隨著人們對閃爍晶體材料進(jìn)一步深入的研究和科技的發(fā)展，閃爍晶體材料一般可用于X射線、γ射線、中子及其他高能粒子的探測。經(jīng)過100多年的發(fā)展，以閃爍晶體為關(guān)鍵的探測和成像技術(shù)已經(jīng)在核醫(yī)學(xué)、高能物理、安全檢查、工業(yè)無損探傷、空間物理及核探礦等方面得到了很多的應(yīng)用。閃爍晶體可以發(fā)出透明的熒光，在高能射線或其他放射性粒子通過時(shí)，會發(fā)出閃爍光，該種材料可以應(yīng)用在射線、中子、高能粒子的探測中，經(jīng)過了百年的發(fā)展，閃爍晶體材料已經(jīng)在安全檢查、高能物理、核醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域得到推廣。利用閃爍晶體探測注入人體內(nèi)的放射性示蹤劑產(chǎn)生的高能伽馬射線。山西大尺寸CeYAG晶體型號

閃爍晶體的本質(zhì)是一種能量轉(zhuǎn)換器，所以能量轉(zhuǎn)換效率()是表征所有閃爍晶體0基本的參數(shù)，是指閃爍晶體輻射的光子能量(Ep)與閃爍晶體吸收的總能量(er)之比。閃爍晶體發(fā)射光子的平均能量是發(fā)射的閃爍光子數(shù)。光輸出(LR)是反映閃爍體晶體，能量轉(zhuǎn)換效率的重要的物理參數(shù)，是指閃爍體吸收并消耗1mV射線能量后發(fā)出的可見/紫外光子數(shù)。即閃爍過程中產(chǎn)生的閃爍光子數(shù)與閃爍晶體中光線或粒子損失的能量之比。除了熔點(diǎn)溫度高（1970oC）外， Ce:YAG晶體中存在的主要缺點(diǎn)是Ce離子在晶體中的分布不均勻，主要是由于Ce3+(0.118nm)和Y3+(0.106nm)離子的半徑相差較大，其分凝系數(shù)較小（~ 0.1）造成的。貴州雙折射CeYAG晶體品牌CeYAG晶體能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可在極端條件下應(yīng)用。

CeYAG高溫閃爍晶體主要應(yīng)用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領(lǐng)域，另外它還可以應(yīng)用于電子探測成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。目前，可以提供摻雜濃度0.08－1at%摻雜高度透明的CeYAG閃爍晶體。CeYAG閃爍晶體具有快衰減時(shí)間（約70ns），而且CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫、熱力學(xué)性能穩(wěn)定，可以應(yīng)用于極端的探測環(huán)境中。CeYAG高溫閃爍晶體主要應(yīng)用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領(lǐng)域，另外它還可以應(yīng)用于電子探測成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。

白光LED用CeYAG單晶光學(xué)性能及封裝工藝的研究，采用提拉法生長了白光LED用CeYAG單晶，通過吸收光譜、激發(fā)發(fā)射光譜和變溫光譜對其光學(xué)性能和熱穩(wěn)定性進(jìn)行了表征，并研究了晶片用于封裝白光LED光源中各因素對其光電性能的影響。CeYAG晶片能被466 nm波長的藍(lán)光有效激發(fā)，產(chǎn)生500~700 nm范圍內(nèi)的寬發(fā)射帶。Ce3+的4f→5d軌道的躍遷吸收對應(yīng)于202、219、247.3、347.4和455.5 nm五個(gè)吸收峰，據(jù)此量化分裂的5d能級能量，依次為21954、29154、40437、45662和49505 cm-1。溫度升高，Ce3+的2F7/2能量升高導(dǎo)致了發(fā)光強(qiáng)度的降低，可降低幅度(13.28%)不大。CeYAG晶體具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖。

閃爍晶體可以應(yīng)用的領(lǐng)域有很多，你知道嗎？下文就居一些簡單的例子，感興趣的一起來看看吧，在醫(yī)院，利用閃爍晶體探測注入人體內(nèi)的放射性示蹤劑產(chǎn)生的高能伽馬射線，在PET/CT機(jī)上獲取人體的功能和代謝顯像，代謝率高的組織或病變呈亮信號，代謝率低的呈暗信號，通過圖像醫(yī)生可以快速診斷出人體各部位的病變、相關(guān)組織的大小和位置，用于病癥早期診斷和醫(yī)治。在油田，利用閃爍晶體獲得地層放射性物質(zhì)含量和種類分布等數(shù)據(jù)，從而判斷地層油氣含量和位置。CeYAG晶體具有位于230，340和460nm波段的Ce3+離子的特征。貴州雙折射CeYAG晶體品牌

CeYAG晶體可以用在LED照明上嗎？山西大尺寸CeYAG晶體型號

電子-空穴對的產(chǎn)生是入射高能光子和晶體中原子相互作用的結(jié)果。主要包括原子的電離和激發(fā)，電子-電子和電子-聲子的弛豫，以及其他輻射和非輻射的能量耗散過程。眾所周知，高能射線不能直接電離和激發(fā)無機(jī)閃爍晶體中的原子。相反，它們通過光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)和電子對效應(yīng)產(chǎn)生的電子電離和激發(fā)晶體中的原子。當(dāng)入射射線具有中等能量(幾百KeV左右)時(shí)，主要發(fā)生光電效應(yīng)，即高能射線與晶體中原子的內(nèi)層電子(通常是K層)相互作用產(chǎn)生初級光電子。山西大尺寸CeYAG晶體型號

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