室溫下YbYAG的上轉(zhuǎn)換熒光光譜，此熒光歸因于Yb3+離子的“合作”發(fā)光和Yb3+離子到稀土雜質(zhì)離子的能量轉(zhuǎn)移。測試了YbYAG晶體的X射線熒光，發(fā)光峰對應于電荷遷移態(tài)到Y(jié)b3+離子的基態(tài)，激光態(tài)間的躍遷。研究了Cr，YbYAG晶體的熒光光譜，討論了Cr4+激光輸出的可能性。YbYAG晶體比NdYAG晶體更適用于產(chǎn)生和放大具有Hz量級重復頻率的高脈沖能量激光。在相同的半導體泵浦功率下，Yb:YAG泵浦生熱為Nd:YAG的三分之一，就夠很容易的被InGaAs半導體激光器所泵浦，是一種適合LD泵浦的高平均功率和高光束質(zhì)量的發(fā)射1um左右波長的激光材料。bYAG晶體光纖和晶體細棒實現(xiàn)了平均功率大于70W的高效超快激光輸出。河北國產(chǎn)YbYAG晶體參數(shù)

對YbYAG晶體感興趣的可以來看看下文的一些相關(guān)知識的介紹，激光二極管抽運低溫YbYAG再生放大器，對YbYAG晶體熒光譜線的分析，討論了其低溫條件下的增益特性.利用激光二極管作為抽運源，采用背向端面抽運方式，使用摻雜原子數(shù)分數(shù)為8%的片狀YbYAG晶體，搭建了一臺低溫條件下工作的再生放大器。通過小能量信號光注入，在-90℃的低溫下，可以得到重復頻率10Hz，脈寬10ns，能量10.3mJ的激光脈沖輸出，放大倍數(shù)達107倍。希望以上的介紹能夠?qū)δ阌袔椭?。上海非復合YbYAG晶體公司YbYAG晶體或摻鐿釔鋁石榴石可輸出0.94 μm激光。

本發(fā)明的技術(shù)解決方案如下一種YbYAG激光晶體的生長方法，所用的裝置為感應加熱提拉式單晶爐，其步驟包括按照YbYAG比例稱量原料并混合均勻，置于銥坩堝中，裝爐.下文是和YbYAG晶體相關(guān)的一些知識的介紹，如果感興趣的就一起來看看吧，YbYAG激光晶體開裂的理論分析，采用提拉法，生長了Yb3+摻雜濃度為5at.%的YbYAG晶體，對晶體生長工藝進行了研究。較佳工藝參數(shù)：放肩和等徑生長速率分別為0.Smm/h和1mm/h。轉(zhuǎn)速為15rad/min，軸向溫度梯度為0.01-0.05℃/mm。從理論上分析了生長速率、轉(zhuǎn)速、熱應力、晶體尺寸對晶體開裂的影響規(guī)律。

YbYAG晶體主要特點：簡單的電子結(jié)構(gòu)排除了激發(fā)態(tài)吸收和各種有害的猝滅過程。940 nm寬吸收帶2F5/2鐿能級的壽命。低量子缺陷?？筛鶕?jù)要求提供定制。YbYAG晶體主要應用：材料加工，微加工，焊接，切割。高功率薄盤激光器。YbYAG晶體技術(shù)特性：吸收峰波長942nm。峰值吸收截面7，7×10-21厘米2。峰值吸收帶寬18nm。激光波長1030nm。壽命2F5/2鐿能級950μs。發(fā)射截面@1030nm 2，1×10-20厘米2。折射率@632，8nm 1，83。晶體結(jié)構(gòu)立方體。由于晶體中含有Yb2+，使晶格發(fā)生畸變，不但使晶格缺陷大量增加，而且也對Yb3+的能級結(jié)構(gòu)造成不利影響。導致了370nm和625nm處存在吸收波段和Re-F色心的形成。YbYAG具有YAG基質(zhì)材料所具有的優(yōu)良的物理性質(zhì)和穩(wěn)定的化學性能。

YbYAG晶體由于其良好的物理特性，成為了碟片激光器理想的激光介質(zhì)。由于摻鐿材料的準三能級結(jié)構(gòu)特性使其對溫度十分敏感，因此研究YbYAG激光器工作過程中的熱效應顯得非常重要。本文提出了一個研究YbYAG激光器準三能級產(chǎn)熱過程的物理模型來計算碟片的熱負載系數(shù)，模型中包含了四部分產(chǎn)熱：自發(fā)輻射產(chǎn)熱，激光產(chǎn)熱，ASE效應產(chǎn)熱以及上下能級的無輻射躍遷產(chǎn)熱。結(jié)合速率方程模型和前面提到的ASE效應模型，得到了一個完整的關(guān)于碟片激光器的輸出特性模型。NdYAG和YbYAG是石榴石結(jié)構(gòu)鋁酸鹽激光晶體體系，具有優(yōu)良的激光性能。上海非復合YbYAG晶體公司

YbYAG晶體斜率效率高。河北國產(chǎn)YbYAG晶體參數(shù)

真空氣氛下生長出的YbYAG晶體因存在色心呈藍綠色，1400℃退火后色心消失。對兩種晶體進行晶體結(jié)構(gòu)表征，結(jié)果表明晶體中無雜相、品質(zhì)較好。腐蝕后形貌分析發(fā)現(xiàn)退火后晶體內(nèi)應力釋放、到達表面的位錯增加，更易被腐蝕，表面粗糙度大、顯微鏡下腐蝕坑數(shù)量多。針對目前色心形成機理尚不明確的問題，探究900℃、1000℃、1100℃和1400℃不同溫度退火5小時以及900℃下5小時、10小時、20小時、30小時和40小時不同退火時間對晶體光學性能的影響。結(jié)果表明近紅外區(qū)域900nm~1050nm范圍內(nèi)三處吸收峰一直存在，為YbYAG本征吸收峰，不同條件下只強度發(fā)生變化。河北國產(chǎn)YbYAG晶體參數(shù)

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