a)為表面層陶瓷電容器的一般結(jié)構(gòu),(b)為其等效電路。在半導(dǎo)體陶瓷表面形表面層陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)及其等效電路成表面介質(zhì)層的方法很多,這里僅作簡單介紹。在BaTiO3導(dǎo)體陶瓷的兩個平行平面上燒滲銀電極,銀電極和半導(dǎo)體陶瓷的接觸介面就會形成極薄的阻擋層。由于Ag是一種電子逸出功較大的金屬,所以在電場作用下,BaTiO3導(dǎo)體陶瓷與Ag電極的接觸介面上就會出現(xiàn)缺乏電子的阻擋層,而阻擋層本身存在著空間電荷極化,即介面極化。這樣半導(dǎo)體陶瓷與Ag電極之間的這種阻擋層就構(gòu)成了實際上的介質(zhì)層。這種電容器瓷件,先在大氣氣氛中燒成,然后在還原氣氛中強(qiáng)制還原半導(dǎo)化,再在氧化氣氛中把表面層重新氧化成絕緣性的介質(zhì)層。再氧化層的厚度應(yīng)控制適當(dāng)。若氧化膜太薄,電極和陶瓷間仍可呈現(xiàn)pn結(jié)的整流特性,絕緣電阻和耐電強(qiáng)度都得不到改善。隨著厚度的逐漸增加,pn結(jié)的整流特性消失,絕緣電阻提高,對直流偏壓的依存性降低。但是,再氧化的時間不宜過長,否則可能導(dǎo)致陶瓷內(nèi)部重新再氧化而使電容器的容量降低。還原處理的溫度為800~1200℃,再氧化處理的溫度為500~900℃。經(jīng)還原處理后的陶瓷材料,絕緣電阻率可降至10~103Ω·cm,表面層的電阻率低于內(nèi)部瓷體的電阻率?,F(xiàn)貨供應(yīng)HJK高壓陶瓷電容器。杭州陶瓷電容器誠信推薦
EIA)標(biāo)準(zhǔn)的Z5U、Y5V以及我國標(biāo)準(zhǔn)的CT系列的低檔產(chǎn)品型號等陶瓷介質(zhì)(溫度系數(shù)為Z5U的+22%,-56%和Y5V的+22%,-82%),這種介質(zhì)的介電系數(shù)隨溫度變化較大,不適用于定時、振蕩等對溫度系數(shù)要求高的場合,但由于其介電系數(shù)可以做得很大(可以達(dá)到1000~12000),因而電容量可以做得比更大,適用于一般工作環(huán)境溫度要求(-25~+85℃)的耦合、旁路和濾波。通常1206表面貼裝Z5U、Y5V介質(zhì)電容器量甚至可以達(dá)到100μF,在某種意義上是取代鉭電解電容器的有力競爭對手。陶瓷電容器的溫度特性應(yīng)用陶瓷電容器首先要注意的就是其溫度特性;不同材料的陶瓷介質(zhì),其溫度特性有極大的差異。第yi類陶瓷介質(zhì)電容器的溫度性質(zhì)根據(jù)美國標(biāo)準(zhǔn)EIA-198-D,在用字母或數(shù)字表示陶瓷電容器的溫度性質(zhì)有三部分:第yi部分為(例如字母C)溫度系數(shù)α的有效數(shù)字;第二位部分有效數(shù)字的倍乘(如0即為100);第三部分為隨溫度變化的容差(以ppm/℃表示)。這三部分的字母與數(shù)字所表達(dá)的意義如表。例如,C0G(有時也稱為NP0)表示為:第yi位字母C為溫度系數(shù)的有效數(shù)字為0,第二位數(shù)字0為有效溫度系數(shù)的倍乘為100=1,第三位字母G為隨溫度變化的容差為±30ppm/℃,即0±30ppm/℃。南陽高壓陶瓷電容器陶瓷電容器海視達(dá)供應(yīng)安規(guī)電容器廠家,安規(guī)電容器定制。
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高壓瓷片電容器的絕緣電阻高壓瓷片電容器的絕緣電阻取決于介質(zhì)材料配方、工藝過程(燒結(jié))和測量時的溫度。所有介質(zhì)的絕緣電阻都會隨溫度的提高而下降,在低溫(-55℃)到高溫(125℃)的MIL溫度特性范圍內(nèi)可以觀察到一個非常大的下降過程。測量瓷片電容器絕緣電阻的時需要重點考慮絕緣電阻與電容量的關(guān)系。電容量值與絕緣電阻成反比,即電容量越高,絕緣電阻越低。這是因為電容量與漏電流大小是相互成正比的,可以用歐姆定律和比體積電容關(guān)系加以說明。歐姆定律表述了導(dǎo)體中電流(I),電壓(V)和電阻(R)之間的關(guān)系:I=V/R但是,電阻(R)是一個與尺寸有關(guān)的物理量,也與材料本征的電阻率有關(guān),如下所示:R=ρL/A這里L(fēng)=導(dǎo)體長度A=導(dǎo)體橫截面積。