場效應(yīng)管是一種電壓控制器件，其工作原理是通過改變柵極（Gate）與源極（Source）之間的電壓來控制漏極（Drain）與源極之間的電流。與傳統(tǒng)的雙極型晶體管（BJT）相比，F(xiàn)ET只利用單一類型的載流子（電子或空穴）進行導(dǎo)電，因此也被稱為單極型晶體管。分類：結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）：基于PN結(jié)形成的通道，分為N溝道JFET和P溝道JFET。絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS管）：分為增強型MOS管和耗盡型MOS管，每種類型又分為N溝道和P溝道。耗盡型MOS管：在柵極電壓（VGS）為零時，耗盡型MOS管已經(jīng)形成了導(dǎo)電溝道，即使沒有外加電壓，也會有漏極電流（ID）。這是因為在制造過程中，通過摻雜在絕緣層中引入正離子，使得在半導(dǎo)體表面感應(yīng)出負(fù)電荷，形成導(dǎo)電溝道。增強型MOS管：在VGS為零時是關(guān)閉狀態(tài)，不導(dǎo)電。只有當(dāng)施加適當(dāng)?shù)恼驏艠O電壓時，才會在半導(dǎo)體表面感應(yīng)出足夠的多數(shù)載流子，形成導(dǎo)電溝道。場效應(yīng)管有多種類型，如JFET、MOSFET等，滿足不同應(yīng)用需求。中山MOS場效應(yīng)管制造

以上討論的是MOSFET ON狀態(tài)時電阻的選擇，在MOSFET OFF狀態(tài)時為了保證柵極電荷快速瀉放，此時阻值要盡量小。通常為了保證快速瀉放，在Rg上可以并聯(lián)一個二極管。當(dāng)瀉放電阻過小，由于走線電感的原因也會引起諧振(因此有些應(yīng)用中也會在這個二極管上串一個小電阻)，但是由于二極管的反向電流不導(dǎo)通,此時Rg又參與反向諧振回路,因此可以抑制反向諧振的尖峰。估算導(dǎo)通損耗、輸出的要求和結(jié)區(qū)溫度的時候，就可以參考前文所指出的方法。MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域非常普遍，遠(yuǎn)非一兩篇文章可以概括。柵極場效應(yīng)管加工場效應(yīng)管的開關(guān)速度快，適用于需要快速響應(yīng)的電路系統(tǒng)中。

場效應(yīng)管主要參數(shù)：一、飽和漏源電流。飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流。二、夾斷電壓，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。三、開啟電壓。開啟電壓UT是指加強型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓。四、跨導(dǎo)?？鐚?dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gm是權(quán)衡場效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù)。

MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設(shè)計或選擇驅(qū)動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，后邊再詳細(xì)介紹。在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管，在驅(qū)動感性負(fù)載（如馬達(dá)），這個二極管很重要?？梢栽贛OS管關(guān)斷時為感性負(fù)載的電動勢提供擊穿通路從而避免MOS管被擊穿損壞。順便說一句，體二極管只在單個的MOS管中存在，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的。場效應(yīng)管在數(shù)字電子電路中的應(yīng)用日益普遍，可以用于高速通訊、計算機處理和控制系統(tǒng)中。

什么是MOSFET，mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型back gate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導(dǎo)， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（P溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。場效應(yīng)管的表示特性是輸入電阻高、輸入電容小、開關(guān)速度快和功耗低。中山MOS場效應(yīng)管制造

在安裝場效應(yīng)管時，要確保其散熱良好，避免過熱導(dǎo)致性能下降或損壞。中山MOS場效應(yīng)管制造

強抗輻場效應(yīng)管是專門為應(yīng)對惡劣輻射環(huán)境而精心設(shè)計的。在航空航天領(lǐng)域，衛(wèi)星在浩瀚的太空中運行，時刻受到宇宙射線的強烈輻射；在核工業(yè)環(huán)境里，電子設(shè)備也面臨著強度高的輻射威脅。普通場效應(yīng)管在這樣的輻射下，如同脆弱的花朵，極易受到損傷，導(dǎo)致性能急劇下降甚至完全失效。而強抗輻場效應(yīng)管采用了特殊的材料與結(jié)構(gòu)，選用耐輻射性能優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，同時對柵極絕緣層進行優(yōu)化設(shè)計，增強其抵御輻射的能力。以衛(wèi)星為例，星載電子設(shè)備中的強抗輻場效應(yīng)管，如同堅固的盾牌，能夠有效抵抗輻射粒子的猛烈轟擊，確保衛(wèi)星通信系統(tǒng)準(zhǔn)確無誤地傳輸數(shù)據(jù)，姿態(tài)控制等系統(tǒng)穩(wěn)定運行，保障太空探索與衛(wèi)星應(yīng)用任務(wù)的順利進行，為人類探索宇宙、開發(fā)太空資源提供堅實的技術(shù)保障。中山MOS場效應(yīng)管制造