深剖Ce；YAG晶體，隸屬于無(wú)機(jī)閃爍晶體。無(wú)機(jī)閃爍晶體發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射過(guò)程包括從熱化電子-空穴對(duì)到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移和發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射。電子空穴對(duì)的能量轉(zhuǎn)移效率取決于電子空穴相對(duì)發(fā)光中心的空間分布。如果電子空穴靠近發(fā)光中心，其能量轉(zhuǎn)移效率高；相反，能量傳遞效率低。這種情況下，電子和空穴往往被晶體中的雜質(zhì)或晶格缺陷俘獲，形成各種F-H色心對(duì)。同時(shí)，電子-空穴對(duì)在與晶格相互作用時(shí)也會(huì)產(chǎn)生自陷，比如離子閃爍晶體中經(jīng)常出現(xiàn)的Vk中心，這個(gè)Vk中心在本征離子閃爍晶體的發(fā)光機(jī)制中起著重要作用。Ce:YAG閃爍晶體響應(yīng)小，光衰減快。上海雙折射CeYAG晶體制造

一種藍(lán)光半導(dǎo)體激光器激發(fā)CeYAG晶體的激光照明系統(tǒng)，包括藍(lán)光半導(dǎo)體激光器，光學(xué)耦合透鏡組，光纖，CeYAG晶體模塊，光學(xué)透鏡組，上述元件依次排列于同一光路上.其中N個(gè)(N≥1)藍(lán)光半導(dǎo)體激光器經(jīng)過(guò)光學(xué)耦合透鏡組的準(zhǔn)直和聚焦，耦合進(jìn)光纖，多根光纖可以進(jìn)行捆綁合束，也可以進(jìn)行熔融拉錐合束，從光纖出來(lái)的藍(lán)光半導(dǎo)體激光激發(fā)具有高激光損傷閾值的CeYAG晶體模塊，產(chǎn)生490～700nm波段的熒光(即受激發(fā)熒光)，并通過(guò)對(duì)CeYAG晶體模塊的光學(xué)設(shè)計(jì)達(dá)到對(duì)透射的藍(lán)色激光和受激發(fā)熒光的勻化，光學(xué)透鏡組對(duì)CeYAG晶體模塊勻化后的光線(xiàn)進(jìn)行配光曲線(xiàn)的調(diào)節(jié)，從而產(chǎn)生用于照明領(lǐng)域的均勻白光。吉林品質(zhì)CeYAG晶體批發(fā)廠家Ce:YAG晶體的發(fā)射峰的中心波長(zhǎng)約為550nm嗎？

CeYAG晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能，采用溫梯法生長(zhǎng)了CeYAG晶體和真空燒結(jié)法制備了CeYAG透明陶瓷，并對(duì)晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能進(jìn)行了對(duì)比研究.CeYAG晶體和陶瓷都具有位于230，340和460nm波段的Ce3+離子的特征吸收帶和540nm附近的發(fā)射峰，但CeYAG晶體同時(shí)存在296和370nm的色心吸收，其發(fā)射峰位于398nm，而透明陶瓷中不存在.CeYAG晶體和陶瓷的X射線(xiàn)熒光中均存在520nm附近的Ce3+離子發(fā)射，但晶體中還存在由反格位缺陷引起的300nm的發(fā)射.CeYAG晶體和陶瓷的光產(chǎn)額分別為16800和9800photons/MeV，納秒燈激發(fā)下的熒光壽命分別為61.9和62.97ns.CeYAG晶體與陶瓷相比，具有高的光產(chǎn)額和快的熒光衰減特性。

Ce:YAG無(wú)機(jī)閃爍晶體的性能表征有哪些？顯然，以NaI:Tl和BGO為表示的傳統(tǒng)無(wú)機(jī)閃爍晶體已經(jīng)不能滿(mǎn)足閃爍晶體在許多應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ω吖廨敵龅目焖偎p要求(前一節(jié)1.2.1.1描述的三個(gè)要求)。而且，隨著閃爍探測(cè)器技術(shù)的快速發(fā)展，傳統(tǒng)無(wú)機(jī)閃爍晶體的局限性將日益突出。另一方面，市場(chǎng)對(duì)高光輸出快速衰減的新型無(wú)機(jī)閃爍晶體的需求將變得日益迫切。例如，為了提高PET探測(cè)器的時(shí)空分辨率，新一代PET探測(cè)器往往要求無(wú)機(jī)閃爍晶體具有更大的光輸出、更快的衰減常數(shù)(小于100ns)和更高的密度(大于7g/cm3) [41]。從宏觀上看，直拉法可以生長(zhǎng)出完整透明的Ce:YAG閃爍晶體。

CeYAG晶體的良好的溫度機(jī)械性能有利于制備出低于0.005mm厚度的超薄成像屏。在電子或者離子轟擊下CeYAG晶體不產(chǎn)生損傷，適合應(yīng)用于高電流環(huán)境。CeYAG晶體的發(fā)光峰位置位于560nm左右，很適合使用S20光電倍增管進(jìn)行發(fā)射探測(cè)。在5KV之內(nèi)以及超過(guò)100KV的更高加速電壓下，CeYAG晶體具有更好的響應(yīng)，在該環(huán)境下粉末閃爍體性能開(kāi)始下降，而CeYAG晶體的相應(yīng)仍然保持線(xiàn)性增加。盡管CeYAG晶體的信號(hào)比P47弱，但是信噪比高，終端信號(hào)更好。CeYAG晶體的衰減時(shí)間為60ns。使用中為了避免光敏感，通常需要鍍50nm的鋁膜。CeYAG晶體，提拉法和溫梯法生長(zhǎng)，直徑110mm，厚度0.15-150mm。CeYAG晶體的良好的溫度機(jī)械性能有利于制備出低于0.005mm厚度的超薄成像屏。湖南進(jìn)口CeYAG晶體廠家直銷(xiāo)

Ce:YAG閃爍晶體具有比較大光輸出。上海雙折射CeYAG晶體制造

CeYAG晶體色心和缺陷的伽馬射線(xiàn)輻照研究，利用伽瑪射線(xiàn)研究了Ce3+:Y3AlO12晶體的輻照色心缺陷，比較了采用提拉法和溫梯法生長(zhǎng)的Ce3+Y0Al5O12晶體中產(chǎn)生的不同色心缺陷，并利用吸收光譜，激發(fā)發(fā)射光譜和退火等方法分析了晶體中235nm和370nm色心吸收帶的形成原因，指出晶體中的235nm吸收帶由F+色心引起.進(jìn)一步分析了YAG晶體的輻照，證實(shí)了370nm色心的來(lái)源，表明370nm吸收帶與F-類(lèi)色心相關(guān)。一直到1992年，Ce:YAG晶體才被提出用作閃爍材料而引起人們的興趣。接著，Moszynski和Ludziejewski等人分別于1994年和1997年對(duì)Ce:YAG晶體的閃爍性能進(jìn)行了較為系統(tǒng)的研究，并指出Ce:YAG晶體具有優(yōu)良的閃爍性能。 上海雙折射CeYAG晶體制造

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