晶體振蕩器的指標(biāo)，標(biāo)稱(chēng)頻率：振蕩器輸出的中心頻率或頻率的標(biāo)稱(chēng)值。頻率準(zhǔn)確度：振蕩器輸出頻率在室溫下相對(duì)于標(biāo)稱(chēng)頻率的偏差。調(diào)整頻差：在指定溫度范圍內(nèi)振蕩器輸出頻率相對(duì)于25℃時(shí)測(cè)量值的較大允許頻率偏差。負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)（產(chǎn)生諧振）的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。標(biāo)稱(chēng)頻率相同的晶體互換時(shí)還必須要求負(fù)載電容一致，不能輕易互換，否則會(huì)造成電路工作不正常。2016晶體振蕩器廠家推薦
晶振是現(xiàn)在電器里面幾乎不可缺的部件,重要性大家知道,不必細(xì)說(shuō)。利用晶體壓電效應(yīng)：常用打火機(jī)，就是利用晶體壓電效應(yīng)，及煤氣爐里的點(diǎn)火器都是利用晶體壓電效應(yīng)。壓電效應(yīng)：某些電介質(zhì)在沿一定方向上受到外力的作用而變形時(shí)，其內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生極化現(xiàn)象，同時(shí)在它的兩個(gè)相對(duì)表面上出現(xiàn)正負(fù)相反的電荷。當(dāng)外力去掉后，它又會(huì)恢復(fù)到不帶電的狀態(tài)，這種現(xiàn)象稱(chēng)為正壓電效應(yīng)。當(dāng)作用力的方向改變時(shí)，電荷的極性也隨之改變。相反，當(dāng)在電介質(zhì)的極化方向上施加電場(chǎng)，這些電介質(zhì)也會(huì)發(fā)生變形。無(wú)錫低頻晶體振蕩器生產(chǎn)廠家通信網(wǎng)絡(luò)、無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸?shù)认到y(tǒng)就需要精度高的晶體振蕩器。
晶體自己振不起來(lái)，需要加外部電路才能輸出時(shí)鐘信號(hào)（需要用晶體的芯片內(nèi)部都有振蕩電路）。晶振只要通電就能振蕩，并輸出時(shí)鐘信號(hào)。其內(nèi)部自帶振蕩電路。有時(shí)候晶體被叫做無(wú)源晶體，晶振被叫做有源晶體。雖然這個(gè)說(shuō)法不夠準(zhǔn)確，但也足夠形象的體現(xiàn)出晶體和晶振的差別：晶體不需要供電，晶振需要供電。一個(gè)雙端輸出，一個(gè)單端輸出：硬件電路設(shè)計(jì)上的區(qū)別：晶體沒(méi)有供電，但有輸入和輸出兩個(gè)腳。晶振有供電，只有一個(gè)輸出。一個(gè)沒(méi)方向，一個(gè)有方向：晶體沒(méi)有方向，正著反著都能焊都能用。晶振有方向，因?yàn)橹挥幸粋€(gè)輸出腳，焊反了就輸出不到芯片了。
晶體振蕩器的基本概念：壓電效應(yīng)：對(duì)某些電介質(zhì)施加機(jī)械力而引起它們內(nèi)部正負(fù)電荷中心相對(duì)位移，產(chǎn)生極化，從而導(dǎo)致介質(zhì)兩端表面內(nèi)出現(xiàn)符號(hào)相反的束縛電荷.在一定應(yīng)力范圍內(nèi)，機(jī)械力與電荷呈線性可逆關(guān)系。這種現(xiàn)象稱(chēng)為壓電效應(yīng)。作用：提供系統(tǒng)振蕩脈沖，穩(wěn)定頻率，選擇頻率。晶體振蕩器的參數(shù)：標(biāo)稱(chēng)頻率：在規(guī)定條件下，晶體振蕩器的諧振中心頻率；調(diào)整頻差：在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度時(shí)的工作頻率相對(duì)標(biāo)稱(chēng)頻率的較大偏離值；溫度頻差：在規(guī)定條件下，相對(duì)于基準(zhǔn)溫度時(shí)工作頻率的允許偏離值。晶體振蕩器具有自動(dòng)增益控制的振蕩電路，是目前獲得振蕩頻率高穩(wěn)定度的比較理想的技術(shù)方案。
?石英晶振的振蕩頻率按照其規(guī)范中規(guī)定的負(fù)載電容進(jìn)行分類(lèi)，如果實(shí)際負(fù)載電容與規(guī)范中規(guī)定的負(fù)載電容不同，則實(shí)際振蕩頻率可能與石英晶振的標(biāo)稱(chēng)頻率不同，可以通過(guò)以下措施調(diào)整此頻率差異。措施一：①調(diào)整外部負(fù)載電容。②為了改變外部負(fù)載電容，實(shí)際振蕩頻率變低。③如果外部負(fù)載電容很大，請(qǐng)注意振蕩裕度會(huì)很低。④通過(guò)大的外部負(fù)載電容，振蕩幅度可能很小。措施二：①改變指定不同負(fù)載電容的石英晶振。②為了應(yīng)用具有大負(fù)載電容的石英晶振，實(shí)際振蕩頻率變高。③例如:需要30MHz的頻率，并使用規(guī)定頻率為30MHz的石英晶振作為負(fù)載電容，額定頻率為6pF。④但是確認(rèn)實(shí)際振蕩從30MHz低至30ppm。⑤實(shí)際電路板上的負(fù)載電容似乎大于6pF。所以用8pF作為負(fù)載電容改變指定30MHz石英晶振，通過(guò)這種變化，實(shí)際振蕩頻率從30MHz低至5ppm，可以調(diào)整頻率差。晶體振蕩器可比喻為各板卡的“心跳”發(fā)生器，如果主卡的“心跳”出現(xiàn)問(wèn)題，必定會(huì)使其他各電路出現(xiàn)故障。金華2520晶體振蕩器批發(fā)價(jià)
負(fù)載電容是指晶體振蕩器的兩條引線連接的集成電路（IC）內(nèi)部及外部所有有效電容之和。2016晶體振蕩器廠家推薦
晶體振蕩器的主要參數(shù)：負(fù)載電容。負(fù)載電容是指晶體振蕩器的兩條引線連接的集成電路（IC）內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶體振蕩器片在電路中串接電容。負(fù)載電容不同，振蕩器的振蕩頻率不同。但標(biāo)稱(chēng)頻率相同的晶體振蕩器，負(fù)載電容不一定相同。一般來(lái)說(shuō)，有低負(fù)載電容（串聯(lián)諧振晶體）和高負(fù)載電容（并聯(lián)諧振晶體）之分。因此，標(biāo)稱(chēng)頻率相同的晶體互換時(shí)還必須要求負(fù)載電容一致，不能輕易互換，否則會(huì)造成電路工作不正常。頻率準(zhǔn)確度。頻率準(zhǔn)確度是指在標(biāo)稱(chēng)電源電壓、標(biāo)稱(chēng)負(fù)載阻抗、基準(zhǔn)溫度（25℃）以及其他條件保持不變時(shí)，晶體振蕩器的頻率相對(duì)于其規(guī)定標(biāo)稱(chēng)值的較大允許偏差。2016晶體振蕩器廠家推薦