和小編來看看閃爍晶體的知識，閃爍晶體是指高能粒子的撞擊下，能將高能粒子的動能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽芏l(fā)出閃光的晶體。通常應(yīng)用的閃爍晶體材料都是用人工方法培育出來的，種類也很多，從化學(xué)成分來講有氧化物、鹵化物（包括碘化物、氟化物）等。閃爍晶體可用于x射線、γ射線、中子及其他高能粒子的探測，以閃爍晶體為關(guān)鍵的探測和成像技術(shù)已經(jīng)在核醫(yī)學(xué)、高能物理、安全檢查、工業(yè)無損探傷、空間物理及核探礦等方面得到了很多的應(yīng)用。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?。CeYAG晶體的發(fā)光峰位置位于560nm左右，很適合使用S20光電倍增管進(jìn)行發(fā)射探測。遼寧專業(yè)CeYAG晶體定制

Ce:YAG 晶體在徑向不同位置的紅外吸收譜圖嗎？在幾乎所有的閃爍計數(shù)領(lǐng)域，都要求無機閃爍晶體具有快速的時間衰減常數(shù)。光衰減時間小于50ns的閃爍體通常稱為快閃爍體，光衰減時間小于3n的閃爍體稱為超快閃爍體。文獻(xiàn)總結(jié)了三種主要的快速光衰減機制，即：中心價躍遷。對應(yīng)于這種躍遷的閃爍熒光也稱為交叉熒光或俄自由熒光，簡稱CVL。這種發(fā)光機制的光衰減通常只有0.6-3 ns超快熒光，沒有溫度猝滅效應(yīng)。這種熒光0早發(fā)現(xiàn)于BaF2晶體(=220 nm，0.8ns)，是由外中心帶(5pBa)的空穴和價帶(2pF)的電子復(fù)合而發(fā)出的超快熒光海南雙折射CeYAG晶體元件CeYAG晶體是立方結(jié)構(gòu)，并且很容易制造出透明的對稱性很好的晶體。

根據(jù)出現(xiàn)的順序，無機閃爍晶體的閃爍機制可分為以下五個階段：1.電離輻射的吸收和初級電子和空穴的產(chǎn)生；2.一次電子和空穴的弛豫，即產(chǎn)生大量的二次電子、空穴、光子、激子等電子激發(fā)；3.低能二次電子和空穴的弛豫(熱化)，即形成能約為能隙寬度Eg的熱化電子-空穴對；4.電子和空穴向發(fā)光中心的熱傳遞和發(fā)光中心的激發(fā)；5.激發(fā)態(tài)的發(fā)光中心發(fā)出紫外或可見熒光，即閃爍光。為了研究方便，人們往往將上述五個閃爍步驟分為兩部分：(1)電子-空穴對的產(chǎn)生(**個階段)和(2)發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射(后兩個階段)。

深剖Ce；YAG晶體，隸屬于無機閃爍晶體。無機閃爍晶體發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射過程包括從熱化電子-空穴對到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移和發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射。電子空穴對的能量轉(zhuǎn)移效率取決于電子空穴相對發(fā)光中心的空間分布。如果電子空穴靠近發(fā)光中心，其能量轉(zhuǎn)移效率高；相反，能量傳遞效率低。這種情況下，電子和空穴往往被晶體中的雜質(zhì)或晶格缺陷俘獲，形成各種F-H色心對。同時，電子-空穴對在與晶格相互作用時也會產(chǎn)生自陷，比如離子閃爍晶體中經(jīng)常出現(xiàn)的Vk中心，這個Vk中心在本征離子閃爍晶體的發(fā)光機制中起著重要作用。經(jīng)過半個多世紀(jì)的發(fā)展，無機閃爍晶體不但發(fā)現(xiàn)了性能優(yōu)異的閃爍晶體。

鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性能以及穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)等優(yōu)點。因此，鈰離子摻雜的無機氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究[9]。表1-8總結(jié)了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道，多數(shù)鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征，尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能，如Ce:YAP，Ce:YAG，Ce:LSO和Ce:LuAP等無機閃爍晶體，被譽為新一代高性能無機閃爍晶體。Ce:YAG屬于無機閃爍體。陜西CeYAG晶體生產(chǎn)

閃爍晶體是指高能粒子的撞擊下，能將高能粒子的動能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽芏l(fā)出閃光的晶體。遼寧專業(yè)CeYAG晶體定制

鈰離子摻雜高溫?zé)o機閃爍晶體具有高光輸出快衰減的閃爍性能及優(yōu)良的物化特性，但是要將高溫閃爍晶體廣泛應(yīng)用于各種閃爍探測領(lǐng)域中尚需時日。一方面，高溫閃爍晶體屬于非本征閃爍晶體，人為引入的激發(fā)中心在晶體中的分布對閃爍性能影響較大，同時激發(fā)中心與晶體中的各種缺陷的相互作用機制也比較復(fù)雜，使得晶體的閃爍性能更加依賴于生長方法以及后處理工藝等；另一方面，高溫閃爍晶體具有較高的熔點使得大尺寸高質(zhì)量閃爍晶體的生長較為困難。鈰離子摻雜無機閃爍晶體的研究現(xiàn)狀，由于鈰離子摻雜的無機閃爍體通常具有高光輸出和快速衰減的特點，因此從20世紀(jì)80年代末和90年代初開始。遼寧專業(yè)CeYAG晶體定制

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