磁控濺射技術(shù)得以普遍的應(yīng)用,是由該技術(shù)有別于其它鍍膜方法的特點所決定的。其特點可歸納為:可制備成靶材的各種材料均可作為薄膜材料,包括各種金屬、半導(dǎo)體、鐵磁材料,以及絕緣的氧化物、陶瓷等物質(zhì),尤其適合高熔點和低蒸汽壓的材料沉積鍍膜在適當條件下多元靶材共濺射方式,可沉積所需組分的混合物、化合物薄膜;在濺射的放電氣中加入氧、氮或其它活性氣體,可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜;控制真空室中的氣壓、濺射功率,基本上可獲得穩(wěn)定的沉積速率,通過精確地控制濺射鍍膜時間,容易獲得均勻的高精度的膜厚,且重復(fù)性好;濺射粒子幾乎不受重力影響,靶材與基片位置可自由安排;基片與膜的附著強度是一般蒸鍍膜的10倍以上,且由于濺射粒子帶有高能量,在成膜面會繼續(xù)表面擴散而得到硬且致密的薄膜,同時高能量使基片只要較低的溫度即可得到結(jié)晶膜;薄膜形成初期成核密度高,故可生產(chǎn)厚度10nm以下的極薄連續(xù)膜。用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點火和濺射很方便。山東非金屬磁控濺射處理

磁控濺射設(shè)備的主要用途：（1）各種功能性薄膜：如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如，低溫沉積氮化硅減反射膜，以提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。（2）裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用，如各種全反射膜及半透明膜等，如手機外殼，鼠標等。（3）在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù)，主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積（CVD）或金屬有機。（4）化學(xué)氣相沉積（CVD）生長困難及不適用的材料薄膜沉積，而且可以獲得大面積非常均勻的薄膜。（5）在光學(xué)領(lǐng)域：中頻閉合場非平衡磁控濺射技術(shù)也已在光學(xué)薄膜（如增透膜）、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃等方面得到應(yīng)用。特別是透明導(dǎo)電玻璃普遍應(yīng)用于平板顯示器件、太陽能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。（6）在機械加工行業(yè)中，表面功能膜、超硬膜，自潤滑薄膜的表面沉積技術(shù)自問世以來得到長足發(fā)展，能有效的提高表面硬度、復(fù)合韌性、耐磨損性和抗高溫化學(xué)穩(wěn)定性能，從而大幅度地提高涂層產(chǎn)品的使用壽命。山西陶瓷靶材磁控濺射原理磁控濺射特點：可制備成靶的材料廣，幾乎所有金屬，合金和陶瓷材料都可以制成靶材。

影響磁控濺射鍍膜結(jié)果的因素：1、濺射功率的影響,在基體和涂層材料確定的情況下,工藝參數(shù)的選擇對于涂層生長速率和涂層質(zhì)量都有很大的影響.其中濺射功率的設(shè)定對這兩方面都有極大的影響.2、氣壓的影響,磁控濺射是在低氣壓下進行高速濺射,為此需要提高氣體的離化率,使氣體形成等離子體.在保證濺射功率固定的情況下,分析氣壓對于磁控濺射的影響。磁控濺射鍍膜的產(chǎn)品優(yōu)點：1、幾乎所有材料都可以通過磁控濺射沉積,而不論其熔化溫度如何;2、可以根據(jù)基材和涂層的要求縮放光源并將其放置在腔室中的任何位置;3、可以沉積合金和化合物的薄膜,同時保持與原始材料相似的組成。

相較于蒸發(fā)鍍膜，真空磁控濺射鍍膜的膜更均勻，那么真空蒸發(fā)鍍膜所鍍出來的膜厚度在中心位置一般會薄一點。因此，由于我們無法控制真空蒸發(fā)鍍膜的膜層的厚度，而真空磁控濺射鍍膜的過程中可通過控制時間長短來控制鍍層厚度，所以蒸鍍真空鍍膜不適應(yīng)企業(yè)大規(guī)模的生產(chǎn)。反之，濺射鍍膜在這方面就比較有優(yōu)勢了。那么相對于蒸發(fā)鍍膜來說，真空磁控濺射鍍膜除了膜厚均勻與可控靈活的優(yōu)勢之外，還有這些特點：磁控濺射鍍的膜層的純度高，因此致密性好；膜層物料靈活，薄膜可以由大多數(shù)材料構(gòu)成，包括常見的合金、化合物之類的；濺射鍍膜的沉積速率較低，整體設(shè)備相對復(fù)雜一些；真空濺射薄膜與作用基底之間的粘合、附著力很好。磁控濺射鍍膜的適用范圍：建材及民用工業(yè)中。

磁控濺射的基本原理就是以磁場改變電子運動方向，束縛和延長運動路徑，提高電子的電離概率和有效地利用了電子的能量。因此在形成高密度等離子體的異常輝光放電中，正離子對靶材轟擊所引起的靶材濺射更加有效，同時受正交電磁場的束縛的電子只能在其能量將要耗盡時才能沉積在基片上，這就是磁控濺射具有低溫高速兩大特點的機理。磁控濺射的特點是成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好，可實現(xiàn)大面積鍍膜。該技術(shù)可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法。磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑，改變電子的運動方向。山東非金屬磁控濺射處理

磁控濺射的優(yōu)點：操作易控。山東非金屬磁控濺射處理

磁控濺射技術(shù)發(fā)展過程中各項技術(shù)的突破一般集中在等離子體的產(chǎn)生以及對等離子體進行的控制等方面。通過對電磁場、溫度場和空間不同種類粒子分布參數(shù)的控制，使膜層質(zhì)量和屬性滿足各行業(yè)的要求。膜厚均勻性與磁控濺射靶的工作狀態(tài)息息相關(guān)，如靶的刻蝕狀態(tài)，靶的電磁場設(shè)汁等，因此，為保證膜厚均勻性，國外的薄膜制備公司或鍍膜設(shè)備制造公司都有各自的關(guān)于鍍膜設(shè)備(包括中心部件“靶”)的整套設(shè)計方案。同時，還有很多專門從事靶的分析、設(shè)計和制造的公司，并開發(fā)相關(guān)的應(yīng)用設(shè)計軟件，根據(jù)客戶的要求對設(shè)備進行優(yōu)化設(shè)計。國內(nèi)在鍍膜設(shè)備的分析及設(shè)計方面與國際先進水平之間還存在較大差距。山東非金屬磁控濺射處理