深圳市盟科電子科技有限公司2025-07-22

可控硅的浪涌承受能力是其重要的性能指標，指的是在短時間內(nèi)能夠承受的超過額定電流的浪涌電流或超過額定電壓的浪涌電壓的能力，這一能力直接影響其在存在瞬態(tài)干擾電路中的可靠性。在電流浪涌方面，可控硅通常能承受數(shù)倍于額定電流的浪涌電流，持續(xù)時間從幾微秒到幾十毫秒不等，具體數(shù)值因型號而異，小功率可控硅可能承受額定電流 5-10 倍的浪涌電流，持續(xù) 10-20 毫秒，而大功率可控硅可承受額定電流 10-20 倍的浪涌電流，持續(xù)時間更長。在電壓浪涌方面，可控硅的反向耐壓和正向轉(zhuǎn)折電壓決定了其承受電壓浪涌的能力，一般能承受超過額定反向耐壓一定比例的瞬時反向浪涌電壓，但若浪涌電壓超過正向轉(zhuǎn)折電壓，會導致可控硅誤導通，可能引發(fā)電路故障。為提高可控硅的浪涌承受能力，在電路設計中可采取一些保護措施，如并聯(lián)壓敏電阻吸收電壓浪涌，串聯(lián)限流電阻或電感抑制電流浪涌，這些措施能有效降低浪涌對可控硅的沖擊。在實際應用中，需根據(jù)電路中可能出現(xiàn)的浪涌情況選擇合適浪涌承受能力的可控硅，確保其在遭受正常浪涌沖擊時不會損壞，保證照明、電機控制等設備的穩(wěn)定運行。?

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