過流電路當(dāng)出現(xiàn)負(fù)載短路、過載或者控制電路失效等意外情況時，會引起流過開關(guān)管的電流過大，使管子功耗增大、發(fā)熱，若沒有過流保護(hù)裝置，大功率開關(guān)管就可能損壞; 調(diào)節(jié)電路失效還可能導(dǎo)致LED過流損壞。過流保護(hù)一般通過取樣電阻或霍爾傳感器等來檢測、比較，從而實現(xiàn)保護(hù)，但它們都有體積大和成本高的缺點。過沖電路穩(wěn)流型開關(guān)電源在開機(jī)和關(guān)機(jī)時容易造成電流過沖，LED之類的負(fù)載對ms級的電流過沖都是不允許的，瞬間大電流的沖擊有可能損壞LED器件。電源通入時的電力峰值高達(dá)額定數(shù)值的數(shù)十倍至數(shù)百倍，結(jié)果導(dǎo)致電阻熱疲勞，引起斷路。南通節(jié)能LED電源性能

5、電解電容的影響：電解電容器的封口部位會漏出氣化的電解液，這種現(xiàn)象會隨著溫度的升高而加速，一般認(rèn)為溫度每上升10℃，泄漏速度會提高至2倍。因此可以說電解電容器決定了電源裝置的壽命。如果選用105度，壽命為10000小時的高溫電解電容，根據(jù)通行的電解電容壽命估算公式“每降低10度，壽命增加一倍”，那么它為95度環(huán)境下工作壽命為20000小時，在85度環(huán)境下工作壽命為40000小時。LED驅(qū)動電源的正常工作壽命要取決于電源所使用的電解電容的壽命，電解電容的壽命又取決于電容本身的壽命及工作溫度。揚州出口LED電源修復(fù)4、絕緣和安裝的影響：產(chǎn)品的正確安裝和良好的絕緣會增強(qiáng)LED電源的應(yīng)用力。

有較小的體積和較低的成本。另外，還應(yīng)該解決安全隔離問題?？紤]到對電網(wǎng)的影響，還要解決好電磁干擾和功率因數(shù)問題。對中小功率的LED，其佳電路結(jié)構(gòu)是隔離式單端反激變換器。對于大功率的應(yīng)用，應(yīng)該使用橋式變換電路。高電壓驅(qū)動高電壓驅(qū)動是指給LED供電的電壓值始終高于LED管壓降，如6V、12V、24V蓄電池機(jī)動車的燈光系統(tǒng)等。高電壓驅(qū)動LED要解決降壓問題，由于高電壓驅(qū)動一般是由普通蓄電池供電是半導(dǎo)體照明普及應(yīng)用必須要解決好的問題

假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動芯片的最大電流來自于驅(qū)動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低c、v和f。如果c、v和f不能改變，那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。再簡單一點，就是考慮更好的散熱吧。3、功率管發(fā)熱關(guān)于這個問題，也見到過有人在論壇發(fā)過貼。功率管的功耗分成兩部分，開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。通常，他們會從多方面去分析，例如成本與制造工藝、效率和體積、絕緣可靠性和安全規(guī)范的要求，等等。

作為完整的產(chǎn)品，產(chǎn)品表面使用者能接觸到的部分一定要經(jīng)過隔離，不能讓人觸電。而從產(chǎn)品整個系統(tǒng)而言，隔離是不可避免的，區(qū)別只是設(shè)置隔離的位置不同。有些設(shè)計者采用隔離的變壓器設(shè)計，因此他們可以簡化散熱和燈罩的設(shè)計。如果用非隔離的驅(qū)動設(shè)計，在燈殼等結(jié)構(gòu)上就必須考慮可靠的絕緣要求。因此作為電源驅(qū)動，隔離與非隔離的方案一直都同時存在。中國LED驅(qū)動電源制造商們可能面對的主要挑戰(zhàn)是找到低成本的AC/DC驅(qū)動器，從而滿足在低成本電源系統(tǒng)中實現(xiàn)更嚴(yán)格的功率因子和效率表現(xiàn)。未來，在空間受限且存在散熱困難的系統(tǒng)(比如LED燈具)中使用高質(zhì)量、高可靠性的電源，然而，在終用戶使用過許多某款壽命在10,000小時左右的燈泡之前，要想證明其質(zhì)量高是相當(dāng)困難的事情。如果物理隔離成本太高、存在機(jī)械困難或者吸收太多光，就必須在電源中解決電氣隔離問題。南通節(jié)能LED電源性能

電解電容的壽命又取決于電容本身的壽命及工作溫度。南通節(jié)能LED電源性能

2、芯片發(fā)熱這主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動芯片的最大電流來自于驅(qū)動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低c、v和f。如果c、v和f不能改變，那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。再簡單一點，就是考慮更好的散熱吧。南通節(jié)能LED電源性能

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