產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物。作為一種介電材料，因其較高的介電常數(shù)值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認為是替代場效應晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料。如果互補金屬氧化物半導體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術會帶來芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來Chemicalbook越薄，但是漏電流的數(shù)值會因為量子效應的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì)。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領域被引起極度的關注，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結構的發(fā)展的尺寸極限問題。生產(chǎn)方法當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。氧化鉿的銷售價格是多少？有名的氧化鉿含量
化學性質(zhì)氧化鉿的化學性質(zhì)與氧化鋯相似，其活性與煅燒溫度有關，煅燒溫度越高，化學活性性越低。無定型氧化鉿容易溶解于酸中，但是結晶型氧化鉿即使是在熱鹽酸或者是硝酸中也不發(fā)生反應，而*溶于熱濃的氫氟酸和硫酸中。結晶型氧化鉿與堿和鹽酸溶后，則容易稀酸中。在1100℃下，氧化鉿與鉿酸鋰。在高Chemicalbook于1500℃氧化鉿與堿土金屬氧化鉿與二氧化硅等作用，生成鉿酸鹽和硅酸鉿。在1800℃以上與氧化硅組成一系列的固溶體。鉿鹽水解可以得到兩性的氫氧化鉿，氫氧化鉿在100℃下干燥能夠達到HfO(OH)2，再升高溫度即轉(zhuǎn)換為氧化鉿。在碳化過程中可有Hf2O3與HfO形成，但是對此研究較少。內(nèi)蒙古氧化鉿危險性概述氧化鉿薄膜的特性與應用？
產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物。作為一種介電材料，因其較高的介電常數(shù)值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認為是替代場效應晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料。如果互補金屬氧化物半導體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術會帶來芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來越薄，但是漏電流的數(shù)值會因為量子效Chemicalbook應的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì)。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領域被引起極度的關注，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結構的發(fā)展的尺寸極限問題。用途為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。
文名稱:氧化鉿中文同義詞:氧化鉿(III);Hafnium(IV)鎜xide(99.998%-Hf)PURATREM;氧化鉿(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZR<1.5%;氧化鉿;氧化鉿,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.5%;氧化鉿,SPECTROGRAPHICGRADE,99.9%(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<50PPM;氧化鉿(IV),99.995%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.2%;氧化鉿,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICChemicalbookALLY英文名稱:HAFNIUMOXIDE英文同義詞:HAFNIUMOXIDE,99.99%;HafniuM(IV)oxide,99.99%,(traceMetalbasis);dioxohafniuM;HafniuM(IV)oxide,(traceMetalbasis);Hafnium(IV)oxidepowder,98%;Hafniumoxide/99.999%;HAFNIUMOXIDE,99.8%;HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%CAS號:12055-23-1分子式:HfO2分子量:210.49EINECS號:235-013-2氧化鉿的毒理學數(shù)據(jù)？
氧化鉿又稱氧化鉿(IV)，它是一種無機化工產(chǎn)品，其分子式為HfO2，分子量為210.4888。存儲方法常溫密閉，陰涼通風干燥。合成方法當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。主要用途用于光譜分析及催化劑體系，耐熔材料。系統(tǒng)編號CAS號：12055-23-1MDL號：MFCD00003565EINECS號：235-013-2PubChem號：24873674，毒理學數(shù)據(jù)主要的刺激性影響：在皮膚上面：刺激皮膚和粘膜在眼睛上面：刺激的影響致敏作用：沒有已知的敏化現(xiàn)象氧化鉿的物理化學性質(zhì)？貴州氧化鉿危險說明
氧化鉿是指二氧化鉿嗎？有名的氧化鉿含量
氧化鉿物理化學性質(zhì)密度9.68熔點2812oC分子式HfO2分子量210.48900精確質(zhì)量211.93600PSA34.14000外觀性狀粉末折射率2.13(1700nm)儲存條件常溫密閉，陰涼通風干燥穩(wěn)定性常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料酸計算化學1、氫鍵供體數(shù)量：12、氫鍵受體數(shù)量：23、可旋轉(zhuǎn)化學鍵數(shù)量：04、拓撲分子極性表面積（TPSA）：34.15、重原子數(shù)量：36、表面電荷：07、復雜度：18.38、同位素原子數(shù)量：09、確定原子立構中心數(shù)量：010、不確定原子立構中心數(shù)量：011、確定化學鍵立構中心數(shù)量：012、不確定化學鍵立構中心數(shù)量：013、共價鍵單元數(shù)量：1。有名的氧化鉿含量