近年來(lái)，出現(xiàn)了一些新的快速閃爍材料，如Zn0基閃爍體、摻鐠氧化物晶體[2，3]、Yb: YAG等。Zn0和Yb: YAG的衰減時(shí)間小于1ns，但出光率低，Zn0晶體的生長(zhǎng)非常困難。由于Pr3中d-f躍遷發(fā)光的存在，其氧化物晶體的衰變時(shí)間比摻鈰氧化物晶體快。比如Pr3360YAG是17ns，但是Pr的復(fù)雜能級(jí)對(duì)光產(chǎn)額影響很大。0近有報(bào)道稱，摻鎵Zn0的發(fā)光強(qiáng)度有了很大的提高，對(duì)時(shí)間特性影響不大。由于各種原因，這些新的閃爍材料在實(shí)際應(yīng)用之前還有很長(zhǎng)的路要走。閃爍材料會(huì)議也經(jīng)常舉行。CeYAP晶體在對(duì)閃爍晶體CeYAP的研究過(guò)程中 ，發(fā)現(xiàn)了YAP晶體的變色現(xiàn)象。湖南品質(zhì)CeYAP晶體

過(guò)渡金屬離子摻雜對(duì)YAP晶體透射邊緣的影響，由于過(guò)渡金屬離子D層具有更多的電子能級(jí)，容易受到晶場(chǎng)的影響，因此YAP晶體中可能存在更多的吸收帶。為了了解過(guò)渡金屬摻雜對(duì)Ce: YAP自吸收的可能影響，我們比較了摻雜過(guò)渡金屬如銅(0.5%)、鐵(0.5%)和錳(0.5%)的純YAP晶體的透射光譜。從圖4-11可以看出，Mn摻雜的yap在480nm處有明顯的吸收峰，而Cu摻雜的YAP在370nm左右有吸收峰，F(xiàn)e摻雜的YAP將在下一節(jié)討論。我們生長(zhǎng)的Ce: YAP在350nm ~ 500nm范圍內(nèi)沒有額外的吸收峰，少量過(guò)渡金屬離子的存在只會(huì)對(duì)吸收產(chǎn)生線性疊加效應(yīng)，低濃度吸收不足以引起Ce: YAP晶體的自吸收，因此過(guò)渡金屬離子污染不太可能引起Ce3360Yap吸收帶紅移。同時(shí)，GDMS分析結(jié)果還表明，我們生長(zhǎng)的Ce: YAP晶體中過(guò)渡金屬的含量小于10ppm，對(duì)晶體發(fā)光的影響可以忽略不計(jì)。遼寧雙折射CeYAP晶體材料將Ce離子摻入Mn: YAP中來(lái)獲得三價(jià)Mn離子，Ce3+離子可以為Mn4+ 離子提供一個(gè)電子，使其變成三價(jià)。

哪里可以買到CeYAP晶體？需要說(shuō)明的是：(1)透鏡的作用是便于調(diào)節(jié)，使得激光光斑和閃爍體尺寸相適應(yīng)，激光能夠比較均勻地輻照到晶體上；(2)要避免激光透過(guò)晶體直接打到光電管光陰極上，以防止損傷光電管和記錄示波器；(3)為了避免激光經(jīng)閃爍體散射而打到光電管光陰極上，之前加濾鏡是為了將波長(zhǎng)較短的散射激光(266nm)濾掉，同時(shí)讓波長(zhǎng)相對(duì)長(zhǎng)的閃爍晶體的激發(fā)熒光通過(guò)；(4)整個(gè)實(shí)驗(yàn)需要在暗室中進(jìn)行。數(shù)據(jù)分析方法與 X 射線激發(fā)熒光壽命相似。 Ce:YAP晶體中Ce3離子5d4f躍遷對(duì)應(yīng)的熒光光譜為330 ~ 400nm之間的一個(gè)帶，其峰值約為365 ~ 370nm。

