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品質(zhì)好的氧化鉿環(huán)境危害

來源: 發(fā)布時間:2021-11-23

氧化鉿又稱氧化鉿(IV),它是一種無機(jī)化工產(chǎn)品,其分子式為HfO2,分子量為210.4888。存儲方法常溫密閉,陰涼通風(fēng)干燥。合成方法當(dāng)加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。主要用途用于光譜分析及催化劑體系,耐熔材料。系統(tǒng)編號CAS號:12055-23-1MDL號:MFCD00003565EINECS號:235-013-2PubChem號:24873674,毒理學(xué)數(shù)據(jù)主要的刺激性影響:在皮膚上面:刺激皮膚和粘膜在眼睛上面:刺激的影響致敏作用:沒有已知的敏化現(xiàn)象氧化鉿的安全操作的注意事項?品質(zhì)好的氧化鉿環(huán)境危害

中文名氧化鉿(IV)英文名Hafnium(IV)oxide中文別名氧化鉿(III)|二氧化鉿|氧化鉿物理性質(zhì)氧化鉿(HfO2)是白色晶體粉末。純氧化鉿以三種形式存在,一種是無定型狀態(tài),另外兩種為晶體。在<400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時,可以得到無定型氧化鉿。將其氧化鉿繼續(xù)加熱至450~480℃,開始轉(zhuǎn)化為單斜晶體,繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢,并轉(zhuǎn)化為4個氧化鉿分子的單體。當(dāng)1700~1865℃Chemicalbook時開始轉(zhuǎn)化為四方晶系。向氧化鉿中添加少量氧化鎂、氧化鈣、氧化錳等氧化鉿,在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶體。如向氧化鉿中加8%~20%氧化鈣,則晶格常數(shù)α相應(yīng)從0.5082nm增加至0.5098nm。若添加的量達(dá)到形成CaHfO3時,則晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為菱形晶系。單斜晶體氧化鉿的密度為9.68g/cm3,熔點3031K,沸點5673K。江蘇氧化鉿多少錢氧化鉿的CAS登錄號是多少?

二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物。作為一種介電材料,因其較高的介電常數(shù)值(~20),較大的禁帶寬度(~5.5eV),以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性,HfO2被認(rèn)為是替代場效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料。如果互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm,以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會帶來芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題,隨著晶體管的尺寸縮小,二氧化硅介質(zhì)要求必須越來越薄,但Chemicalbook是漏電流的數(shù)值會因為量子效應(yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高,所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì)。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2),以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。

氧化鉿用途與合成方法物理性質(zhì)氧化鉿(HfO2)是白色晶體粉末。純氧化鉿以三種形式存在,一種是無定型狀態(tài),另外兩種為晶體。在<400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時,可以得到無定型氧化鉿。將其氧化鉿繼續(xù)加熱至450~480℃,開始轉(zhuǎn)化為單斜晶體,繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢,并轉(zhuǎn)化為4個氧化鉿分子的單體。當(dāng)1700~Chemicalbook1865℃時開始轉(zhuǎn)化為四方晶系。向氧化鉿中添加少量氧化鎂、氧化鈣、氧化錳等氧化鉿,在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶體。如向氧化鉿中加8%~20%氧化鈣,則晶格常數(shù)α相應(yīng)從0.5082nm增加至0.5098nm。若添加的量達(dá)到形成CaHfO3時,則晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為菱形晶系。單斜晶體氧化鉿的密度為9.68g/cm3,熔點3031K,沸點5673K。氧化鉿結(jié)構(gòu)1氧化鉿的產(chǎn)品特性與用途?

物性數(shù)據(jù)1.性狀:白色粉末。2.密度(g/mL,25℃):9.683.相對蒸汽密度(g/mL,空氣=1):未確定4.熔點(oC):21825.沸點(oC,常壓):未確定6.沸點(oC,1mmHg):未確定7.折射率:未確定8.閃點(oC):未確定9.比旋光度(o):未確定10.自燃點或引燃溫度(oC):未確定11.蒸氣壓(20oC):未確定12.飽和蒸氣壓(kPa,60oC):未確定13.燃燒熱(KJ/mol):未確定14.臨界溫度(oC):未確定15.臨界壓力(KPa):未確定16.油水(辛醇/水)分配系數(shù)的對數(shù)值:未確定17.上限(%,V/V):未確定18.下限(%,V/V):未確定19.溶解性:未確定氧化鉿的運輸注意事項?內(nèi)蒙古氧化鉿供應(yīng)

氧化鉿的中文別稱有哪些?品質(zhì)好的氧化鉿環(huán)境危害

常用名氧化鉿英文名hafniumoxideCAS號12055-23-1分子量210.48900密度9.68沸點N/A分子式HfO2熔點2812oCMSDS閃點N/A。

氧化鉿用途用于光譜分析及催化劑體系,耐熔材料。儲存條件常溫密閉,陰涼通風(fēng)干燥穩(wěn)定性常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料酸計算化學(xué)1、氫鍵供體數(shù)量:12、氫鍵受體數(shù)量:23、可旋轉(zhuǎn)化學(xué)鍵數(shù)量:04、拓?fù)浞肿訕O性表面積(TPSA):34.15、重原子數(shù)量:36、表面電荷:07、復(fù)雜度:18.38、同位素原子數(shù)量:09、確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:010、不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:011、確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:012、不確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:013、共價鍵單元數(shù)量:1 品質(zhì)好的氧化鉿環(huán)境危害

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