發(fā)光中心分布在晶體中分布不均勻將會導致探測元件閃爍性能的差異，在一定程度上降低了閃爍探測器的整機性能。研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對Ce3+離子濃度有較強的依賴關系。下列圖表分別表示了Ce:YAG閃爍晶體的光輸出和衰減常數(shù)(快成分與慢成分)隨Ce離子的濃度的變化關系。從表1-12中可以看出隨著濃度的增加（0.012%-0.21%），Ce:YAG晶體的光輸出增大（1000－1420phe/Mev），當濃度繼續(xù)增加到1.08%時，其光輸出又減小為1270phe/Mev。 結果表明溫梯法生長的Ce: YAG 晶體在高能射線和中子探測方面具有較大的應用價值。CeYAG閃爍晶體是將高能轉換為可見光的一種典型光電轉換材料。江西生長CeYAG晶體元件

一種藍光半導體激光器激發(fā)CeYAG晶體的激光照明系統(tǒng)，包括藍光半導體激光器，光學耦合透鏡組，光纖，CeYAG晶體模塊，光學透鏡組，上述元件依次排列于同一光路上.其中N個(N≥1)藍光半導體激光器經過光學耦合透鏡組的準直和聚焦，耦合進光纖，多根光纖可以進行捆綁合束，也可以進行熔融拉錐合束，從光纖出來的藍光半導體激光激發(fā)具有高激光損傷閾值的CeYAG晶體模塊，產生490～700nm波段的熒光(即受激發(fā)熒光)，并通過對CeYAG晶體模塊的光學設計達到對透射的藍色激光和受激發(fā)熒光的勻化，光學透鏡組對CeYAG晶體模塊勻化后的光線進行配光曲線的調節(jié)，從而產生用于照明領域的均勻白光。江西生長CeYAG晶體元件如果高能射線入射，其熒光光譜向紅色移動，發(fā)射波長為550納米，可以很好地與硅光二極管耦合。

CeYAG閃爍晶體還具有較好的光脈沖區(qū)分γ射線和α粒子的能力，能發(fā)射與硅光二極管有效耦合的550nm 熒光，以及具有YAG基質優(yōu)良的物理化學等特征。因此，CeYAG與硅光二極管耦合做成的閃爍探測器可以應用于帶電粒子探測等核物理的實驗中。另外，CeYAG單晶片還可以用作掃描電子顯微鏡的顯示元件，在大規(guī)模集成電路的檢測方面有著重要的應用。據(jù)報道現(xiàn)有人研究用CeYAG單晶代替CeYAG熒光粉作高亮白光LED熒光材料。希望以上的一些介紹能夠幫助到你。

鈰離子摻雜高溫無機閃爍晶體具有高光輸出快衰減的閃爍性能及優(yōu)良的物化特性，但是要將高溫閃爍晶體廣泛應用于各種閃爍探測領域中尚需時日。一方面，高溫閃爍晶體屬于非本征閃爍晶體，人為引入的激發(fā)中心在晶體中的分布對閃爍性能影響較大，同時激發(fā)中心與晶體中的各種缺陷的相互作用機制也比較復雜，使得晶體的閃爍性能更加依賴于生長方法以及后處理工藝等；另一方面，高溫閃爍晶體具有較高的熔點使得大尺寸高質量閃爍晶體的生長較為困難。鈰離子摻雜無機閃爍晶體的研究現(xiàn)狀，由于鈰離子摻雜的無機閃爍體通常具有高光輸出和快速衰減的特點，因此從20世紀80年代末和90年代初開始。通常，在閃爍晶體中，閃爍光的強度從零瞬開始增加，并達到比較大值I0(t=0)。

采用提拉法生長CeYAG單晶，通過X射線衍射和激發(fā)發(fā)射光譜對其晶相結構和光譜特性進行了表征，研究了CeYAG單晶封裝白光LED的較佳摻雜濃度.在455 nm藍光激發(fā)下，CeYAG單晶的發(fā)射光譜可由中心波長526 nm(5d12 EgГ8g→4f12 F7/2Г8u)的寬發(fā)射帶(500650 nm)組成激發(fā)光譜由343 nm (4f12F5/2Г7u→5d12EgГ7g)和466 nm(4f12F5/2Г7u→5d12EgГ8g)2個激發(fā)峰組成Stokes位移為2448cm-1，Huang-Rhys因子為6.12.研究結果表明，CeYAG單晶中Ce離子摻雜濃度與封裝的白光LED之間有對應關系，在650nm紅粉調節(jié)下Ce離子較佳摻雜濃度范圍為0.0340.066。Ce:YAG閃爍晶體響應小，光衰減快。重慶大尺寸CeYAG晶體供應

Ce:YAG屬于無機閃爍體。江西生長CeYAG晶體元件

電子-空穴對的數(shù)量直接決定了無機閃爍晶體的光輸出。假設產生一對電子-空穴對所需的平均能量為eh，光子的能量E全部被閃爍晶體吸收，那么無機閃爍晶體形成的電子-空穴對的數(shù)目Neh可以由下式表示Neh=Er/ξeh=Er/βEg 當光線與閃爍晶體相互作用時，晶體中電子空穴對Neh的數(shù)量直接影響晶體的光輸出。假設電子空穴對轉化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對到發(fā)光中心的能量轉移效率和發(fā)光中心的量子效率有關)，可以得出：無機閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(，Eg)、電子空穴向發(fā)光中心的能量轉移效率和發(fā)光中心的量子效率()有關。江西生長CeYAG晶體元件

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