從Ce3+ 離子2F7/2和2F5/2 態(tài)能級在YAP 晶體中的能級分裂看，2F7/2能級在晶體場中分裂的子能級寬度對應(yīng)波數(shù)范圍為3250 cm-1到2085cm-1, 2F5/2 態(tài)能級分裂的子能級寬度范圍為500 cm-1左右， 5d比較低能級的對應(yīng)波數(shù)為33000 cm-1?？梢缘玫紺e3+ 在YAP基質(zhì)中激發(fā)譜(d-f 躍遷)的比較低能級躍遷的波長為336.1nm（29750 cm-1），因此316nm的激發(fā)峰成分雖然發(fā)光波長比較偏紅光方向，但仍在允許范圍內(nèi)。當(dāng)激發(fā)波長從294nm（34013cm-1）到316nm（31645 cm-1）變化時，各子能級都有可能被激發(fā)，且不同能量激發(fā)時各子能級之間的躍遷強(qiáng)度比可能會有所差別。CeYAP晶體具有優(yōu)良的閃爍性能，其主要特點(diǎn)是光產(chǎn)額大，衰減時間短。海南人工CeYAP晶體供應(yīng)商

作為自由離子，Ce3的4f和5d能級差為6.134 eV (202nm/49340cm-1) [14]。在晶體場的作用下，4f和5d之間的能級距離普遍減小。晶體場力越大，能級間距越小。從前面的討論可以看出，4f能級在內(nèi)層被屏蔽，基本不受晶場影響。5d態(tài)被晶體場分裂，導(dǎo)致4f和5d能級重心距離縮短。P. Dorenbos認(rèn)為，晶體場引起的5d能級分裂程度取決于Ce3周圍陰離子多面體的大小和形狀[15]?；贑e3離子以上獨(dú)特的能級結(jié)構(gòu)和發(fā)光特性，以Ce3離子為激發(fā)離子的無機(jī)晶體一般光輸出高，衰減時間快，更適合作為閃爍晶體。 湖北國產(chǎn)CeYAP晶體批發(fā)Ce:YAP晶體的吸收光譜和熒光光譜受不同的生長方法和不同的后熱處理工藝的影響很大。

電子、空穴和激子的相互作用將導(dǎo)致局域化。許多離子晶體表現(xiàn)出一種有趣的現(xiàn)象，即價帶空穴位于正常晶格中，這種現(xiàn)象被稱為自陷。在熱化過程中，空穴達(dá)到價帶的頂部，并被限制在特定的陰離子中。對于堿金屬鹵化物晶體，這意味著一個鹵化物離子轉(zhuǎn)變成一個原子：X- X0。該鹵原子X0將在一定程度上極化環(huán)境，并且該系統(tǒng)將顯示出軸向弛豫，導(dǎo)致這種局部空穴被兩個相鄰的陰離子共享。這種狀態(tài)被稱為X2分子或Vk中心。在低溫下(通常t <200 k)，Vk核是穩(wěn)定的，位于兩個陰離子上的空穴稱為自陷空穴，電離輻射后離子晶體形成自陷空穴的平均時間為10-11 s到10-12 s，這個時間比自由空穴和導(dǎo)帶電子的復(fù)合時間短。因此，純離子晶體中的大多數(shù)空穴很快轉(zhuǎn)化為Vk中心。 Ce:YAP高溫閃爍晶體的研究！

紫外輻照對Ce:YAP晶體自吸收有影響嗎？摻鈰高溫閃爍晶體是無機(jī)閃爍晶體的一個重要發(fā)展方向，其中鈰：YAP和鈰3360Yag是較好的晶體。隨著應(yīng)用要求的變化，閃爍晶體的尺寸越來越大，因此生長大尺寸的閃爍晶體變得更加重要。同時，國內(nèi)生長的Ce:YAP晶體自吸收現(xiàn)象普遍存在，導(dǎo)致無法有效提高出光量，其機(jī)理尚不清楚。為了有效提高Ce:YAP晶體的閃爍性能，解決其自吸收問題，提高其發(fā)光強(qiáng)度，重點(diǎn)研究了Ce:YAP晶體的自吸收機(jī)制。同時，為了獲得高發(fā)光效率的大尺寸Ce:YAG晶體，嘗試用溫度梯度法生長大尺寸Ce:YAG晶體，并探索了晶體的比較好熱處理?xiàng)l件。本文主要討論了大尺寸Ce:YAP晶體的生長和自吸收以及用溫度梯度法生長和退火大尺寸Ce:YAG晶體，以提高晶體的實(shí)用性能。發(fā)現(xiàn)YAP基質(zhì)中Ce，Mn之間存在明顯的能量轉(zhuǎn)移過程。

近年來，Ce:YAG單晶薄膜和Ce:YAG陶瓷等閃爍體以其獨(dú)特的優(yōu)勢引起了人們的關(guān)注。硫化物閃爍晶體的帶隙較小，鈰離子摻雜的硫化物閃爍晶體也具有光衰減快、密度大的特點(diǎn)。例如Ce:Lu2S3晶體具有高光輸出(約30000光子/兆電子伏)、快速光衰減(約32納秒)、重密度(約6.25克/立方厘米)和高有效原子序數(shù)(Zeff=66.8)的特點(diǎn)。但是硫化物晶體也很難生長，不受人青睞。目前Ce:YAG高溫閃爍晶體已經(jīng)商業(yè)化，主要用于掃描電子顯微鏡(SEM)的顯示元件，其生長方法主要有直拉法和溫度梯度法。YAP晶體生長氣氛：由于采用中頻加熱方式，主要保溫材料為高熔點(diǎn)絕熱氧化物(氧化鋯、氧化鋁等)。河南雙摻CeYAP晶體現(xiàn)貨

四價離子摻雜有助于提高Ce:Yap晶體的部分閃爍性能。海南人工CeYAP晶體供應(yīng)商

閃爍現(xiàn)象是指粒子束或射線作用于某種物質(zhì)產(chǎn)生的脈沖光。它更重要的特點(diǎn)是發(fā)出的光具有極快的衰減時間。具有這種性質(zhì)的材料稱為閃爍體或閃爍材料。利用熒光物質(zhì)的發(fā)光現(xiàn)象來記錄核輻射早就開始了。長期以來，閃爍體作為一種非常重要的電磁量熱儀材料，在高能物理、核醫(yī)學(xué)成像、核技術(shù)和工程中得到了普遍的應(yīng)用。自從我們使用閃爍材料探測輻射以來，已經(jīng)將近一個世紀(jì)了。在本世紀(jì)，一些重要的閃爍材料因其商業(yè)應(yīng)用前景而得到廣泛應(yīng)用，或者因其優(yōu)異的性能而在科學(xué)研究中得到普遍關(guān)注和發(fā)展。海南人工CeYAP晶體供應(yīng)商

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