從標準化到定制化:非標鋰電池自動化設備的發(fā)展路徑
鋰電池自動化設備生產(chǎn)線的發(fā)展趨勢與技術創(chuàng)新
鋰電池后段智能制造設備的環(huán)保與可持續(xù)發(fā)展
未來鋰電池產(chǎn)業(yè)的趨勢:非標鋰電池自動化設備的作用與影響
非標鋰電池自動化設備與標準設備的比較:哪個更適合您的業(yè)務
非標鋰電池自動化設備投資回報分析:特殊定制的成本效益
鋰電池處理設備生產(chǎn)線的維護與管理:保障長期穩(wěn)定運行
鋰電池處理設備生產(chǎn)線的市場前景:投資分析與預測
新能源鋰電設備的安全標準:保障生產(chǎn)安全的新要求
新能源鋰電設備自動化:提高生產(chǎn)效率與產(chǎn)品一致性
光電探測器必須和光信號的調制形式、信號頻率及波形相匹配,以保證得到?jīng)]有頻率失真的輸出波形和良好的時間響應。這種情況主要是選擇響應時間短或上限頻率高的器件,但在電路上也要注意匹配好動態(tài)參數(shù);光電探測器必須和輸入電路在電特性上良好地匹配,以保證有足夠大的轉換系數(shù)、線性范圍、信噪比及快速的動態(tài)響應等;為使器件能長期穩(wěn)定可靠地工作,必須注意選擇好器件的規(guī)格和使用的環(huán)境條件,并且要使器件在額定條件下才能使用。利用內光電效應制成的光子型探測器是用半導體材料制成的固態(tài)電子器件,包括光電導探測器和光伏型探測器等。廣東30G PIN光電探測器定做價格
器件靈敏度用一定偏壓下每流明輻照所產(chǎn)生的光電流的大小來表示。例如一種CdS光敏電阻,當偏壓為70伏時,暗電流為10-6~10-8安,光照靈敏度為3~10安/流明。CdSe光敏電阻的靈敏度一般比CdS高。光敏電阻另一個重要參數(shù)是時間常數(shù)τ,它表示器件對光照反應速度的大小。光照突然去除以后,光電流下降到最大值的1/e(約為37%)所需的時間為時間常數(shù)τ。也有按光電流下降到最大值的10%計算τ的;各種光敏電阻的時間常數(shù)差別很大。CdS的時間常數(shù)比較大(毫秒量級)。紅外波段的光電導探測器PbS、Hg1-xCdxTe的常用響應波段在1~3微米、3~5微米、8~14微米三個大氣透過窗口。由于它們的禁帶寬度很窄,因此在室溫下,熱激發(fā)足以使導帶中有大量的自由載流子,這就快速降低了對輻射的靈敏度。深圳相干接收機光電探測器哪里好光電探測器件的應用選擇,實際上是應用時的一些事項或要點。
數(shù)字相干接收技術使得光傳輸系統(tǒng)具有足夠的色散容限和偏振模容限,無需考慮線路傳輸上的色度色散和偏振模色散的影響,這給網(wǎng)絡建設和運維帶來一系列好處。工作原理在發(fā)送端,采用外調制方式將信號調制到光載波上進行傳輸。當信號光傳輸?shù)竭_接收端時,首先與─本振光信號進行相干耦合,然后由平衡接收機進行探測。相干光通信根據(jù)本振光頻率與信號光頻率不等或相等,可分為外差檢測和零差檢測。前者光信號經(jīng)光電轉換后獲得旳是中頻信號,還需二次解調才能被轉換成基帶信號。后者光信號經(jīng)光電轉換后被直接轉換成基帶信號,不用二次解調,但它要求本振光頻率與信號光頻率嚴格匹配,并且要求本振光與信號光旳相位鎖定。
當光線照在物體上,使物體的電導率發(fā)生變化,或產(chǎn)生光生電動勢的現(xiàn)象叫內光電效應。利用這種現(xiàn)象可以制成陰極射線管、光電倍增管和攝像管的光陰極等。半導體材料的價帶與導帶間有一個帶隙,其能量間隔為Eg。一般情況下,價帶中的電子不會自發(fā)地躍遷到導帶,所以半導體材料的導電性遠不如導體。但如果通過某種方式給價帶中的電子提供能量,就可以將其激發(fā)到導帶中,形成載流子,增加導電性。光照就是一種激勵方式。當入射光的能量hν≥Eg(Eg為帶隙間隔)時,價帶中的電子就會吸收光子的能量,躍遷到導帶,而在價帶中下一個空穴,形成一對可以導電的電子——空穴對。這里的電子并未逸出形成光電子,但顯然存在著由于光照而產(chǎn)生的電效應。因此,這種光電效應就是一種內光電效應。從理論和實驗結果分析,要使價帶中的電子躍遷到導帶,也存在一個入射光的極限能量,即Eλ=hν0=Eg,其中ν0是低頻限(即極限頻率ν0=Egh)。這個關系也可以用長波限表示,即λ0=hcEg。入射光的頻率大于ν0或波長小于λ0時,才會發(fā)生電子的帶間躍遷。當入射光能量較小,不能使電子由價帶躍遷到導帶時,有可能使電子吸收光能后,在一個能帶內的亞能級結構間躍遷??山邮盏墓夤β实拇笮∈怯商綔y器的暗電流決定的。
1873年,英國W.史密斯發(fā)現(xiàn)硒的光電導效應,但是這種效應長期處于探索研究階段,未獲實際應用。第二次世界大戰(zhàn)以后,隨著半導體的發(fā)展,各種新的光電導材料不斷出現(xiàn)。在可見光波段方面,到50年代中期,性能良好的硫化鎘、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測器都已投入使用。60年代初,中遠紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導探測器研制成功,典型的例子是工作在3~5微米和8~14微米波段的Ge:Au(鍺摻金)和Ge:Hg光電導探測器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進展。在60年代初以前還沒有研制出適用的窄禁帶寬度的半導體材料,因而人們利用非本征光電導效應。Ge、Si等材料的禁帶中存在各種深度的雜質能級,照射的光子能量只要等于或大于雜質能級的離化能,就能夠產(chǎn)生光生自由電子或自由空穴。非本征光電導體的響應長波限λ由下式求得λc=1.24/Ei式中Ei表示雜質能級的離化能。光電探測器必須和輸入電路在電特性上良好地匹配。飛博光電PIN光電探測器價格表格
根據(jù)器件對輻射響應的方式不同,光電探測器可分為兩大類:一類是光子探測器;另一類是熱探測器。廣東30G PIN光電探測器定做價格
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