半絕緣型碳化硅襯底主要應(yīng)用于制造氮化鎵射頻器件。通過(guò)在半絕緣型碳化硅襯底上生長(zhǎng)氮化鎵外延層，制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進(jìn)一步制成氮化鎵射頻器件；導(dǎo)電型碳化硅襯底主要應(yīng)用于制造功率器件。與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅襯底上，需在導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層得到碳化硅外延片，并在外延層上制造各類功率器件。大尺寸碳化硅襯底有助于實(shí)現(xiàn)降本增效，已成主流發(fā)展趨勢(shì)。襯底尺寸越大，單位襯底可生產(chǎn)更多的芯片，因而單位芯片成本越低，同時(shí)邊緣浪費(fèi)的減少將進(jìn)一步降低芯片生產(chǎn)成本。目前業(yè)內(nèi)企業(yè)量產(chǎn)的碳化硅襯底主要以4英寸和6英寸為主，在半絕緣型碳化硅市場(chǎng)，目前襯底規(guī)格以4英寸為主；而在導(dǎo)電型碳化硅市場(chǎng)，目前主流的襯底產(chǎn)品規(guī)格為6英寸。國(guó)際巨頭CREE、II-VI以及國(guó)內(nèi)的爍科晶體都已成功研發(fā)8英寸襯底產(chǎn)品。 碳化硅(SIC)是半導(dǎo)體界公認(rèn)的“一種未來(lái)的材料”。北京碳化硅襯底進(jìn)口4寸sic

設(shè)備制造商之間的一場(chǎng)大戰(zhàn)正在牽引逆變器領(lǐng)域展開(kāi)，尤其是純電池電動(dòng)汽車。一般來(lái)說(shuō)，混合動(dòng)力車正朝著48伏電池的方向發(fā)展。對(duì)于動(dòng)力發(fā)明家來(lái)說(shuō)，SiC對(duì)于混合動(dòng)力車來(lái)說(shuō)通常太貴了，盡管有例外。與混合動(dòng)力一樣，純電池電動(dòng)汽車由牽引逆變器組成。高壓母線將逆變器連接到蓄電池和電機(jī)。電池為汽車提供能量。驅(qū)動(dòng)車輛的電機(jī)有三個(gè)接頭或電線。這三個(gè)連接延伸至牽引逆變器，然后連接至逆變器模塊內(nèi)的六個(gè)開(kāi)關(guān)。每個(gè)開(kāi)關(guān)實(shí)際上都是一個(gè)功率半導(dǎo)體，在系統(tǒng)中用作電開(kāi)關(guān)。對(duì)于開(kāi)關(guān)，現(xiàn)有的技術(shù)是IGBT。因此，牽引逆變器可能由六個(gè)額定電壓為1200伏的IGBT組成。杭州碳化硅襯底進(jìn)口6寸n型在現(xiàn)已開(kāi)發(fā)的寬禁帶半導(dǎo)體中,碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是研究最為成熟的一種。

碳化硅早在1842年就被發(fā)現(xiàn)了，但直到1955年，飛利浦（荷蘭）實(shí)驗(yàn)室的Lely才開(kāi)發(fā)出生長(zhǎng)高品質(zhì)碳化硅晶體材料的方法。到了1987年，商業(yè)化生產(chǎn)的SiC襯底進(jìn)入市場(chǎng)，進(jìn)入21世紀(jì)后，SiC襯底的商業(yè)應(yīng)用才算***鋪開(kāi)。碳化硅分為立方相（閃鋅礦結(jié)構(gòu)）、六方相（纖鋅礦結(jié)構(gòu)）和菱方相3大類共260多種結(jié)構(gòu)，目前只有六方相中的4H-SiC、6H-SiC才有商業(yè)價(jià)值，美國(guó)科銳（Cree）等公司已經(jīng)批量生產(chǎn)這類襯底。立方相（3C-SiC）還不能獲得有商業(yè)價(jià)值的成品。

碳化硅（SiC）又叫金剛砂，密度是3.2g/cm3，天然碳化硅非常罕見(jiàn)，主要通過(guò)人工合成。按晶體結(jié)構(gòu)的不同分類，碳化硅可分為兩大類：αSiC和βSiC。在熱力學(xué)方面，碳化硅硬度在20℃時(shí)高達(dá)莫氏9.2-9.3，是硬的物質(zhì)之一，可以用于切割紅寶石；導(dǎo)熱率超過(guò)金屬銅，是Si的3倍、GaAs的8-10倍，且其熱穩(wěn)定性高，在常壓下不可能被熔化；在電化學(xué)方面，碳化硅具有寬禁帶、耐擊穿的特點(diǎn)，其禁帶寬度是Si的3倍，擊穿電場(chǎng)為Si的10倍；且其耐腐蝕性極強(qiáng)，在常溫下可以免疫目前已知的所有腐蝕劑。碳化硅材料的重要用途還包括：微波器件襯底、石墨烯外延襯底、人工鉆石。

N型碳化硅襯底材料是支撐電力電子行業(yè)發(fā)展必不可少的重要材料。其耐高壓、耐高頻等突出的物理特性可以廣泛應(yīng)用于大功率高頻電子器件、電動(dòng)汽車PCU、光伏逆變、軌道交通電力控制系統(tǒng)等領(lǐng)域，起到減小體積簡(jiǎn)化系統(tǒng)，提升功率密度的作用，發(fā)光二極管（LED）是利用半導(dǎo)體中電子與空穴復(fù)合發(fā)光的一種電子元器件，是一種節(jié)能環(huán)保的冷光源。SiC材料具有與GaN晶格失配小、熱導(dǎo)率高、器件尺寸小、抗靜電能力強(qiáng)、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)是GaN系外延材料的理想襯底，由于其良好的熱導(dǎo)率，解決了功率型GaN-LED器件的散熱問(wèn)題，特別適合制備大功率的半導(dǎo)體照明用LED，這樣提高了出光效率，又能有效的降低能耗。碳化硅半導(dǎo)體完整產(chǎn)業(yè)鏈條包括：碳化硅原料-晶錠-襯底-外延-芯片-器件-模塊。廣州碳化硅襯底進(jìn)口4寸n型

碳化硅作襯底的LED器件亮度更高、能耗更低、壽命更長(zhǎng)、單位芯片面積更小。北京碳化硅襯底進(jìn)口4寸sic

PVT法和HTCVD法生長(zhǎng)碳化硅晶體原理圖。兩者都可以用于生長(zhǎng)4H-SiC碳化硅晶片，HTCVD更像是PVT的“加強(qiáng)版”。PVT法的優(yōu)勢(shì)在于相對(duì)簡(jiǎn)單易控制，市場(chǎng)占有率高，生長(zhǎng)n型導(dǎo)電晶片很成熟。其劣勢(shì)是p型導(dǎo)電和高阻半絕緣型晶片生長(zhǎng)成本高，不能生長(zhǎng)高質(zhì)量的高純半絕緣晶片。HTCVD法的優(yōu)勢(shì)是可以生長(zhǎng)導(dǎo)電型（n、p）和高純半絕緣晶片，可以控制摻雜濃度，使晶片中載流子濃度在3×1013～5×1019/cm3之間可調(diào)。其劣勢(shì)是技術(shù)門檻高，市場(chǎng)占有率低。北京碳化硅襯底進(jìn)口4寸sic