在光刻圖案化工藝中，首先將光刻膠涂在硅片上形成一層薄膜。接著在復雜的曝光裝置中，光線通過一個具有特定圖案的掩模投射到光刻膠上。曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學變化，在隨后的化學顯影過程中被去除。較后掩模的圖案就被轉移到了光刻膠膜上。而在隨后的蝕刻 或離子注入工藝中，會對沒有光刻膠保護的硅片部分進行刻蝕，較后洗去剩余光刻膠。這時光刻膠的圖案就被轉移到下層的薄膜上，這種薄膜圖案化的過程經過多次迭代，聯同其他多個物理過程，便產生集成電路。干法刻蝕能夠滿足亞微米/納米線寬制程技術的要求，且在微納加工技術中被大量使用。吉林刻蝕微納加工工藝

微納加工氧化工藝是在高溫下，襯底的硅直接與O2發(fā)生反應生成SiO2，后續(xù)O2通過SiO2層擴散到Si/SiO2界面，繼續(xù)與Si發(fā)生反應增加SiO2薄膜的厚度，生成1個單位厚度的SiO2薄膜，需要消耗0.445單位厚度的Si襯底；相對CVD工藝而言，氧化工藝可以制作更加致密的SiO2薄膜，有利于與其他材料制作更加牢固可靠的結構層，提高MEMS器件的可靠性。同時致密的SiO2薄膜有利于提高與其它材料的濕法刻蝕選擇比，提高刻蝕加工精度，制作更加精密的MEMS器件。同時氧化工藝一般采用傳統(tǒng)的爐管設備來制作，成本低，產量大，一次作業(yè)100片以上，SiO2薄膜一致性也可以做到更高+/-3%以內。吉林刻蝕微納加工工藝濕法刻蝕較普遍、也是成本較低的刻蝕方法。

平臺目前已配備各類微納加工和表征測試設備50余臺套，擁有一條相對完整的微納加工工藝線，可制成2-6英寸樣品，涵蓋了圖形發(fā)生、薄膜制備、材料刻蝕、表征測試等常見的工藝段，可以進行常見微納米結構和器件的加工，極限線寬達到600納米，材料種類包括硅基、化合物半導體等多種類型材料，可以有力支撐多學科領域的半導體器件加工以及微納米結構的表征測試需求。微納加工平臺支持基礎信息器件與系統(tǒng)等多領域、交叉學科，開展前沿信息科學研究和技術開發(fā)。作為開放共享服務平臺，支撐的研究領域包括新型器件、柔性電子器件、微流體、發(fā)光芯片、化合物半導體、微機電器件與系統(tǒng)（MEMS）等。以高效、創(chuàng)新、穩(wěn)定、合作共贏的合作理念，歡迎社會各界前來合作。

通過在聚合物表面構造微納米尺度結構及其陣列，可以得到聚合物微納結構制件，不同種類的微納結構賦予聚合物制件許多特殊的功能。如具有微槽流道的微流控生物芯片；具有微納透鏡陣列的光學元件，如導光板、偏光板等；具有仿生微結構的疏水薄膜以及具有高深寬比V槽結構的微結構換熱器等。上述微結構制件在生物醫(yī)學分析、藥物開發(fā)、無痛給藥、微反應過程、LCD顯示器關鍵光學材料、高效換熱等場合發(fā)揮了重要的作用。隨著聚合物成型方法的不斷成熟與發(fā)展，聚合物微結構器件的種類和應用范圍也隨之豐富與擴大。微納加工技術的特點：微型化。

通過光刻技術制作出的微納結構需進一步通過刻蝕或者鍍膜，才可獲得所需的結構或元件?？涛g技術，是按照掩模圖形對襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術，可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕較普遍、也是成本較低的刻蝕方法，大部份的濕刻蝕液均是各向同性的，換言之，對刻蝕接觸點之任何方向腐蝕速度并無明顯差異。而干刻蝕采用的氣體，或轟擊質量頗巨，或化學活性極高，均能達成刻蝕的目的。其較重要的優(yōu)點是能兼顧邊緣側向侵蝕現象極微與高刻蝕率兩種優(yōu)點。干法刻蝕能夠滿足亞微米/納米線寬制程技術的要求，且在微納加工技術中被大量使用。光刻膠是微納加工中微細圖形加工的關鍵材料之一。吉林刻蝕微納加工工藝

我造技術的研究從其誕生之初就一直牢據行國的微納制造技術的研究與世界先進水平業(yè)的杰出位置。吉林刻蝕微納加工工藝

在微電子與光電子集成中，薄膜的形成方法主要有兩大類，及沉積和外延生長。沉積技術分為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法；化學氣相沉積是典型的化學方法；等離子體增強化學氣相沉積是物理與化學方法相結合的混合方法。薄膜沉積過程，通常生成的是非晶膜和多晶膜，沉積部位和晶態(tài)結構都是隨機的，而沒有固定的晶態(tài)結構。外延生長實質上是材料科學的薄膜加工方法，其含義是：在一個單晶的襯底上，定向地生長出與基底晶態(tài)結構相同或相似的晶態(tài)薄層。其他薄膜成膜方法，如電化學沉積、脈沖激光沉積法、溶膠凝膠法、自組裝法等，也都普遍用于微納制作工藝中。吉林刻蝕微納加工工藝

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