近年來，半導(dǎo)體公司面臨更復(fù)雜的高集成度芯片封裝的挑戰(zhàn)，消費(fèi)者希望他們的電子產(chǎn)品體積更小，性能參數(shù)更高，功耗更低，并將更多功能集成到單部設(shè)備中。半導(dǎo)體封裝工藝的提升，對(duì)于解決這些挑戰(zhàn)具有重要意義。當(dāng)前和未來的芯片封裝工藝，對(duì)于提高系統(tǒng)性能，增加使用功能，降低系統(tǒng)功耗、縮小外形尺寸的要求，需要一種被稱為系統(tǒng)集成的先進(jìn)封裝方法。模塊劃分是指從電子設(shè)備中分離出一塊功能，既便于后續(xù)的整機(jī)集成又便于SiP封裝。SiP工藝技術(shù)難點(diǎn)：清洗，定制清洗設(shè)備、清洗溶液要求、清洗參數(shù)驗(yàn)證、清洗標(biāo)準(zhǔn)制定；植球，植球設(shè)備選擇、植球球徑大小、球體共面性檢查、BGA測(cè)試、助焊劑殘留要求等；基板，陶瓷基板的設(shè)計(jì)及驗(yàn)證難度高，工藝難度高，加工成本高；有機(jī)基板的導(dǎo)熱性差，容易導(dǎo)致IC焊接處電氣鏈接失效。SiP系統(tǒng)級(jí)封裝以其更小、薄、輕和更多功能的競(jìng)爭(zhēng)力，為芯片和器件整合提供了新的可能性。廣東WLCSP封裝工藝

3D SIP。3D封裝和2.5D封裝的主要區(qū)別在于：2.5D封裝是在Interposer上進(jìn)行布線和打孔，而3D封裝是直接在芯片上打孔和布線，電氣連接上下層芯片。3D集成目前在很大程度上特指通過3D TSV的集成。物理結(jié)構(gòu)：所有芯片及無源器件都位于XY平面之上且芯片相互疊合，XY平面之上設(shè)有貫穿芯片的TSV，XY平面之下設(shè)有基板布線及過孔。電氣連接：芯片采用TSV與RDL直接電連接。3D集成多適用于同類型芯片堆疊，將若干同類型芯片豎直疊放，并由貫穿芯片疊放的TSV相互連接而成，見下圖。類似的芯片集成多用于存儲(chǔ)器集成，如DRAM Stack和FLASH Stack。廣西MEMS封裝廠家系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）技術(shù)是通過將多個(gè)裸片（Die）及無源器件整合在單個(gè)封裝體內(nèi)的集成電路封裝技術(shù)。

在當(dāng)前時(shí)代，Sip系統(tǒng)級(jí)封裝（System-in-Package）技術(shù)嶄露頭角，通過將多個(gè)裸片（Die）和無源器件融合在單個(gè)封裝體內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了集成電路封裝的創(chuàng)新突破。這項(xiàng)技術(shù)為芯片成品增加了明顯的集成度，有效減小產(chǎn)品體積，并在降低功耗方面取得了一定的成果。具體而言，SiP系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)將處理芯片、存儲(chǔ)芯片、被動(dòng)元件、連接器、天線等多功能器件整合在同一基板上，通過精密的鍵合和封裝過程，創(chuàng)造了一個(gè)外觀類似單一芯片的模塊。盡管仍呈現(xiàn)芯片狀，但這一模塊實(shí)現(xiàn)了多顆芯片協(xié)同工作的強(qiáng)大功能。

突破「微小化」競(jìng)爭(zhēng)格局，憑借異質(zhì)整合微小化優(yōu)勢(shì)，系統(tǒng)級(jí)封裝能集成不同制程技術(shù)節(jié)點(diǎn) (technology node)，不同功能、不同供貨商，甚至是不同半導(dǎo)體原材料的組件，整體可為產(chǎn)品節(jié)省約30-40%的空間，也能依據(jù)需求客制模塊外型并一定程度簡(jiǎn)化系統(tǒng)主板設(shè)計(jì)，讓主板、天線及機(jī)構(gòu)的設(shè)計(jì)整合上更加有彈性。同時(shí)，相較于IC制程的開發(fā)限制，系統(tǒng)整合模塊可以在系統(tǒng)等級(jí)功能就先進(jìn)行驗(yàn)證與認(rèn)證，加速終端產(chǎn)品開發(fā)，集中系統(tǒng)產(chǎn)品研發(fā)資源。 SiP技術(shù)是全球封測(cè)業(yè)者較看重的焦點(diǎn)，系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù)的突破正在影響產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈、改變競(jìng)爭(zhēng)格局。云茂電子從Wi-Fi模塊產(chǎn)品就開始進(jìn)行布局、站穩(wěn)腳步，積累多年在射頻、穿戴式裝置等產(chǎn)品的豐富制程經(jīng)驗(yàn)，透過「一站式系統(tǒng)級(jí)封裝服務(wù)」協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)構(gòu)想。 SiP封裝基板半導(dǎo)體芯片封裝基板是封裝測(cè)試環(huán)境的關(guān)鍵載體。

SIP工藝解析：表面打標(biāo)，打標(biāo)就是在封裝模塊的頂表面印上去不掉的、字跡清楚的字母和標(biāo)識(shí)，包括制造商的信息、國家、器件代碼等，主要介紹激光印碼。測(cè)試，它利用測(cè)試設(shè)備(Testing Equipment)以及自動(dòng)分選器(Handler)，測(cè)定封裝IC的電氣特性，把良品、不良品區(qū)分開來;對(duì)某些產(chǎn)品，還要根據(jù)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行良品的分級(jí)。測(cè)試按功能可分為DC測(cè)試(直流特性)、AC測(cè)試(交流特性或timing特性)及FT測(cè)試(邏輯功能測(cè)試)三大類。同時(shí)還有一些輔助工序，如BT老化、插入、拔出、實(shí)裝測(cè)試、電容充放電測(cè)試等。SiP (System in Package, 系統(tǒng)級(jí)封裝）主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、無線通信、汽車電子等領(lǐng)域。河南陶瓷封裝測(cè)試

SiP 封裝技術(shù)采取多種裸芯片或模塊進(jìn)行排列組裝。廣東WLCSP封裝工藝

異形元件處理，Socket / 層疊型等異形元件，因便攜式產(chǎn)品的不斷發(fā)展，功能集成越來越多，勢(shì)必要求在原SIP工藝基礎(chǔ)上，增加更多功能模塊，傳統(tǒng)的電容電阻已無法滿足多功能集成化要求，因此需要引入異形元件進(jìn)行擴(kuò)展，因此如何在精密化的集成基板上，進(jìn)行異形元件的貼裝，給工藝帶來不小挑戰(zhàn)，這就要求設(shè)備精度高，穩(wěn)定性好，處理更智能化方可滿足。成本，前期投入大，回報(bào)周期長，工藝復(fù)雜，人工成本高，產(chǎn)品良率低，耗損大。需要大型，穩(wěn)定，利潤率較大的項(xiàng)目方能支撐SIP技術(shù)的持續(xù)運(yùn)行。廣東WLCSP封裝工藝

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