石墨烯/碳納米管復(fù)合基板量產(chǎn)！AI芯片散熱率突破500W/m

來源：發(fā)布時間：2025-07-04

蘇州納米所開發(fā)的石墨烯/碳納米管（G/CNT）復(fù)合基板已實現(xiàn)量產(chǎn)，熱導(dǎo)率達526W/mK，較傳統(tǒng)Al?O?基板（28W/mK）提升18倍。這一突破直接解決了AI芯片（如H100）因功耗超400W導(dǎo)致的熱密度過高問題，某頭部服務(wù)器廠商采用該基板后，數(shù)據(jù)中心PUE從1.58降至1.12。

一、材料革新：從“被動散熱”到“主動導(dǎo)熱”

復(fù)合基板的重要優(yōu)勢源于三維導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò)的構(gòu)建：

1. 納米級界面優(yōu)化：通過等離子體處理使G/CNT與環(huán)氧樹脂的界面熱阻降低70%，熱傳導(dǎo)路徑更順暢；

2.梯度結(jié)構(gòu)設(shè)計：基板表層CNT含量80%（高導(dǎo)熱），底層石墨烯含量60%（柔韌性），兼顧散熱與抗彎折需求；

3.金屬化工藝突破：采用磁控濺射技術(shù)在納米材料表面沉積5μm厚的銅層，附著力達5N/cm，滿足SMT焊接要求。

二、實測數(shù)據(jù)對比

在某AI訓(xùn)練服務(wù)器中，搭載G/CNT基板的GPU模塊：

指標(biāo)	傳統(tǒng)基板	復(fù)合基板	改善幅度
結(jié)溫	92℃	68℃	↓26.1%
頻率穩(wěn)定性	1.8GHz波動±5%	2.4GHz波動±1%	↑33.3%/波動 ↓80%
壽命	3萬小時	10萬小時	↑233%