CeYAG單晶在340nm和460nm處有明顯的吸收峰，這是Ce3+的特征吸收峰。目前商用白光LED中使用的藍(lán)光芯片的發(fā)射波長為460nm。中心波長460nm的CeYAG單晶的寬吸收帶表明，它能有效地吸收藍(lán)晶片發(fā)出的藍(lán)光，將藍(lán)晶片發(fā)出的藍(lán)光和CeYAG晶片發(fā)出的黃光疊加成白光。此外，CeYAG單晶具有良好的熱穩(wěn)定性，這對大功率白光LED器件的制造尤為重要。隨著CeYAG晶片厚度的增加，藍(lán)晶片和CeYAG晶片封裝的白光LED器件的光效率逐漸提高，色溫和顯色指數(shù)逐漸降低，隨著晶片厚度的增加，Ce3+的含量相對增加。吸收的藍(lán)光越多，發(fā)出的黃光越多，導(dǎo)致晶圓的發(fā)光從藍(lán)色變成白色變成黃色。閃爍晶體是指高能粒子的撞擊下，能將高能粒子的動能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽芏l(fā)出閃光的晶體。安徽CeYAG晶體材料

當(dāng)光線與閃爍晶體相互作用時(shí)，晶體中電子空穴對Neh的數(shù)量直接影響晶體的光輸出。假設(shè)電子空穴對轉(zhuǎn)化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率有關(guān))，可以得出：無機(jī)閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(，Eg)、電子空穴向發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率()有關(guān)。NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約48，000 ph/mev)。將其他無機(jī)閃爍晶體的光輸出與NaI:Tl晶體的光輸出進(jìn)行比較得到的相對值(%NaI(Tl))稱為“相對光輸出”。相對光輸出通常用于表征無機(jī)閃爍晶體的光輸出。吉林CeYAG晶體批發(fā)經(jīng)過半個多世紀(jì)的發(fā)展，無機(jī)閃爍晶體不但發(fā)現(xiàn)了性能優(yōu)異的閃爍晶體。

無機(jī)閃爍晶體的主要應(yīng)用，與塑料聚合物、液體、液晶和熒光粉等普通閃爍材料相比，無機(jī)閃爍晶體具有密度高、體積小、物理化學(xué)性質(zhì)和閃爍性能優(yōu)異等突出特點(diǎn)、可用于高能物理和核物理實(shí)驗(yàn)、核醫(yī)學(xué)成像(XCT和正電子發(fā)射斷層掃描)、工業(yè)CT的在線檢測、油井勘探、安全檢查和反恐斗爭，此外，無機(jī)閃爍晶體在核天文學(xué)、核空間物理學(xué)、核考古學(xué)、核地質(zhì)學(xué)和核測量方面具有巨大的潛在應(yīng)用價(jià)值。這些領(lǐng)域會越來越受到人們的重視。而且隨著核技術(shù)向各個行業(yè)的滲透和其他技術(shù)的快速發(fā)展，將會給無機(jī)閃爍晶體的研發(fā)帶來更多的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。

Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力，能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可在極端條件下應(yīng)用。因此，用Ce:YAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測器可普遍應(yīng)用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測等核物理實(shí)驗(yàn)。此外，Ce:YAG單片機(jī)還可以作為掃描電子顯微鏡的顯示元件，在大規(guī)模集成電路的檢測中有著重要而普遍的應(yīng)用。另外，與CsI:Tl閃爍晶體相比，Ce:YAG閃爍晶體響應(yīng)小，光衰減快，在小于500Kev的能量范圍內(nèi)不潮解，有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。表1-11比較了Ce3360 YAG和CsI:Tl閃爍晶體的主要閃爍特性。CeYAG閃爍晶體的高分辨X光探測器，實(shí)現(xiàn)X光輻照條件下高分辨成像。

鈰離子摻雜的高溫閃爍晶體具有高光輸出快衰減等閃爍特征，是今后無機(jī)閃爍晶體的一個重要發(fā)展方向。目前我國對閃爍晶體的研究主要集中在低熔點(diǎn)的閃爍晶體上，而且中科院上海硅酸鹽研究所和北京玻璃研究所等單位在BGO，PWO，CsI:Tl，BaF2等晶體的研究和開發(fā)上在國際上占有一席之地，為發(fā)展我國的無機(jī)閃爍晶體產(chǎn)業(yè)作了大量的工作。但是，對于具有廣泛應(yīng)用前景的高光輸出快衰減高溫?zé)o機(jī)閃爍晶體的研究，在國內(nèi)尚不成氣候，同時(shí)也未見詳細(xì)的報(bào)道。Ce:YAG屬于無機(jī)閃爍體。安徽CeYAG晶體材料

通常應(yīng)用的閃爍晶體材料都是用人工方法培育出來的。安徽CeYAG晶體材料

根據(jù)出現(xiàn)的順序，無機(jī)閃爍晶體的閃爍機(jī)制可分為以下五個階段：1.電離輻射的吸收和初級電子和空穴的產(chǎn)生；2.一次電子和空穴的弛豫，即產(chǎn)生大量的二次電子、空穴、光子、激子等電子激發(fā)；3.低能二次電子和空穴的弛豫(熱化)，即形成能約為能隙寬度Eg的熱化電子-空穴對；4.電子和空穴向發(fā)光中心的熱傳遞和發(fā)光中心的激發(fā)；5.激發(fā)態(tài)的發(fā)光中心發(fā)出紫外或可見熒光，即閃爍光。為了研究方便，人們往往將上述五個閃爍步驟分為兩部分：(1)電子-空穴對的產(chǎn)生(**個階段)和(2)發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射(后兩個階段)。安徽CeYAG晶體材料

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