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MOSFET體二極管的反向恢復時間指什么？

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深圳市芯技科技有限公司2025-06-24

定義：反向偏置時存儲電荷耗盡時間，標準測試條件IF→IR/dI/dt=100A/μs

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簡介：深圳市芯技科技有限公司專注于保護器件、MOSFET和二三極管等產(chǎn)品，廣泛應用于消費電子等多個領域。
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    深圳市芯技科技有限公司 2025-06-25

    損耗關(guān)聯(lián)：Prr∝Qrr×VRRM×f，芯技Si MOSFET trr<100ns（競品>150ns）

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    深圳市芯技科技有限公司 2025-06-28

    同步整流限制：trr決定死區(qū)時間下限，芯技低Qrr設計支持tdead=50ns

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聯(lián)系人： 黃總

手   機： 18200846735

網(wǎng)   址： http://xjkj666.shop.88360.com

地   址：
廣東省深圳市光明區(qū)深圳市光明區(qū)鳳凰街道鳳凰社區(qū)觀光路2533號A1棟504
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