晶振中的DIP封裝是指采用雙列直插形式封裝的集成 電路芯片 ，絕大多數(shù)中小規(guī)模集成電路均采用這種封裝形式，其引腳數(shù)一般不超過100個(gè)。采用DIP封裝的CPU芯片有兩排引腳，需要插入到具有DIP結(jié)構(gòu)的芯片插座上。當(dāng)然，也可以直接插在有相同焊孔數(shù)和幾何排列的 電路板 上進(jìn)行焊接。DIP封裝的芯片在從芯片插座上插拔時(shí)應(yīng)特別小心，以免損壞引腳。DIP封裝結(jié)構(gòu)形式有多層陶瓷雙列直插式DIP，單層陶瓷雙列直插式DIP，引線框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式，塑料包封結(jié)構(gòu)式，陶瓷低熔玻璃封裝式)等。DIP是較普及的插裝型封裝，應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC，存儲器和微機(jī)電路等。在振蕩器中采用石英晶體，可以產(chǎn)生高度穩(wěn)定的信號，這種采用石英晶體的振蕩器稱為晶體振蕩器。上海高穩(wěn)晶體振蕩器供應(yīng)

晶體是一個(gè)14.318MHz的石英諧振器，主要作用是作為振蕩電路的諧振元件把電壓轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的頻率信號輸送給主板上的各種信號處理芯片。如圖7所示為時(shí)鐘芯片的晶體振蕩器電路示意圖，振蕩電路在芯片內(nèi)部，諧振晶體接在芯片外部。這種電路稱為晶體振蕩器，簡稱晶體振蕩器。晶體振蕩器電路在電磁爐中的應(yīng)用電磁爐電路中常用晶體振蕩器電路圖，在電磁爐電路中，晶體振蕩器常用作微處理器（或微控制器）的時(shí)鐘信號源，時(shí)鐘信號是整機(jī)工作不可缺少的信號。無錫壓控晶體振蕩器銷售廠家晶體振蕩器的作用在電路中的作用，就好像是一個(gè)比較理想的電感和電容并聯(lián)的結(jié)合體，而且Q值相當(dāng)高。

晶體極性板質(zhì)量的增加和減少，這是由于氣體的吸收和分解所引起的，并將持續(xù)數(shù)周至數(shù)年。晶體結(jié)構(gòu)的改變是由晶格缺陷引起的，這是一種長期效應(yīng)。在低頻石英晶體諧振器中，當(dāng)振動模式為面剪時(shí)，老化速率較低。彎曲振動時(shí)時(shí)效率較高，延伸振動時(shí)時(shí)效率較高。當(dāng)振動模式相同時(shí)，較低的頻率和較大的極板晶體的老化速率較低。電源電壓的變化可能導(dǎo)致振蕩器電路的有效電阻發(fā)生變化，從而導(dǎo)致頻率漂移。常見的解決方案是使用穩(wěn)壓電源，以確保無論設(shè)備消耗多少電流，輸出電壓都將始終保持在電源的額定值。

晶體振蕩器當(dāng)計(jì)數(shù)器減為0時(shí)，產(chǎn)生一個(gè)中斷，計(jì)數(shù)器從保持寄存器中重新裝入初始值。這種方法使得對一個(gè)計(jì)時(shí)器進(jìn)行編程，令其每秒產(chǎn)生60次中斷成為可能。每次中斷稱為一個(gè)時(shí)鐘嘀嗒。晶體振蕩器在電氣上可以等效成一個(gè)電容和一個(gè)電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個(gè)電容的二端網(wǎng)絡(luò)，電工學(xué)上這個(gè)網(wǎng)絡(luò)有兩個(gè)諧振點(diǎn)，以頻率的高低分其中較低的頻率為串聯(lián)諧振，較高的頻率為并聯(lián)諧振。由于晶體自身的特性致使這兩個(gè)頻率的距離相當(dāng)?shù)慕咏谶@個(gè)極窄的頻率范圍內(nèi)，晶體振蕩器等效為一個(gè)電感，所以只要晶體振蕩器的兩端并聯(lián)上合適的電容它就會組成并聯(lián)諧振電路。負(fù)載電容不同，振蕩器的振蕩頻率不同。

石英晶體振蕩器常用的輸出模式主要包括：TTL、CMOS、ECL、PECL、LVDS、Sine Wave。其中TTL、CMOS、ECL、PECL、LVDS均屬于方波，Sine Wave屬于正弦波。這時(shí)候給大家講解到的是晶體振蕩器中的三態(tài)輸出技術(shù)。大多數(shù)數(shù)字系統(tǒng)使用由兩個(gè)狀態(tài)級別0和1表示的二進(jìn)制數(shù)系統(tǒng)。在一些特殊應(yīng)用中，需要第三狀態(tài)(Hi阻抗輸出)。TTL，石英晶體振蕩器提供三態(tài)輸出或三態(tài)啟用/禁用功能。其常見應(yīng)用包括自動測試，總線數(shù)據(jù)傳輸。這三種狀態(tài)是低，高和高阻抗(HiZ或浮動)。高阻抗?fàn)顟B(tài)的輸岀表現(xiàn)得好像它與電路斷開，除了可能有小的漏電流。三態(tài)器件具有使能/禁止輸入，通常在幾乎任何封裝的引腳1上。當(dāng)使能為高電平或懸空時(shí)，器件振蕩(輸出高電平和低電平)，當(dāng)引腳1接地(邏輯“0”)時(shí)，器件進(jìn)入高阻態(tài)。性能越高的晶體振蕩器價(jià)格也越貴，所以購買時(shí)選擇符合要求的晶體振蕩器即可。2520晶體振蕩器銷售廠家

晶體振蕩器可比喻為各板卡的“心跳”發(fā)生器，如果主卡的“心跳”出現(xiàn)問題，必定會使其他各電路出現(xiàn)故障。上海高穩(wěn)晶體振蕩器供應(yīng)

晶體振蕩器的指標(biāo)，標(biāo)稱頻率：振蕩器輸出的中心頻率或頻率的標(biāo)稱值。頻率準(zhǔn)確度：振蕩器輸出頻率在室溫下相對于標(biāo)稱頻率的偏差。調(diào)整頻差：在指定溫度范圍內(nèi)振蕩器輸出頻率相對于25℃時(shí)測量值的較大允許頻率偏差。負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)（產(chǎn)生諧振）的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。上海高穩(wěn)晶體振蕩器供應(yīng)