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來源: 發(fā)布時間:2021-10-19

如果在石英晶片上加上交變電壓,晶體就會產生機械振動,機械形變振動又會產生交變電場,盡管這種交變電場的電壓極其微弱,但其振動頻率是十分穩(wěn)定的。當外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率(與切割后的晶片尺寸有關,晶體愈薄,切割難度越大,諧振頻率越高)相等時,機械振動的幅度將急劇增加,這種現(xiàn)象稱為“壓電諧振”。通常廠家的晶振元件數(shù)據(jù)手冊給出的標稱頻率不是Fr或FL,實際的晶體元件應用于振蕩電路中時,它一般還會與負載電容相聯(lián)接,共同作用使晶體工作于Fr和FL之間的某個頻率,這個頻率由振蕩電路的相位和有效電抗確定,通過改變電路的電抗條件,就可以在有限的范圍內調節(jié)晶體頻率。恒溫控制式晶體振蕩器是利用恒溫槽使晶體振蕩器或石英晶體振子的溫度保持恒定。寧波高穩(wěn)定性晶振哪家好

選擇振蕩器時還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比,可以表示為功率耗散電容值。比如,HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時,相當于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負載電容,整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容,相應地也需要更多的電流。相比之下,晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能,范圍可以從低頻(固定)器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。金華圓柱形直插晶振品牌當要求晶體振蕩器精度小于±1×10-6時,直接補償方式并不適合。

晶體是一個14.318 MHz的石英諧振器,主要作用是作為振蕩電路的諧振元件把電壓轉換為相應的頻率信號輸送給主板上的各種信號處理芯片。如圖7所示為時鐘芯片的晶振電路示意圖,振蕩電路在芯片內部,諧振晶體接在芯片外部。這種電路稱為晶體振蕩器,簡稱晶振。晶振電路在電磁爐中的應用電磁爐電路中常用晶體振蕩器電路圖,在電磁爐電路中,晶體振蕩器常用作微處理器(或微控制器)的時鐘信號源,時鐘信號是整機工作不可缺少的信號,如果沒有時鐘信號,那么微處理器將無法啟動和工作。

晶振的指標,靜電容:等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容,也叫并電容,通常用C0表示。工作溫度范圍:能夠保證振蕩器輸出頻率及其化各種特性符合指標的溫度范圍。頻率溫度穩(wěn)定度:在標稱電源和負載下,工作在規(guī)定溫度范圍內的不帶隱含基準溫度或帶隱含基準溫度的較大允許頻偏。ft:頻率溫度穩(wěn)定度(不帶隱含基準度);ftref:頻率溫度穩(wěn)定度(帶隱含基準溫);fmax :規(guī)定溫度范圍內測得的較高頻率;fmin:規(guī)定溫度范圍內測得的較低頻率;fref:規(guī)定基準溫度測得的頻率。說明:采用ftref指標的晶體振蕩器其生產難度要高于采用ft指標的晶體振蕩器,故ftref指標的晶體振蕩器售價較高。負載電容是指晶振的兩條引線連接的集成電路(IC)內部及外部所有有效電容之和。

晶振的振動模式與頻率關系:基頻1~35MHz;3次泛音10~75MHz;5次泛音 50~150MHz;7次泛音 100~200MHz;9次泛音 150~250MHz。晶體電阻:對于同一頻率,當工作在高次泛音振動時其電阻值將比工作在低次振動時大。"信號源+電平表"功能由網(wǎng)絡分析儀完成;Ri、R0:儀器內阻:一般為50Ω。R1--濾波器輸入端外接阻抗,阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。R2--濾波器輸出端外接阻抗,阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。在濾波器條件的匹配阻抗中有時有并接電容要求,應按上圖連接。并聯(lián)型晶體振蕩器:三極管VT與R1、R2、R3、R4構成放大電路。杭州32.768khz晶振哪家好

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