摻鈰鋁酸釔(Ce: YAP)和釔鋁石榴石(Ce: YAG)高溫閃爍晶體不jin具有高光輸出和快速衰減的閃爍特性(表1-5)，而且具有優(yōu)異的物理化學(xué)性能(表1-6)。它們具有密度低、有效原子序數(shù)小的缺點(diǎn)，但可以廣泛應(yīng)用于中低能射線和粒子探測領(lǐng)域。Ce: YAP和Ce: YAG是兩種典型的高光輸出、快速衰減的高溫?zé)o機(jī)閃爍晶體，已經(jīng)在許多場合得到應(yīng)用。對(duì)它們的生長特性、晶體缺陷和光學(xué)閃爍性能的研究，對(duì)其他鈰離子摻雜的高溫閃爍晶體的研究和探索具有重要的參考意義。為了提高Ce: YAP晶體的閃爍性能，特別是發(fā)光強(qiáng)度，有必要深入分析晶體的自吸收機(jī)制，減小自吸收。安徽大尺寸CeYAP晶體定制

Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體的區(qū)別？無機(jī)閃爍晶體的閃爍機(jī)理，閃爍體的本質(zhì)是在盡可能短的時(shí)間內(nèi)將高能射線或粒子轉(zhuǎn)化為可探測的可見光。高能射線與無機(jī)閃爍晶體的相互作用一般有三種方式：光電效應(yīng)、康普頓散射和正負(fù)電子對(duì)。在光電效應(yīng)中，一個(gè)離子吸收光子后，會(huì)從它的一個(gè)殼層發(fā)射光電子。光電子能量是光子能量和電子結(jié)合能之差。當(dāng)殼層中的空位被較高能量的電子填滿時(shí)，結(jié)合能將以X射線或俄電子的形式釋放出來。產(chǎn)生的X射線將在二次光電過程中被吸收，入射光的所有能量將被閃爍體吸收。 過渡金屬摻雜對(duì)YAP晶體透過邊有哪些影響？山東雙摻CeYAP晶體出廠價(jià)CeYAP作為閃爍晶體，用水平區(qū)熔法生長了CeYAP閃爍晶體。

品質(zhì)優(yōu)的CeYAP晶體注意事項(xiàng)：研究了Ce:YAP晶體的自吸收機(jī)制。在實(shí)際應(yīng)用中，國產(chǎn)Ce: YAP晶體存在嚴(yán)重的自吸收問題，直接影響晶體的發(fā)光效率。比較了鈰離子濃度、退火、輻照和雜質(zhì)對(duì)鈰： YAP晶體自吸收的影響。通過分析Ce: YAP晶體的自吸收機(jī)制，發(fā)現(xiàn)在YAP中存在一個(gè)Ce4離子的寬帶電荷轉(zhuǎn)移吸收峰，其半峰全寬接近100納米。結(jié)果表明，還原Ce4離子可以被Ce: YAP晶體的自吸收，Ce4離子可以明顯猝滅Ce3離子的發(fā)光。作為未摻雜晶體的ceF3具有本征發(fā)光，而另一方面，以Ce為基質(zhì)的晶體和以Ce為摻雜劑的晶體表現(xiàn)出與Ce3相同的5d4f躍遷發(fā)光。無機(jī)閃爍體中主要電子躍遷和發(fā)光中心的分類。

為了了解過渡金屬摻雜對(duì)Ce: YAP自吸收可能產(chǎn)生的影響，我們對(duì)比了Cu(0.5%), Fe(0.5%)，Mn(0.5%) 等過渡金屬摻雜的純YAP晶體的透過譜。由此可見，Mn摻雜YAP在480nm處有明顯吸收峰，Cu 摻雜則在370nm左右存在吸收峰，F(xiàn)e摻雜YAP并將在下節(jié)討論。我們生長的Ce: YAP 在350nm到500nm范圍內(nèi)不存在額外吸收峰，少量過渡金屬離子的存在對(duì)吸收只會(huì)造成線性疊加影響, 且低濃度吸收并不足以造成Ce: YAP晶體的自吸收，因此過渡金屬離子污染造成Ce: YAP吸收帶紅移可能性不大。CeYAP高溫閃爍晶體具有優(yōu)異的閃爍性能和獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)。

Ce: YAG 閃爍晶體的生長參數(shù)：根據(jù)Ir坩堝的尺寸以及熱場條件，通過觀察YAP熔體對(duì)流狀態(tài)，本論文選擇晶體轉(zhuǎn)速為10-20RPM；考慮到Ce離子在YAP晶體中的分凝系數(shù)較大（約為0.5）和晶體的尺寸（Φ55mm），實(shí)驗(yàn)中選用了1-2mm/h的提拉速度。生長流程：裝爐→抽真空→充氣→升溫化料→烤晶種→下種→縮頸→生長→提拉→降溫→取出晶體進(jìn)行退火。在裝爐時(shí)，為了保證爐體內(nèi)徑向溫度軸對(duì)稱分布，線圈中心、石英管中心、坩堝中心及籽晶中心應(yīng)該保持一致。研究表明，Ce4離子對(duì)Ce3離子發(fā)光有猝滅作用。安徽大尺寸CeYAP晶體定制

無機(jī)閃爍晶體的閃爍機(jī)理閃爍體的本質(zhì)是在盡可能短的時(shí)間內(nèi)把高能射線或者粒子轉(zhuǎn)化成可探測的可見光。安徽大尺寸CeYAP晶體定制

據(jù)報(bào)道，F(xiàn)e3和Fe2離子分別在260納米和227納米附近有吸收[98，99]，純YAP在260納米附近也有吸收。為了了解255納米附近的吸收峰特性，我們生長并研究了純YAP晶體和濃度為0.2%的YAP:鐵。通過透射率的比較，我們粗略分析了純YAP和YAP: Fe晶體中可能的色心及其對(duì)ce3360ap自吸收的影響。 Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體的區(qū)別？Ce:YAP晶體在弱還原氣氛中生長，發(fā)現(xiàn)晶體的自吸收被有效壓制。與在惰性氣氛中生長的樣品相比，厚度為2mm的樣品的透射邊緣移動(dòng)了近30納米，發(fā)光強(qiáng)度提高了50%以上。同時(shí)，研究了還原氣氛生長對(duì)Ce: YAP晶體其他閃爍性能的影響。安徽大尺寸CeYAP晶體定制

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