硅光芯片耦合測試系統(tǒng)主要工作可以分為四個部分(1)從波導理論出發(fā),分析了條形波導以及脊型波導的波導模式特性,分析了硅光芯片的良好束光特性。(2)針對倒錐型耦合結構,分析在耦合過程中,耦合結構的尺寸對插入損耗,耦合容差的影響,優(yōu)化耦合結構并開發(fā)出行之有效的耦合工藝。(3)理論分析了硅光芯片調制器的載流子色散效應,分析了調制器的基本結構MZI干涉結構,并從光學結構和電學結構兩方面對光調制器進行理論分析與介紹。(4)利用開發(fā)出的耦合封裝工藝,對硅光芯片調制器進行耦合封裝并進行性能測試。分析并聯(lián)MZI型硅光芯片調制器的調制特性,針對調制過程,建立數(shù)學模型,從數(shù)學的角度出發(fā),總結出調制器的直流偏置電壓的快速測試方法。并通過調制器眼圖分析調制器中存在的問題,為后續(xù)研發(fā)提供改進方向。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)的優(yōu)點：高效。天津分路器硅光芯片耦合測試系統(tǒng)加工廠家

既然提到硅光芯片耦合測試系統(tǒng)，我們就認識一下硅光子集。所謂硅光子集成技術，是以硅和硅基襯底材料（如SiGe/Si、SOI等）作為光學介質，通過互補金屬氧化物半導體（CMOS）兼容的集成電路工藝制造相應的光子器件和光電器件（包括硅基發(fā)光器件、調制器、探測器、光波導器件等），并利用這些器件對光子進行發(fā)射、傳輸、檢測和處理，以實現(xiàn)其在光通信、光互連、光計算等領域中的實際應用。硅光技術的中心理念是“以光代電”，即采用激光束代替電子信號傳輸數(shù)據(jù)，將光學器件與電子元件整合至一個單獨的微芯片中。在硅片上用光取代傳統(tǒng)銅線作為信息傳導介質，較大提升芯片之間的連接速度。天津分路器硅光芯片耦合測試系統(tǒng)加工廠家端面耦合方案一,在硅光芯片的端面處進行刻蝕,形成v型槽陣列。

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光陣列微調設備,微調設備包括有垂直設置的第1角度調節(jié)機構與第二角度調節(jié)機構,微調設備可帶動設置于微調設備上的硅光陣列在垂直的兩個方向實現(xiàn)角度微調。本發(fā)明還提供一種光子芯片測試系統(tǒng)硅光陣列耦合設備,包括有微調設備以及與微調設備固定連接的位移臺,位移臺可實現(xiàn)對探針卡進行空間上三個方向的位置調整?；诠庾有酒瑴y試系統(tǒng)硅光陣列耦合方法,可使得硅光陣列良好的對準到芯片端面的光柵區(qū)間,從而使得測試過程更加穩(wěn)定,結果更加準確。

基于設計版圖對硅光芯片進行光耦合測試的方法及系統(tǒng)進行介紹,該方法包括:讀取并解析設計版圖,得到用于構建芯片圖形的坐標簇數(shù)據(jù),驅動左側光纖對準第1測試點,獲取與第1測試點相對應的測試點圖形的第1選中信息,驅動右側光纖對準第二測試點,獲取與第二測試點相對應的測試點圖形的第二選中信息,獲取與目標測試點相對應的測試點圖形的第三選中信息,通過測試點圖形與測試點的對應關系確定目標測試點的坐標,以驅動左或右側光纖到達目標測試點,進行光耦合測試;該系統(tǒng)包括上位機,電機控制器,電機,夾持載臺及相機等;本發(fā)明具有操作簡單,耗時短,對用戶依賴程度低等優(yōu)點,能夠極大提高硅光芯片光耦合測試的便利性。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)組件裝夾完成后，通過校正X,Y和Z方向的偏差來進行的初始光功率耦合。

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)測試時說到功率飄忽不定，耦合直通率低一直是影響產(chǎn)能的重要的因素，功率飄通常與耦合板的位置有關，因此在耦合時一定要固定好相應的位置，不可隨便移動，此外部分機型需要使用專屬版本，又或者說耦合RF線材損壞也會對功率的穩(wěn)定造成比較大的影響。若以上原因都排除則故障原因就集中在終測儀和機頭本身了。結尾說一說耦合不過站的故障，為防止耦合漏作業(yè)的現(xiàn)象，在耦合的過程中會通過網(wǎng)線自動上傳耦合數(shù)據(jù)進行過站，若MES系統(tǒng)的外觀工位攔截到耦合不過站的機頭，則比較可能是CB一鍵藕合工具未開啟或者損壞，需要卸載后重新安裝，排除耦合4.0的故障和電腦系統(tǒng)本身的故障之后，則可能是MES系統(tǒng)本身的問題導致耦合數(shù)據(jù)無法上傳而導致不過站的現(xiàn)象的。IC測試架可以測試多種集成電路。貴州分路器硅光芯片耦合測試系統(tǒng)生產(chǎn)廠家

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)優(yōu)點：靈活性大。天津分路器硅光芯片耦合測試系統(tǒng)加工廠家

實驗中我們經(jīng)常使用硅光芯片耦合測試系統(tǒng)獲得了超過50%的耦合效率測試以及低于-20dB的偏振串擾。我們還對一個基于硅條形波導的超小型偏振旋轉器進行了理論分析,該器件能夠實現(xiàn)100%的偏轉轉化效率,并擁有較大的制造容差。在這里,我們還對利用側向外延生長硅光芯片耦合測試系統(tǒng)技術實現(xiàn)Ⅲ-Ⅴ材料與硅材料混集成的可行性進行了初步分析,并優(yōu)化了諸如氫化物氣相外延,化學物理拋光等關鍵工藝。在該方案中,二氧化硅掩膜被用來阻止InP種子層中的線位錯在外延生長中的傳播。初步實驗結果和理論分析證明該集成平臺對于實現(xiàn)InP和硅材料的混合集成具有比較大的吸引力。天津分路器硅光芯片耦合測試系統(tǒng)加工廠家