因此電流(I)可以表示為:I=VA/ρL高壓瓷片電容器中通過絕緣體的漏電流(i)也可用上述關(guān)系式表示:I=VA’/ρt,這里V=測試電壓A’=有效電極面積ρ=介質(zhì)電阻率t=介質(zhì)層厚度從上面關(guān)系式可以看到,對于給定的測試電壓,漏電流大小正比于電容器有效電極面積,反比于介質(zhì)層厚度(和電阻率),即:i∝A’/t類似地,電容量(C)正比于有效電極面積,反比于介質(zhì)層厚度,即:C=KA’/。選擇蘇州海視達(dá)電子科技有限公司,選擇較高質(zhì)量陶瓷電容器產(chǎn)品。
它配接在主電路的輸出電路中,其旁效果比較好。這種電容的電容量一般為220~3300pF,耐壓范圍視電路作用而定,一般為500V~。4.濾除噪聲。開關(guān)電源的輸入回路常接有交流電路濾波器,它的作用是濾除外部噪聲的進(jìn)入與內(nèi)部噪聲的傳出,這種濾除噪聲的電容都用陶瓷電容。接在電源進(jìn)線的電容,抑zhi噪聲的頻率較低,所需的電容量較大,耐壓為275V,稱它為X電容。二、陶瓷電容的特點:1)結(jié)構(gòu)簡單,加工生產(chǎn)工藝要求不高,原料豐富,價格便宜。2)電容的絕緣性能強(qiáng),絕緣電阻大,可制成耐壓很高的電容,能耐壓高達(dá)2kV。3)具有良好的耐熱性,在耐高溫的特點,可在高達(dá)500~600℃的條件下正常穩(wěn)定工作。4)溫度系數(shù)范圍很寬,可以生產(chǎn)出不同溫度系數(shù)的電容,以適用于不同的場合。5)陶瓷電容還有耐酸、耐堿、耐鹽的特點,若受水的侵蝕,也能長期正常地工作,不易老化。6)陶瓷材料的介電系數(shù)很大,一般從幾十皮法到數(shù)百皮法,有的介電系數(shù)高達(dá)幾千皮法,這使得瓷介電容器的體積可以做得很小,如果采用多疊層的方式,電容器的容量可擴(kuò)展很大。7)陶瓷電容的瓷介質(zhì)材料不可以卷曲,電容器本身不帶電感性,這樣生產(chǎn)出來的陶瓷電容高頻特性較高。現(xiàn)貨供應(yīng)HM安規(guī)陶瓷電容器。石家莊Y1陶瓷電容器陶瓷電容器
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因此也稱鐵電陶瓷電容器。這類電容器的比電容大,電容量隨溫度呈非線性變化,損耗較大,常在電子設(shè)備中用于旁路、耦合或用于其它對損耗和電容量穩(wěn)定性要求不高的電路中。Ⅰ類陶瓷電容器按美國電工協(xié)會(EIA)標(biāo)準(zhǔn)為C0G(是數(shù)字0,不是字母O,有些文獻(xiàn)筆誤為COG)或NP0(是數(shù)字0,不是字母O,有些文獻(xiàn)筆誤為NPO)以及我國標(biāo)準(zhǔn)的CC系列等型號的陶瓷介質(zhì)(溫度系數(shù)為0±30PPM/℃),這種介質(zhì)極其穩(wěn)定,溫度系數(shù)極低,而且不會出現(xiàn)老化現(xiàn)象,損耗因數(shù)不受電壓、頻率、溫度和時間的影響,介電系數(shù)可以達(dá)到400,介電強(qiáng)度相對高。這種介質(zhì)非常適用于高頻(特別是工業(yè)高頻感應(yīng)加熱的高頻功率振蕩、高頻無線發(fā)射等應(yīng)用的高頻功率電容器)、超高頻和對電容量、穩(wěn)定性有嚴(yán)格要求定時、振蕩電路的工作環(huán)境,這種介質(zhì)電容器wei一的缺點是電容量不能做得很大(由于介電系數(shù)相對?。?,通常1206表面貼裝C0G介質(zhì)電容器的電容量從μF。Ⅱ類陶瓷電容器Ⅱ類的穩(wěn)定級陶瓷介質(zhì)材料如美國電工協(xié)會(EIA)標(biāo)準(zhǔn)的X7R、X5R以及我國標(biāo)準(zhǔn)的CT系列等型號的陶瓷介質(zhì)(溫度系數(shù)為±),這種介質(zhì)的介電系數(shù)隨溫度變化較大,不適用于定時、振蕩等對溫度系數(shù)要求高的場合,但由于其介電系數(shù)可以做得很大。杭州陶瓷電容器誠信推薦
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