòu)。經(jīng)過測試發(fā)現(xiàn),帶有特定圖案的納米復合材料,其電學、光學和力學性能發(fā)生了remarkable改變。例如,一種原本光學性能普通的納米材料,在經(jīng)過 Polos 光刻機處理后,對特定波長光的吸收率提高了 30%,為開發(fā)新型光電器件和光學傳感器提供了新的材料選擇和設(shè)計思路 。實時觀測系統(tǒng):120 FPS高清攝像頭搭配20x尼康物鏡,實現(xiàn)加工過程動態(tài)監(jiān)控。湖北POLOSBEAM光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

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在微流控芯片集成領(lǐng)域,某微機電系統(tǒng)實驗室利用 Polos 光刻機的多材料同步曝光技術(shù),在同一塊 PDMS 芯片上直接制備出金屬電極驅(qū)動的氣動泵閥結(jié)構(gòu)。其微泵通道寬度可控制在 20μm,流量調(diào)節(jié)精度達 ±1%,響應(yīng)時間小于 50ms。通過軟件輸入不同圖案,可在 10 分鐘內(nèi)完成從連續(xù)流到脈沖流的模式切換。該芯片被用于單細胞代謝分析,實現(xiàn)了單個tumor細胞葡萄糖攝取率的實時監(jiān)測,檢測靈敏度較傳統(tǒng)方法提升 3 倍,相關(guān)設(shè)備已進入臨床前驗證階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。湖北德國BEAM光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸Polos-BESM:基礎(chǔ)款高性價比,適合高校實驗室基礎(chǔ)微納加工。

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針對碳化硅(SiC)功率模塊的柵極刻蝕難題,Polos 光刻機的激光直寫技術(shù)實現(xiàn)了 20nm 的邊緣粗糙度控制,較傳統(tǒng)光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車芯片廠商利用該設(shè)備,將 SiC MOSFET 的導通電阻降低 15%,開關(guān)損耗減少 20%,推動車載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗證新型柵極結(jié)構(gòu),使器件研發(fā)周期從 12 周壓縮至 4 周,助力我國在第三代半導體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。

上海有機化學研究所通過光刻技術(shù)制備多組分納米纖維,實現(xiàn)了功能材料的精確組裝。類似地,Polos系列設(shè)備可支持此類結(jié)構(gòu)的可控加工,為新能源器件(如柔性電池)和智能材料提供技術(shù)基礎(chǔ)3。設(shè)備的高重復性(0.1 μm)確保了科研成果的可轉(zhuǎn)化性。掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化,無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進一步提升了其優(yōu)勢。德國 SPS Polos:深耕微納加工 35 年,專注半導體與生命科學領(lǐng)域,全球布局 6 大技術(shù)中心,服務(wù) 500 + 科研機構(gòu)。

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某材料實驗室利用 Polos 光刻機的亞微米級圖案化能力,在鋁合金表面制備出仿荷葉結(jié)構(gòu)的超疏水涂層。其激光直寫技術(shù)在 20μm 間距的微柱陣列上疊加 500nm 的納米脊,使材料表面接觸角達 165°,滾動角小于 3°。該涂層在海水環(huán)境中浸泡 30 天后,防腐蝕性能較未處理表面提升 10 倍。其靈活的圖案編輯功能還支持在同一樣品上實現(xiàn)超疏水與超親水區(qū)域的任意組合,被用于微流控芯片的液滴定向輸運,液滴驅(qū)動電壓降低至傳統(tǒng)方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。Polos-BESM 光刻機:無掩模激光技術(shù),成本降低 50%,任意圖案輕松輸入,適配實驗室微納加工。黑龍江POLOSBEAM光刻機MAX層厚可達到10微米

Polos-BESM XL:大尺寸加工空間,保留緊湊設(shè)計,科研級精度實現(xiàn)復雜結(jié)構(gòu)一次性成型。湖北POLOSBEAM光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

Polos光刻機與德國Lab14集團、弗勞恩霍夫研究所等機構(gòu)合作,推動光子集成與半導體封裝技術(shù)發(fā)展。例如,Quantum X align系統(tǒng)的高對準精度(100 nm)為光通信芯片提供可靠解決方案,彰顯德國精密制造與全球產(chǎn)業(yè)鏈整合的優(yōu)勢。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。湖北POLOSBEAM光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

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