難以實現(xiàn)起動方式的多樣化。三是液阻軟起動需要維護，液箱中水需要定期補充。電極板長期浸泡于電解液中，表面會有一定的銹蝕，需要作表面處理（大概2-3年一次）。四是液阻軟起動裝置不適合置放在易結(jié)水或顛簸的現(xiàn)場。近年有所謂的熱變液阻軟啟動裝置，通過液阻本身在軟起動過程中的溫升，借助電解液電導率與溫度的正相關(guān)性實現(xiàn)無極板伺服機構(gòu)的軟啟動。但是，其可行性大受質(zhì)疑；它的限流器件不具備限流能力易控性，裝置對使用環(huán)境溫度要求高，軟起動重復性差。二、磁控軟起動器磁控軟起動在起動開始時限流作用較強，在軟起動過程中逐漸減弱。電抗器在起動完成后被旁路。限流作用的強弱變化是通過控制直流勵磁電流、改變鐵心的飽和度實現(xiàn)的，所以叫做磁控軟起動。因為磁飽和電抗器的輸出功率比控制功率大幾十倍，它也可稱為“磁放大器”。由于它不具有零輸入對應零輸出的特點，所以，不建議采用“磁放大器”這一詞。磁飽和電抗器有三對交流繞組（每相一對）和三相共有的一個直流勵磁繞組。在交流繞組里流過的是電動機定子電流，它必然會在直流勵磁繞組上感應出電勢；后者會影響勵磁回路的運行。不是用一個，二是用一對交流繞組的主要原因就是為了抵消這種影響。顯然。正高電氣公司地理位置優(yōu)越，擁有完善的服務體系。濟南MTAC480晶閘管智能模塊批發(fā)

    由與非門的邏輯關(guān)系可知此時YFA3腳輸出為高電平，經(jīng)過YF2反相變?yōu)榈碗娖?，D1截止后級電路不動作。晚上光線暗RG阻值變大，YFA1腳電位升高，如果此時有聲音被MIC接收，經(jīng)C1耦合T1放大，在R3上形成音頻電壓，此電壓如高于1/2電源電壓，則YF13腳輸出低電平，經(jīng)YFB反相，4腳輸出的高電平經(jīng)D1向C2瞬間充電，使YFC輸入端接近電源電壓，10腳輸出低電平，由YFD反相緩沖后經(jīng)R6觸發(fā)可控硅導通，電燈正常點亮。（此時則由C3向電路供電）如此后無聲被MIC接收，則YFA輸出恢復為高電平，C2通過R5緩慢放電，當C2電壓下降到低于1/2電源電壓時（按圖中參數(shù)約一分鐘）YFC反轉(zhuǎn)、YFD反轉(zhuǎn)，可控硅（SCR）截止電燈關(guān)閉，等待下次觸發(fā)。元件選擇：MIC用駐極體話筒，RG用一般光敏電阻即可，YFA-YFD用一片低工S四與非門電路TC4011，T1用9014低頻管，放大倍數(shù)越大靈敏度越高，D1用IN4148，D2是，C2、C3用電解電容、SCR可選用MCR100-61A的單向可控硅，電阻均為1/8w炭膜電阻，阻值按圖。D4-D7用IN4007，反向漏電必須小。電燈的功率不能超過60W。聊城MTDC320晶閘管智能模塊廠家我公司生產(chǎn)的產(chǎn)品、設(shè)備用途非常多。

    可控硅與接觸器的選型可控硅投切開關(guān)與接觸器的選型無功補償中一個重要器件就是電容器投切開關(guān)。早期多采用的是接觸器，隨后呈現(xiàn)的是可控硅投切開關(guān)，希拓小編帶你了解下兩者如何選型。接觸器在投入過程中涌流大，嚴重時，會發(fā)作觸頭熔焊現(xiàn)象。即便是帶有抑止涌流安裝的電容器投切**接觸器，在無功負荷動搖大，電容器投切頻繁的狀況下，也存在運用壽命短，需求經(jīng)常停止檢修的問題。一般使用于負荷穩(wěn)定，投切次數(shù)較少的場合?？煽毓柰肚虚_關(guān)，具有零電壓投入、零電流切除，投切過程無涌流，對電網(wǎng)無沖擊，反響速度快等特性，會產(chǎn)生很高的溫升，需求運用**散熱器，來處理其通風散熱問題，一般應用于負荷急劇變化的需頻繁投切的場合。希拓電氣（常州）有限公司是專業(yè)的可控硅投切開關(guān)生產(chǎn)供應廠商，嚴格把控產(chǎn)品細節(jié)，努力為客戶提供完善的服務。我司**產(chǎn)品主要包含德國進口可控硅、可控硅觸發(fā)模塊（自主研發(fā)）、溫控開關(guān)、鋁合金散熱器、冷卻風機等，能實現(xiàn)可控硅的智能散熱及智能溫度保護的功能，可提高可控硅的運行穩(wěn)定性。