除了主要摻雜的鈰元素外，鋯元素占很大比例，其含量超過(guò)10ppm，這應(yīng)該是由于生長(zhǎng)過(guò)程中少量氧化鋯絕緣蓋碎片落入熔體中造成的，但鋯對(duì)YAP: Ce晶體[104]的閃爍特性有一定的積極影響。其他元素的含量太小，不足以引起足夠數(shù)量的吸收中心。但晶體生長(zhǎng)所用原料的純度為5N，測(cè)量結(jié)果表明總雜質(zhì)含量大于1ppm，已經(jīng)超出純度限值一個(gè)數(shù)量級(jí)。過(guò)量的雜質(zhì)可能來(lái)自晶體生長(zhǎng)過(guò)程或配料過(guò)程，因此在未來(lái)的生長(zhǎng)和制備過(guò)程中應(yīng)注意可能的雜質(zhì)污染。二價(jià)離子摻雜對(duì)Ce: YAP晶體的閃爍性能有很強(qiáng)的負(fù)面影響。

比較了摻雜不同價(jià)離子對(duì)Ce: YAP晶體自吸收的影響。發(fā)現(xiàn)二價(jià)離子對(duì)Ce: YAP晶體的閃爍性能有很強(qiáng)的負(fù)面影響，而四價(jià)離子有助于提高晶體的閃爍性能。還研究了錳離子摻雜對(duì)Ce: YAP晶體性能的影響。利用溫度梯度法，生長(zhǎng)了直徑為110毫米的Ce: YAG閃爍晶體，該晶體具有良好的形狀和光學(xué)性質(zhì)。研究了不同溫度和氣氛等退火條件對(duì)Ce: YAG(TGT)閃爍晶體發(fā)光效率的影響，發(fā)現(xiàn)1100氧退火對(duì)提高晶體發(fā)光強(qiáng)度的效果比較好。在離子晶體中還觀察到了一種新的內(nèi)在發(fā)光：中心帶上部和價(jià)帶之間的躍遷，簡(jiǎn)稱為中心-價(jià)帶躍遷。這種發(fā)光躍遷衰減時(shí)間快(子納秒級(jí))，但光輸出低。1680℃高溫氫氣退火后，CeYAP晶體中同時(shí)包含YAP相和YAG相。吉林大尺寸CeYAP晶體參數(shù)

CeYAP晶體在中低能量粒子射線探測(cè)方面有很大的應(yīng)用前景。湖南品質(zhì)CeYAP晶體

紫外輻照對(duì)Ce:YAP晶體自吸收有影響嗎？摻鈰高溫閃爍晶體是無(wú)機(jī)閃爍晶體的一個(gè)重要發(fā)展方向，其中鈰：YAP和鈰3360Yag是較好的晶體。隨著應(yīng)用要求的變化，閃爍晶體的尺寸越來(lái)越大，因此生長(zhǎng)大尺寸的閃爍晶體變得更加重要。同時(shí)，國(guó)內(nèi)生長(zhǎng)的Ce:YAP晶體自吸收現(xiàn)象普遍存在，導(dǎo)致無(wú)法有效提高出光量，其機(jī)理尚不清楚。為了有效提高Ce:YAP晶體的閃爍性能，解決其自吸收問(wèn)題，提高其發(fā)光強(qiáng)度，重點(diǎn)研究了Ce:YAP晶體的自吸收機(jī)制。同時(shí)，為了獲得高發(fā)光效率的大尺寸Ce:YAG晶體，嘗試用溫度梯度法生長(zhǎng)大尺寸Ce:YAG晶體，并探索了晶體的比較好熱處理?xiàng)l件。本文主要討論了大尺寸Ce:YAP晶體的生長(zhǎng)和自吸收以及用溫度梯度法生長(zhǎng)和退火大尺寸Ce:YAG晶體，以提高晶體的實(shí)用性能。湖南品質(zhì)CeYAP晶體

上海藍(lán)晶光電科技有限公司專注技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)，發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大。一批專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，是實(shí)現(xiàn)企業(yè)戰(zhàn)略目標(biāo)的基礎(chǔ)，是企業(yè)持續(xù)發(fā)展的動(dòng)力。公司業(yè)務(wù)范圍主要包括：Ce:YAG，Ce:YAP，Tm:YAP，Yb:YAG等。公司奉行顧客至上、質(zhì)量為本的經(jīng)營(yíng)宗旨，深受客戶好評(píng)。公司憑著雄厚的技術(shù)力量、飽滿的工作態(tài)度、扎實(shí)的工作作風(fēng)、良好的職業(yè)道德，樹立了良好的Ce:YAG，Ce:YAP，Tm:YAP，Yb:YAG形象，贏得了社會(huì)各界的信任和認(rèn)可。