對于該類探測器,基底由Si變?yōu)镚e時,其探測波段可從IR延伸到THz,在這里姑且將Si基與Ge基兩類放在一起加以闡述?傳統(tǒng)的非本征探測器是基于被摻雜的Ge或Si作為吸收材料制作而成的結構簡單的PC探測器,主要有Ge:X[X=Hg?Ga?鈹(Be)?鋅(Zn)]?Si:Y[Y=Ga?砷(As)?銦(In)]等類型?這類探測器的響應范圍取決于雜質元素在基底里的離化能量,一般可覆蓋LWIR?VLWIR乃至THz波段,但需要在低溫(<10K)下工作?由于響應波段很寬,非本征探測器被應用到了航天領域,然而困境也隨之出現(xiàn):在太空中核輻射對探測器響應的影響較大,需要減薄探測器吸收層來降低影響,但這樣也會使量子效率降低在電力行業(yè)，很早就將紅外熱像儀運用于設備的安全檢。德國testo紅外熱像儀產品介紹

晶格失配度比較低時，紅外熱像儀InGaAs探測器的截止波長約為1.7μm，此時探測器所能達到的探測率是比較高的，接近于理論極限。由于在NIR波段表現(xiàn)出的優(yōu)異性能，InGaAs探測器受到了來自包括美、法、德、日等多個國家的眾多制造商的矚目與重視，其中以美國TJT(Telddyne Judson Technologies)的成就**為突出。InGaAs探測器的響應波段剛好覆蓋了夜空輝光的光譜帶，有利于夜間觀測目標物體的發(fā)射，因此在高空偵察方面有重要的應用價值，如美國U-2偵察機就裝備了以InGaAs FPA探測器為**技術的SYERS Ⅱ照相機。電力測溫**紅外熱像儀樣品通俗地講熱像儀就是將物體發(fā)出的不可見紅外能量轉變?yōu)榭梢姷臒釄D像。

由于大尺寸HgCdTe FPA探測器的制作成本居高不下,QWIP FPA探測器被寄予厚望,因而發(fā)展迅速?在LWIR波段,目前QWIP FPA探測器的性能足以與**的HgCdTe相媲美?QWIP也存在一些缺點:因存在與子帶間躍遷相關的基本限制,QWIP需要的工作溫度較低(一般低于液氮溫度)，QWIP的量子效率普遍很低?一般而言,PC探測器的響應速度比PV慢,但QWIP PC探測器的響應速度與其它PV紅外熱像儀相當,所以大規(guī)模QWIP FPA探測器也被研制了出來?與HgCdTe—樣,QWIP FPA探測器也是第三代IR成像系統(tǒng)的重要成員,這類探測器在民用與天文等領域都有著大量的使用案例?

一般而言,所謂的T2SLS探測器都是基于砷化銦(InAs)/銻化鎵(GaSb)材料制作的?InAs/GaSb T2SLS是一個由InAs和GaSb薄層交替構筑的多量子阱交互作用體系,該結構中InAs與GaAs的能帶以II類方式對準?這種能帶續(xù)接方式可引發(fā)強有力的載流子隧穿現(xiàn)象,使該結構適用于MIR和LWIR探測?理論預言在LWIR波段的性能T2SLS探測器的性能有望超過QWIP和HgCdTe探測器,然而在實驗中,T2SLS探測器的暗電流仍處于較高的水平,遠遠達不到預期目**24x1024規(guī)模的T2SLS FPA探測器已研制成功,彰顯了這種探測器的巨大潛力?與前面幾種探測器一樣,T2SLS FPA探測器也是第三代紅外熱像儀系統(tǒng)的成員之一電力行業(yè)采用紅外熱像儀對輸電線路和變電站進行定期巡檢，預防電氣故障。

紅外熱像儀的測量精度取決于多個因素，包括設備的技術規(guī)格、傳感器的質量、環(huán)境條件等。一般來說，紅外熱像儀的測量精度可以達到±2°C或更高的精度。然而，需要注意的是，紅外熱像儀的測量精度可能會受到一些因素的影響，例如：距離因素：紅外熱像儀的測量精度通常是在一定的測量距離范圍內進行評估的。如果距離目標過遠或過近，可能會影響測量的準確性。溫度范圍：不同型號的紅外熱像儀具有不同的測量溫度范圍。在設備的工作溫度范圍之外進行測量可能會導致測量誤差增加。環(huán)境條件：紅外熱像儀的測量精度可能會受到環(huán)境溫度、濕度、大氣條件等因素的影響。在極端的環(huán)境條件下，測量精度可能會有所降低。目標表面特性：不同材料的表面反射率和輻射率不同，這可能會影響紅外熱像儀的測量精度。對于具有低輻射率的目標，可能需要進行校正或使用特殊的測量方法。紅外熱成像儀能夠接收紅外線，生成紅外圖像或熱輻射圖像，并且能夠提供精確的非接觸式溫度測量功能。福祿克紅外熱像儀代理商

工業(yè)中紅外熱像技術的另一用途是精確檢測運行中機器，使機器保持持安全運轉狀態(tài)。德國testo紅外熱像儀產品介紹

截止目前,紅外熱像儀HgCdTe材料依舊是制作高性能IR光子探測器的比較好的材料?與InGaAs類似,HgCdTe也是一種三元系半導體化合物,其帶隙也會隨組分的改變而改變,借此HgCdTe探測器可覆蓋1-22μm的超寬波段?HgCdTe探測器在NIR?MIR和LWIR三個波段都能表現(xiàn)出十分優(yōu)異的性能,所以它問世不久便成為了IR探測器大家族中的霸主?然而,隨著近些年InGaAs探測器的興起,HgCdTe探測器在NIR波段的地位日趨下降;在MIR波段,雖然InSb探測器的探測率不如HgCdTe探測器,但由于InSb的材料生長技術比HgCdTe成熟,HgCdTe探測器在該波段已達不到一家獨大的地步;對于LWIR波段,HgCdTe探測器仍具有很強的統(tǒng)治地位?德國testo紅外熱像儀產品介紹