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有人計(jì)算過YAP晶體的能帶結(jié)構(gòu)[77,78]。結(jié)果表明,該氧化物晶體的價(jià)帶頂端由未結(jié)合的O2-離子組成,而價(jià)帶he心主要由O2-離子的2S能級(jí)和Y3離子的4P能級(jí)的混合物組成。導(dǎo)帶底部主要由Y3離子的4d和5S軌道組成,而Al3的3d能級(jí)在導(dǎo)帶中占據(jù)較高的能級(jí)位置。YAP晶體的禁帶寬度為7.9 eV,主要由Y-O相互作用決定,而不是Al-O相互作用。文獻(xiàn)[26]中也報(bào)道了YAP晶體的帶隙為8.02 eV。由于YAP晶體結(jié)構(gòu)的各向異性,很難獲得高質(zhì)量的晶體,但由于其廣闊的應(yīng)用前景,人們對(duì)YAP晶體的生長(zhǎng)過程做了大量的探索和研究。Ce:YAP晶體的吸收光譜和熒光光譜受不同的生長(zhǎng)方法和不同的后熱處理工藝的影響很大。山東專業(yè)CeYAP晶體現(xiàn)貨直供
目前,Ce:YAP閃爍晶體已有不同規(guī)格出售,主要采用直拉法和下降法生長(zhǎng)。ce:yap的1.5.1.2晶體結(jié)構(gòu)、生長(zhǎng)、能級(jí)和光譜性質(zhì)CeYAP晶體低濃度與高濃度如何區(qū)分?載流子也可以被晶格中的淺陷阱俘獲。這些俘獲的載流子可以被熱釋放并參與復(fù)合過程,從而增加晶體的發(fā)射持續(xù)時(shí)間。(Ce3離子5d態(tài)的能量較低,與4f態(tài)的高能級(jí)重疊。所以4f電子會(huì)被激發(fā)到5d態(tài),從5d態(tài)回到4f態(tài)會(huì)發(fā)光。由于5d軌道位于5s5p之外,不像4f軌道那樣被屏蔽在內(nèi)層,所以很容易受到外場(chǎng)的影響,使得5d態(tài)成為能帶而不是離散能級(jí)。從這個(gè)能帶到4f能級(jí)的躍遷成為帶譜。湖南高溫CeYAP晶體出廠價(jià)為了提高Ce: YAP晶體的閃爍性能,特別是發(fā)光強(qiáng)度,有必要深入分析晶體的自吸收機(jī)制,減小自吸收。
國(guó)外生長(zhǎng)的YAP單晶已達(dá)到50毫米,長(zhǎng)約150毫米,重約1380克。隨著生長(zhǎng)技術(shù)的提高,中科院上海光學(xué)力學(xué)研究所已經(jīng)能夠生長(zhǎng)出直徑為50 mm的大單晶,但形狀控制和質(zhì)量有待進(jìn)一步提高。比較了不同價(jià)離子摻雜對(duì)Ce: YAP晶體閃爍性能的影響。結(jié)果表明,二價(jià)離子摻雜對(duì)Ce: YAP晶體的閃爍性能有很強(qiáng)的負(fù)面影響,而四價(jià)離子摻雜有助于提高Ce:Yap晶體的部分閃爍性能。還研究了錳離子摻雜對(duì)Ce: YAP晶體性能的影響。發(fā)現(xiàn)YAP基體中Mn離子和Ce離子之間存在明顯的能量轉(zhuǎn)移過程,Ce和Mn: YAP的衰變時(shí)間明顯短于Ce、Mn : YAP,其快、慢成分分別為10.8ns和34.6 ns。
發(fā)光材料的X射線激發(fā)發(fā)射光譜指的是X射線經(jīng)過發(fā)光材料時(shí),發(fā)光材料從X射線那里獲得能量產(chǎn)生二次電子,二次電子激發(fā)發(fā)光材料的發(fā)光中心,然后發(fā)光中心退激發(fā)光,樣品所發(fā)出的光經(jīng)分光儀器(單色儀)分成不同顏色(或波長(zhǎng))的光,通過光電倍增管測(cè)出不同波長(zhǎng)的發(fā)光強(qiáng)度,得到樣品的發(fā)光按照波長(zhǎng)或頻率的一個(gè)分布Ce:YAP晶體生長(zhǎng)過程詳細(xì)介紹有嗎?因此激發(fā)譜中幾個(gè)發(fā)光成分其實(shí)還可以再分解為不同子能級(jí)的發(fā)光,而且疊加后的峰形會(huì)比單峰明顯展寬,普通的擬和只能作近似表達(dá)。實(shí)際應(yīng)用中,國(guó)產(chǎn)Ce: YAP晶體存在嚴(yán)重的自吸收問題,直接影響晶體的發(fā)光效率。
無機(jī)閃爍晶體的閃爍機(jī)理閃爍體的本質(zhì)是在盡可能短的時(shí)間內(nèi)把高能射線或者粒子轉(zhuǎn)化成可探測(cè)的可見光。通常高能射線與無機(jī)閃爍晶體相互作用存在有三種方式,光電效應(yīng),康普頓散射,正負(fù)電子對(duì)。光電效應(yīng)中,一個(gè)離子吸收光子后,會(huì)從它的一個(gè)殼層中發(fā)射出光電子,光電子能量為光子能量和電子結(jié)合能之差。當(dāng)該殼層的空位別外層較高能量的電子填充時(shí),結(jié)合能會(huì)以X射線或者俄歇電子的形式釋放出來。產(chǎn)生的X射線將在二次光電過程中北吸收,入射光的全部能量則被閃爍體所吸收。CeYAP晶體閃爍速度快、光產(chǎn)額高、機(jī)械和化學(xué)性能優(yōu)異。山東新型CeYAP晶體公司
開中頻電源升溫至原料全部熔化,在此過程中打開晶轉(zhuǎn),以使?fàn)t內(nèi)溫度分布均勻。山東專業(yè)CeYAP晶體現(xiàn)貨直供
根據(jù)發(fā)生的順序,閃光過程可分為以下五個(gè)階段:1.電離輻射的吸收和初級(jí)電子及空穴;2.一次電子和空穴,的弛豫即產(chǎn)生大量二次電子、空穴,光子、基本激子等電子激發(fā);3.低能二次電子和空穴,的弛豫(熱化),即形成能隙寬度約為Eg的熱化電子空穴對(duì);4.熱化電子空穴將能量轉(zhuǎn)移到發(fā)光中心并激發(fā)發(fā)光中心;5.激發(fā)態(tài)的發(fā)光中心發(fā)出紫外或可見熒光,即閃爍光。對(duì)于任何凝聚態(tài)物質(zhì),每個(gè)階段是相似的。因此,為了便于討論,我們將閃爍體中的物理過程分為兩部分:(1)熱化電子空穴對(duì)的產(chǎn)生(各個(gè)階段);(2)發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射。山東專業(yè)CeYAP晶體現(xiàn)貨直供
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