SPS POLOS μ以緊湊的桌面設(shè)計降低實驗室設(shè)備投入，光束引擎通過壓電驅(qū)動實現(xiàn)高速掃描（單次寫入400 μm區(qū)域）。支持AZ5214E等光刻膠的高效曝光，成功制備3 μm間距微圖案陣列和叉指電容器，助力納米材料與柔性電子器件的快速驗證。其無掩模特性進一步減少材料浪費，為中小型實驗室提供經(jīng)濟解決方案62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。低成本科研普惠：桌面化設(shè)計減少投入，無掩膜工藝降低中小型實驗室門檻。江蘇PSP光刻機MAX層厚可達到10微米

無掩模激光光刻技術(shù)為研究實驗室提供了一種多功能的納米/微米光刻工具，可用于創(chuàng)建亞微米級特征，并促進電路和器件的快速原型設(shè)計。經(jīng)濟高效的桌面配置使研究人員和行業(yè)從業(yè)者無需復(fù)雜的基礎(chǔ)設(shè)施和設(shè)備即可使用光刻技術(shù)。應(yīng)用范圍擴展至微機電系統(tǒng) (MEM)、生物醫(yī)學(xué)設(shè)備和微電子器件的設(shè)計和制造，例如以下領(lǐng)域：醫(yī)療（包括微流體）、半導(dǎo)體、電子、生物技術(shù)和生命科學(xué)、先進材料研究。全球無掩模光刻系統(tǒng)市場規(guī)模預(yù)計在 2022 年達到 3.3606 億美元，預(yù)計到 2028 年將增長至 5.0143 億美元，復(fù)合年增長率為 6.90%。由于對 5G、AIoT、物聯(lián)網(wǎng)以及半導(dǎo)體電路性能和能耗優(yōu)化的需求不斷增長，預(yù)計未來幾十年光刻市場將持續(xù)增長。吉林德國BEAM光刻機光刻膠broad兼容：支持AZ5214E、SU-8等材料，優(yōu)化參數(shù)降低側(cè)壁粗糙度。

德國Polos-BESM系列光刻機采用無掩模激光直寫技術(shù)，突破傳統(tǒng)光刻對物理掩膜的依賴，支持用戶通過軟件直接輸入任意圖案進行快速曝光。其亞微米分辨率（most小線寬0.8 μm）和405 nm紫外光源，可在5英寸晶圓上實現(xiàn)高精度微納結(jié)構(gòu)加工18。系統(tǒng)體積緊湊，only占桌面空間，搭配閉環(huán)自動對焦（1秒完成）和半自動多層對準(zhǔn)功能，大幅提升實驗室原型開發(fā)效率，適用于微流體芯片設(shè)計、電子元件制造等領(lǐng)域。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。

某生物力學(xué)實驗室通過 Polos 光刻機，在單一芯片上集成了壓阻式和電容式細胞力傳感器。其多材料曝光技術(shù)在 20μm 的懸臂梁上同時制備金屬電極與硅基壓阻元件，傳感器的力分辨率達 5pN，位移檢測精度達 1nm。在心肌細胞收縮力檢測中，該集成傳感器實現(xiàn)了力 - 電信號的同步采集，發(fā)現(xiàn)收縮力峰值與動作電位時程的相關(guān)性達 0.92，為心臟電機械耦合機制研究提供了全新工具，相關(guān)論文發(fā)表于《Biophysical Journal》。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。無掩模激光直寫技術(shù)：無需物理掩膜，軟件直接輸入任意圖案，降低成本與時間。

SPS POLOS μ以桌面化設(shè)計降低設(shè)備投入成本，無需掩膜制備費用。其光束引擎通過壓電驅(qū)動快速掃描，單次寫入?yún)^(qū)域達400 μm，支持光刻膠如AZ5214E的高效曝光。研究案例顯示，該設(shè)備成功制備了間距3 μm的微圖案陣列和叉指電容器，助力納米材料與柔性電子器件的快速原型驗證。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。POLOS μ 光刻機：桌面級設(shè)計，2-23μm 可調(diào)分辨率，兼容 4 英寸晶圓，微機電系統(tǒng)加工誤差 < 5μm。上海德國PSP-POLOS光刻機可以自動聚焦波長

科研成果轉(zhuǎn)化：中科院利用同類技術(shù)制備跨尺度微盤陣列，研究細胞浸潤機制。江蘇PSP光刻機MAX層厚可達到10微米

石墨烯、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴高精度圖案轉(zhuǎn)移，Polos 光刻機的激光直寫技術(shù)避免了傳統(tǒng)濕法轉(zhuǎn)移的污染問題。某納米電子實驗室在 SiO?基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列，成功制備出石墨烯場效應(yīng)晶體管，其電子遷移率達 2×10? cm2/(V?s)，接近理論極限。該技術(shù)支持快速構(gòu)建多種二維材料異質(zhì)結(jié)，使器件研發(fā)效率提升 5 倍，相關(guān)成果推動二維材料在柔性電子、量子計算領(lǐng)域的應(yīng)用研究進入快車道。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。江蘇PSP光刻機MAX層厚可達到10微米