Ce: YAP晶體的退火，剛出爐的Ce:YAP單晶由于內(nèi)部熱應(yīng)力較大，在加工過程中容易開裂，提拉法生長(zhǎng)的晶體明顯，同時(shí)由于鈰離子的價(jià)態(tài)(Ce2、Ce3、Ce4)不同，高溫閃爍晶體中只有三價(jià)鈰離子(Ce3)作為發(fā)光中心，因此不同的退火工藝條件對(duì)高溫閃爍晶體的閃爍性能有重要影響。對(duì)于空氣退火，退火溫度為1000 ~ 1600，恒溫時(shí)間為20 ~ 30小時(shí)，1200以下升溫/降溫速率為50 ~ 100，1200時(shí)升溫/降溫速率為30 ~ 50。使用的設(shè)備是硅碳或硅鉬棒馬弗爐流動(dòng)氫退火，退火溫度1200-1600，恒溫時(shí)間20-36小時(shí)，1200以下升溫/降溫速率50-100/小時(shí)，1200升溫/降溫速率30-50/小時(shí)。選用Mn 離子是由于Mn 對(duì)YAP 晶體的吸收譜影響很大。湖南大尺寸CeYAP晶體材料

發(fā)光材料的X射線激發(fā)發(fā)射光譜指的是X射線經(jīng)過發(fā)光材料時(shí)，發(fā)光材料從X射線那里獲得能量產(chǎn)生二次電子，二次電子激發(fā)發(fā)光材料的發(fā)光中心，然后發(fā)光中心退激發(fā)光，樣品所發(fā)出的光經(jīng)分光儀器(單色儀)分成不同顏色(或波長(zhǎng))的光，通過光電倍增管測(cè)出不同波長(zhǎng)的發(fā)光強(qiáng)度，得到樣品的發(fā)光按照波長(zhǎng)或頻率的一個(gè)分布Ce:YAP晶體生長(zhǎng)過程詳細(xì)介紹有嗎？因此激發(fā)譜中幾個(gè)發(fā)光成分其實(shí)還可以再分解為不同子能級(jí)的發(fā)光，而且疊加后的峰形會(huì)比單峰明顯展寬，普通的擬和只能作近似表達(dá)。河北雙折射CeYAP晶體報(bào)價(jià)Ce:YAP晶體的吸收光譜和熒光光譜受不同的生長(zhǎng)方法和不同的后熱處理工藝的影響很大。

Mn: YAP 和Ce, Mn: YAP 的熒光激發(fā)發(fā)射譜，714nm 和685nm發(fā)射峰為Mn4+ 離子 2E - 4A2 躍遷[113]。332 nm, 373 nm 和 480 nm ( λem=714nm) 分別屬于Mn4+離子的4A2→4T1 (4F), 4A2→4T1 (4P), 4A2→4T2 躍遷。Ce, Mn: YAP 晶體的Ce3+ 的發(fā)射峰在397nm，比Ce: YAP 晶體紅移了近30 nm，主要是Mn4+ 離子的吸收造成的。圖 4-49 中，Mn: YAP 和Ce, Mn: YAP在480 nm的吸收峰屬于Mn4+ 離子的4A2→4T2 躍遷，另從透過譜可知，Mn離子摻雜后Ce: YAP的透過邊有明顯紅移動(dòng)，并且整體透過性能降低。

無機(jī)閃爍晶體在將高能射線或粒子轉(zhuǎn)化為低能光子的過程中，會(huì)發(fā)生一系列微觀過程，如一級(jí)和二級(jí)電離和激發(fā)、電子-空穴、光子和激子的遷移、電子與電子、電子與聲子(矩陣)之間的弛豫、電子-空穴對(duì)的俘獲、電子-空穴對(duì)與熒光中心之間的能量轉(zhuǎn)移等。當(dāng)經(jīng)歷電離事件時(shí)，閃爍體處于從非平衡狀態(tài)到平衡狀態(tài)的弛豫過程中。大量的熱化電子空穴對(duì)和這些電子產(chǎn)生的相當(dāng)一部分低能激子0終會(huì)轉(zhuǎn)化為發(fā)射光子，從高能輻射到紫外或可見光光子的過程就是閃爍過程。Ce: YAP作為一種性能優(yōu)越的高溫閃爍晶體，在高能核物理和核醫(yī)學(xué)領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

閃爍現(xiàn)象是指粒子束或射線作用于某種物質(zhì)產(chǎn)生的脈沖光。它更重要的特點(diǎn)是發(fā)出的光具有極快的衰減時(shí)間。具有這種性質(zhì)的材料稱為閃爍體或閃爍材料。利用熒光物質(zhì)的發(fā)光現(xiàn)象來記錄核輻射早就開始了。長(zhǎng)期以來，閃爍體作為一種非常重要的電磁量熱儀材料，在高能物理、核醫(yī)學(xué)成像、核技術(shù)和工程中得到了普遍的應(yīng)用。自從我們使用閃爍材料探測(cè)輻射以來，已經(jīng)將近一個(gè)世紀(jì)了。在本世紀(jì)，一些重要的閃爍材料因其商業(yè)應(yīng)用前景而得到廣泛應(yīng)用，或者因其優(yōu)異的性能而在科學(xué)研究中得到普遍關(guān)注和發(fā)展。CeYAP高溫閃爍晶體具有良好的物化性能是無機(jī)閃爍晶體中較有優(yōu)勢(shì)的晶體。海南國(guó)產(chǎn)CeYAP晶體廠家直銷

目前，Ce:YAP閃爍晶體已有不同規(guī)格出售，主要采用直拉法和下降法生長(zhǎng)。湖南大尺寸CeYAP晶體材料

從Ce3+ 離子2F7/2和2F5/2 態(tài)能級(jí)在YAP 晶體中的能級(jí)分裂看，2F7/2能級(jí)在晶體場(chǎng)中分裂的子能級(jí)寬度對(duì)應(yīng)波數(shù)范圍為3250 cm-1到2085cm-1, 2F5/2 態(tài)能級(jí)分裂的子能級(jí)寬度范圍為500 cm-1左右， 5d比較低能級(jí)的對(duì)應(yīng)波數(shù)為33000 cm-1?？梢缘玫紺e3+ 在YAP基質(zhì)中激發(fā)譜(d-f 躍遷)的比較低能級(jí)躍遷的波長(zhǎng)為336.1nm（29750 cm-1），因此316nm的激發(fā)峰成分雖然發(fā)光波長(zhǎng)比較偏紅光方向，但仍在允許范圍內(nèi)。當(dāng)激發(fā)波長(zhǎng)從294nm（34013cm-1）到316nm（31645 cm-1）變化時(shí)，各子能級(jí)都有可能被激發(fā)，且不同能量激發(fā)時(shí)各子能級(jí)之間的躍遷強(qiáng)度比可能會(huì)有所差別。湖南大尺寸CeYAP晶體材料

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