南京中電芯谷高頻器件產業(yè)技術研究院有限公司對外提供異質異構集成技術服務，可進行以下先進集成材料制備和研發(fā)：1)單晶AlN、LiNbO3壓電薄膜異質晶圓，用于SAW、BAW、XBAR等高性能射頻濾波器；2)厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3異質晶圓，用于低損耗光學平臺；3)AlGaAs-on-insulator，絕緣體上AlGaAs晶圓，用于光量子器件等新一代片上光源平臺；4)Miro-Cavity-SOI，內嵌微腔的絕緣體上Si晶圓，用于環(huán)柵GAA，MEMS等器件平臺；5)SionSiC/Diamond，解決傳統(tǒng)Si襯底功率器件散熱低的瓶頸；6)GaNonSiC，解決自支撐GaN襯底高性能器件散熱低的瓶頸；7)支持特定襯底功能薄膜材料異質晶圓定制研發(fā)。南京中電芯谷高頻器件產業(yè)技術研究院有限公司對外提供光電芯片技術開發(fā)及工藝流片服務。SBD器件定制開發(fā)

南京中電芯谷高頻器件產業(yè)技術研究院有限公司的高功率密度熱源產品可應用于微系統(tǒng)和微電子領域。隨著科技的不斷進步和需求的日益增長，微系統(tǒng)和微電子設備的集成度和性能要求也在不斷提高。而這些設備由于體積小、功耗大、工作頻率高等特點，往往面臨嚴峻的散熱挑戰(zhàn)。而南京中電芯谷高頻器件產業(yè)技術研究院有限公司的高功率密度熱源產品恰好可對此提供較好的解決方案。隨著科技的進步和需求的增加，相信該產品將在未來發(fā)展中發(fā)揮越來越重要的作用，為微系統(tǒng)和微電子領域帶來更多的可能性和機遇。金剛石器件測試南京中電芯谷高頻器件產業(yè)技術研究院有限公司公共技術服務平臺可提供全流程芯片制造工藝技術服務。

南京中電芯谷高頻器件產業(yè)技術研究院有限公司公共技術服務平臺可對外提供半導體器件及電路的加工流片服務，可完成太赫茲芯片、微波毫米波芯片、光電集成芯片、異質異構集成芯片、碳電子器件等各個領域芯片的研發(fā)與制造，可提供工藝開發(fā)、芯片流片、芯片測試等服務，可進行單步或多步工藝定制開發(fā)，可滿足多樣性的工藝要求。未來，南京中電芯谷高頻器件產業(yè)技術研究院有限公司將繼續(xù)致力于半導體器件及電路的研發(fā)和創(chuàng)新，為行業(yè)的發(fā)展貢獻自己的力量。

南京中電芯谷高頻器件產業(yè)技術研究院有限公司對外提供異質集成技術開發(fā)服務，公司擁有完善的表面處理、鍵合、轉印、粘片、減薄、CMP、腐蝕等工藝技術，具有豐富的材料、器件、電路異質異構集成經驗，在集成技術服務方面，可為客戶提供定制化集成方案設計和集成工藝開發(fā)，在集成芯片制造方面，為客戶提供定制化集成器件和芯片制造，異質異構集成技術通過不同材料、器件、工藝和功能的有機融合，是后摩爾時代微電子持續(xù)發(fā)展的重要途徑之一。南京中電芯谷高頻器件產業(yè)技術研究院有限公司可提供大功率氮化鎵微波毫米波/太赫茲二極管開發(fā)服務。

南京中電芯谷高頻器件產業(yè)技術研究院推出高功率密度熱源產品，該產品由熱源管芯和熱源集成外殼組成，采用先進的厚金技術。熱源管芯背面可與任意熱沉進行金錫等焊料集成，滿足與外殼集成后在任意熱沉進行機械集成。靈活設計使熱源可按客戶需求定制，尺寸可調。產品適用于微系統(tǒng)或微電子領域熱管、微流及新型材料散熱技術開發(fā)，也可對熱管理技術進行定量表征和評估。公司可根據客戶需求設計和開發(fā)各種熱源微結構及其功率密度。該產品不僅具備高功率密度，還具備良好的可定制性和適應性。芯谷高頻研究院的固態(tài)微波功率源可設計不同工作模式的功率源，滿足對高可靠、高集成、高微波特性的需求。碳納米管測試

南京中電芯谷高頻器件產業(yè)技術研究院有限公司對外提供InGaAs太赫茲零偏SBD技術開發(fā)服務。SBD器件定制開發(fā)

南京中電芯谷高頻器件產業(yè)技術研究院有限公司公共技術服務平臺的微組裝服務可以滿足客戶的不同需求。無論是小尺寸的電子元件還是微型機械器件，平臺都能夠提供精確、高效的組裝解決方案。南京中電芯谷高頻器件產業(yè)技術研究院有限公司公共技術服務平臺作為一家專業(yè)的技術服務機構，致力于為客戶提供優(yōu)良的微組裝服務。通過其專業(yè)團隊和先進設備的支持，平臺能夠滿足不同領域和行業(yè)的需求，為客戶提供精確、高效的解決方案。平臺將竭誠為客戶提供服務，助力其在市場中取得更大的競爭優(yōu)勢。SBD器件定制開發(fā)