    直流電壓波形應該幾乎全放開（A≈0°），6個波頭都全在，若中頻電源為380V輸入，此時的直流電壓表應為指示在520V左右。再把面板上的“給定”電位器逆時針旋至**小，直流電壓波形幾乎全關(guān)閉，此時的α角約為120度。輸出直流波形在整個移相范圍內(nèi)應該是連續(xù)平滑的。若在調(diào)試中，發(fā)現(xiàn)不出來6個整流波頭，則應檢查6只整流晶閘管的序號是否接對，晶閘管的門級線是否接反或短路。在此過程調(diào)試中也檢查了面板上的“給定”電位器是否接反，接反了則會出現(xiàn)直流電壓幾乎為比較大，只有把“給定”電位器順時針旋到頭時，直流電壓才會減小的現(xiàn)象。在停電狀態(tài)下，把逆變橋接入，使逆變觸發(fā)脈沖投入，去掉整流橋口的電阻性負載。把電路板上的VF微調(diào)電位器W2順時針旋至比較**，（調(diào)試過程發(fā)生逆變過壓時，可以提供過壓保護）。主控板上的DIP-1開關(guān)撥在ON位置，面板上的“給定”電位器逆時旋至**小。上電數(shù)秒鐘后，把面板上的“給定”電位器順時針慢慢地旋大，這時逆變橋會出現(xiàn)兩種工作狀態(tài)，一種是逆變橋起振，另一種是逆變橋直通。此時需要的是逆變橋直通，若逆變橋為起振狀態(tài)，可在停電的狀態(tài)下，調(diào)節(jié)中頻電壓互感器的相位，即把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對調(diào)一下，就不會起振了。正高電氣不懈追求產(chǎn)品質(zhì)量，精益求精不斷升級。

晶閘管智能模塊的輸出特性

模塊的控制電壓與控制角α的關(guān)系因負載性質(zhì)和電路形式的不同而有所區(qū)別：

單相交流調(diào)壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～ 180°，控制電壓對應0.5V～9.5V。

單相整流調(diào)壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～180°，控制電壓對應0.5V～9.5V；感性負載時α范圍為0°～90°，控制電壓對應于5V～9.5V。

三相全控整流調(diào)壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～120°，控制電壓對應2V～8V；感性負載時α范圍為0°～90°，控制電壓對應于3.5V～8V。

三相半控整流調(diào)壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～180°，控制電壓對應0.5V～9.5V。

三相全控交流調(diào)壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～150°，控制電壓對應1.5V～9V。

三相半控交流調(diào)壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～210°，控制電壓對應0.5V～9.5V。

三相整流充放電模塊逆變放電時，α有效范圍為90°～180°，控制電壓對應0.5V～5V；整流充電時，α有效范圍為0°～90°，控制電壓對應5V～9.5V。

注：交流調(diào)壓模塊用于感性負載時α應大于負載阻抗角Ψ，即α≥Ψ；當α≤Ψ時，模塊已輸出較大電壓，且不再隨α的改變而變化。 正高電氣傾城服務，確保產(chǎn)品質(zhì)量無后顧之憂。濟南MTAC480晶閘管智能模塊批發(fā)

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    則要求比較大逆變換相引前角在42°左右，此時，中頻輸出電壓與直流電壓的比為。一般期望它盡可能的大些，這在系統(tǒng)輸入電壓偏低時，仍可保證中頻輸出電壓到額定值，當系統(tǒng)輸入電壓偏高時，由于有電壓調(diào)節(jié)器的作用，中頻輸出仍然不會出現(xiàn)過電壓。此項調(diào)試工作應在50%額定中頻輸出電壓下進行。注意，必須先調(diào)，再調(diào)，否則順序反了，會出現(xiàn)互相牽扯的問題。有時由于電壓表不準，給調(diào)試帶來錯誤的結(jié)論，所以應以示波器測得的引前角為準。調(diào)試中若出現(xiàn)逆變引前角過大的現(xiàn)象，應檢查槽路諧振頻率是否過低。（W2）在輕負荷的情況下整定額定輸出電壓，把主控板上的DIP開關(guān)均撥在OFF位置、W2微調(diào)電位器順時針旋至比較大，把面板上的“給定”電位器順針旋大，逆變橋工作。繼續(xù)把面板上的“給定”電位器順時針旋至比較大，此時輸出的中頻電壓接近額定值，逆時針調(diào)節(jié)W2微調(diào)電位器，使輸出的中頻電壓達到額定值。在這項調(diào)試中，可見到這樣的現(xiàn)象，即直流電壓升到比較大值后，中頻輸出電壓卻還能繼續(xù)隨“給定”電位器的旋大而上升。在整定額定輸出電壓時，應在直流電流低于額定電流的條件下進行，否則會由于電流限幅的作用，使中頻輸出電壓調(diào)不上去。至此，6只微調(diào)電位器全部調(diào)完。濟南MTAC480晶閘管智能模塊批發(fā)

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