正高可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有兩個陽極:一陽極A1(T1),二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。
只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時,方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時,單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止狀態(tài)。單向可控硅一旦截止,即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓,仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止狀態(tài)相當于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài),用它可制成無觸點開關(guān)。 淄博正高電氣有限公司深受各界客戶好評及厚愛。浙江反并聯(lián)可控硅模塊
正高可控硅擁有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝;結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,裝置的機械設(shè)計可以簡化,價格比分立器件低等諸多優(yōu)點,受到了眾多客戶的喜愛和歡迎。目前,正高可控硅以其穩(wěn)定的性能等特點,應(yīng)用于各行業(yè),暢銷省內(nèi)外地區(qū)。
可控硅模塊的分類
可控硅模板從X芯片上看,可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機專用模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。 浙江反并聯(lián)可控硅模塊誠信是企業(yè)生存和發(fā)展的根本。
可控硅模塊的作用和優(yōu)勢大家都知道,它的應(yīng)用范圍是非常廣的,在不同設(shè)備上的使用方法也是不一樣的,那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢?下面正高來講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法。
在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,VS仍然不能導(dǎo)通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時,可控硅模塊被觸發(fā)導(dǎo)通。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早,可控硅模塊導(dǎo)通的時間就早;Ug到來得晚,可控硅模塊導(dǎo)通的時間就晚。
可控硅元件在電氣設(shè)備中發(fā)揮重大作用,但可控硅使用中必須要注意運行環(huán)境和相關(guān)指標,防止可控硅損壞而影響到設(shè)備的正常使用。對此,在選用可控硅的額定電壓時,應(yīng)參考實際工作條件下的峰值電壓的大小,并留出一定的余量。
1、選用可控硅的額定電流時,除了考慮通過元件的平均電流外,還應(yīng)注意正常工作時導(dǎo)通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。
2、使用可控硅之前,應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時,應(yīng)立即更換。
3、嚴禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。
4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器,并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好,它們之間應(yīng)涂上一薄層有機硅油或硅脂,以幫于良好的散熱。
5、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護裝置。
6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿。
淄博正高電氣有限公司推行現(xiàn)代化管理制度。過電壓會對可控硅模塊造成損壞,如果要想保護可控硅不受其損壞,就要了解過電壓的產(chǎn)生原因,從而去避免防止受損,下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞?以及過電壓產(chǎn)生的原因。
可控硅模塊對過電壓非常敏感,當正向電壓超過udrm值時,可控硅會誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障;當施加的反向電壓超過urrm值時,可控硅模塊會立即損壞。因此,需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法。
過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲能的急劇變化,使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚,或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn),由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型,如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰,對可控硅模塊非常危險。
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雙向可控硅的檢測
用萬用表電阻R×1檔,用紅黑兩表筆分別測任意兩引腳正反向電阻,結(jié)果其中兩組讀數(shù)為無窮大。若一組為數(shù)十歐姆時,該組紅黑表筆所接的兩引腳為陽極A1和控制極G,另一空腳即為第二陽極A2。確定A、G極后,再仔細測量A1、G極間正反向電阻,讀數(shù)相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為陽極A1,紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定了的第二陽極A2,紅表筆接陽極A1,此時萬用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn),阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接,給G極加上正向觸發(fā)電壓,A2、A1間阻值約為10歐姆左右。隨后斷開A2、G極短接線,萬用表讀數(shù)應(yīng)保持10歐姆左右?;Q紅黑表筆接線,紅表筆接第二陽極A2,黑表筆接陽極A1。同樣萬用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn),阻值為無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接,給G極加上負向的觸發(fā)電壓,A1、A2間阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G極間短接線,萬用表讀數(shù)應(yīng)不變,保持10歐姆左右。符合以上規(guī)律,說明被測雙向可控硅管未損壞且三個引腳極性判斷正確。
檢測較大功率可控硅管是地,需要在萬用表黑筆中串接一節(jié)1.5V干電池,以提高觸發(fā)電壓。 浙江反并聯(lián)可控硅模塊
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