如何判斷檢測(cè)晶體諧振器的好壞呢？用萬(wàn)用表(R×10k擋)測(cè)晶振兩端的電阻值，若為無(wú)窮大，說(shuō)明晶振無(wú)短路或漏電；再將試電筆插入市電插孔內(nèi)，用手指捏住晶振的任一引腳，將另一引腳碰觸試電筆頂端的金屬部分，若試電筆氖泡發(fā)紅，說(shuō)明晶振是好的；若氖泡不亮，則說(shuō)明晶振損壞。用數(shù)字電容表（或數(shù)字萬(wàn)用表的電容檔）測(cè)量其電容，一般損壞的晶振容量明顯減?。ú煌木д衿湔Ｈ萘烤哂幸欢ǖ姆秶?，可測(cè)量好的得到，一般在幾十到幾百PF。晶體諧振器就是指用石英材料做成的石英晶體諧振器,俗稱(chēng)晶振。無(wú)錫手機(jī)晶體諧振器廠家推薦

石英晶體諧振器的應(yīng)用：1、石英鐘走時(shí)準(zhǔn)、耗電省、經(jīng)久耐用為其大優(yōu)點(diǎn)。不論是老式石英鐘或是新式多功能石英鐘都是以石英晶體諧振器為主要電路，其頻率精度決定了電子鐘表的走時(shí)精度。石英晶體諧振器原理的示意，其中V1和V2構(gòu)成CMOS反相器石英晶體Q與振蕩電容C1及微調(diào)電容C2構(gòu)成振蕩系統(tǒng)，這里石英晶體相當(dāng)于電感。振蕩系統(tǒng)的元件參數(shù)確定了振頻率。一般Q、C1及C2均為外接元件。另外R1為反饋電阻，R2為振蕩的穩(wěn)定電阻，它們都集成在電路內(nèi)部。故無(wú)法通過(guò)改變C1或C2的數(shù)值來(lái)調(diào)整走時(shí)精度。但此時(shí)仍可用加接一只電容C有方法，來(lái)改變振蕩系統(tǒng)參數(shù)，以調(diào)整走時(shí)精度。根據(jù)電子鐘表走時(shí)的快慢，調(diào)整電容有兩種接法：若走時(shí)偏快，則可在石英晶體兩端并接電容。此時(shí)系統(tǒng)總電容加大，振蕩頻率變低，走時(shí)減慢。若走時(shí)偏慢，則可在晶體支路中串接電容C。此時(shí)系統(tǒng)的總電容減小，振蕩頻率變高，走時(shí)增快。只要經(jīng)過(guò)耐心的反復(fù)試驗(yàn)，就可以調(diào)整走時(shí)精度。因此，晶振可用于時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生器。上海壓控晶體諧振器直銷(xiāo)石英晶體諧振器是利用應(yīng)時(shí)晶體(二氧化硅晶體)的壓電效應(yīng)制成的諧振器件。

石英晶體諧振器芯片有三種常見(jiàn)的形狀：圓形、方形、貼片專(zhuān)門(mén)或棒狀(也是方形，但較小)。不同的取向，其壓電特性、彈性特性和強(qiáng)度特性會(huì)有所不同，由其制成的諧振器性能也會(huì)有所不同?，F(xiàn)有的切割方法可分為AT-CUT、BT-CUT、CT-CUT、DT-CUT、FT-CUT、XT-CUT和YT-CUT；每種切割方式對(duì)應(yīng)一個(gè)角度，采用哪種切割方式要根據(jù)實(shí)際情況確定。如果溫度特性較好，應(yīng)采用AT-CUT，如果晶振要求的頻率較高，應(yīng)采用BT-CUT。晶片的切割模式、幾何形狀和尺寸決定了晶體諧振器的頻率。

石英晶體諧振器（簡(jiǎn)稱(chēng)晶振）的結(jié)構(gòu)石英晶體諧振器是利用石英晶體（二氧化矽的結(jié)晶體）的壓電效應(yīng)制成的一種諧振器件，它的基本構(gòu)成大致是：從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡(jiǎn)稱(chēng)為晶片，它可以是正方形、矩形或圓形等），在它的兩個(gè)對(duì)應(yīng)面上涂敷銀層作為電極，在每個(gè)電極上各焊一根引線(xiàn)接到管腳上，再加上封裝外殼就構(gòu)成了石英晶體諧振器，簡(jiǎn)稱(chēng)為石英晶體或晶體、晶振。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑膠封裝的。 選擇石英晶體諧振器時(shí)也應(yīng)考慮功耗。

晶體諧振器發(fā)展趨勢(shì)：小型化、薄片化和片式化：為滿(mǎn)足移動(dòng)電話(huà)為表示的便攜式產(chǎn)品輕、薄、短小的要求，石英晶體諧振器的封裝由傳統(tǒng)的裸金屬外殼覆塑料金屬向陶瓷封裝轉(zhuǎn)變。例如TCXO這類(lèi)器件的體積縮小了30～100倍。采用SMD封裝的TCXO厚度不足2mm，目前5×3mm尺寸的器件已經(jīng)上市。高精度與高穩(wěn)定度，無(wú)補(bǔ)償式晶體諧振器總精度也能達(dá)到±25ppm，VCXO的頻率穩(wěn)定度在10～7℃范圍內(nèi)一般可達(dá)±20～100ppm，而OCXO在同一溫度范圍內(nèi)頻率穩(wěn)定度一般為±0.0001～5ppm，VCXO控制在±25ppm以下。調(diào)整石英晶體諧振器的諧振頻率以滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求是調(diào)頻晶體諧振器生產(chǎn)中的一個(gè)關(guān)鍵工序。蘇州5G石英晶體諧振器生產(chǎn)廠家

石英晶體諧振器的Q值極高，穩(wěn)頻功能極強(qiáng)。無(wú)錫手機(jī)晶體諧振器廠家推薦

晶體諧振器主要技術(shù)指標(biāo)：標(biāo)稱(chēng)頻率：振蕩器輸出的中心頻率或頻率的標(biāo)稱(chēng)值。頻率準(zhǔn)確度：振蕩器輸出頻率在室溫(25℃±2℃)下相對(duì)于標(biāo)稱(chēng)頻率的偏差。調(diào)整頻差：在指定溫度范圍內(nèi)振蕩器輸出頻率相對(duì)于25℃時(shí)測(cè)量值的大允許頻率偏差。負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián),其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)（產(chǎn)生諧振）的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。無(wú)錫手機(jī)晶體諧振器廠家推薦