如果在石英晶片上加上交變電壓，晶體就會產生機械振動，機械形變振動又會產生交變電場，盡管這種交變電場的電壓極其微弱，但其振動頻率是十分穩(wěn)定的。當外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率（與切割后的晶片尺寸有關，晶體愈薄，切割難度越大，諧振頻率越高）相等時，機械振動的幅度將急劇增加，這種現象稱為“壓電諧振”。通常廠家的晶振元件數據手冊給出的標稱頻率不是Fr或FL，實際的晶體元件應用于振蕩電路中時，它一般還會與負載電容相聯(lián)接，共同作用使晶體工作于Fr和FL之間的某個頻率，這個頻率由振蕩電路的相位和有效電抗確定，通過改變電路的電抗條件，就可以在有限的范圍內調節(jié)晶體頻率。石英晶體有兩個諧振頻率，即fs和fp，fp略大于fs。杭州25兆晶振批發(fā)

石英晶體振蕩器分為非溫度補償式晶體振蕩器、溫度補償式晶體振蕩器、電壓控制晶體振蕩器、恒溫控制式晶體振蕩器和數字化/μp補償式晶體振蕩器等幾種類型。其中，非溫度補償式晶體振蕩器是較簡單的一種，在日本工業(yè)標準中稱之為標準封裝晶體振蕩器。恒溫控制式晶體振蕩器。恒溫控制式晶體振蕩器是利用恒溫槽使晶體振蕩器或石英晶體振子的溫度保持恒定，將由周圍溫度變化引起的振蕩器輸出頻率變化量削減到較小的晶體振蕩器，在OCXO中，有的只將石英晶體振子置于恒溫槽中，有的是將石英晶體振子和有關重要元器件置于恒溫槽中。溫州定制晶振價格具有自動增益控制的振蕩電路，是目前獲得振蕩頻率高穩(wěn)定度的比較理想的技術方案。

在一般情況下，晶片機械振動的振幅和交變電場的振幅非常微小，但當外加交變電壓的頻率為某一特定值時，振幅明顯加大，比其他頻率下的振幅大得多，這種現象稱為壓電諧振，它與LC回路的諧振現象十分相似。它的諧振頻率與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等有關。當晶體不振動時，可把它看成一個平板電容器稱為靜電電容C，它的大小與晶片的幾何尺寸、電極面積有關，一般約幾個皮法到幾十皮法。當晶體振蕩時，機械振動的慣性可用電感L來等效。一般L的值為幾十豪亨到幾百豪亨。晶片的彈性可用電容C來等效，C的值很小，一般只有0.0002～0.1皮法。晶片振動時因摩擦而造成的損耗用R來等效，它的數值約為100歐。

晶振和 IC 間一般是通過銅走線相連的，這根走線可以看成一段導線或數段導線，導線在切割磁力線的時候會產生電流，導線越長，產生的電流越強。現實中，磁力線不常見，電磁波卻到處都是，例如：無線廣播發(fā)射、電視塔發(fā)射、手機通訊等等。晶振和IC之間的連線就變成了接收天線，它越長，接收的信號就 越強，產生的電能量就越強，直到接收到的電信號強度超過或接近晶振產生的信號強度時，IC內的放大電路輸出的將不再是固定頻率的方波了，而是亂七八糟的信 號，導致數字電路無法同步工作而出錯。所以，畫PCB（電路板）的時候，晶振離它的放大電路（IC管腳）越近越好。石英晶體振子置于內部的恒溫槽中，振蕩電路置于外部的恒溫槽中進行溫度補償，實行雙重恒溫槽控制法。

單片機晶振與速度的疑問，執(zhí)行一條指令的周期不是由晶振決定的嗎。那么比如51單片機和MSP430，給51接高速晶振，430接低速的，是不是51跑的要快？是不是速度單片機速度光光與晶振有關，關鍵是單片機能不能支持那么大的晶振？每個單片機的速度是受到內部邏輯門電平跳變速度的。對于一個51，給他用更高的晶振，速度會快些。但是對于高級的單片機就不一樣了。高級單片機內部，一般都是有頻率控制寄存器的，所以，簡單的增加晶振，可能達到單片機的極限，導致跑飛。標稱頻率相同的晶振，負載電容不一定相同。蘇州溫控晶振貴不貴

負載電容是指晶振的兩條引線連接的集成電路（IC）內部及外部所有有效電容之和。杭州25兆晶振批發(fā)

石英晶體諧振器（英文：quartz crystal unit或quartz crystal resonator，常被標識為Xtal，Extenal Crystal Osillator，外部晶振器，因為晶振單元常常作為電路外接），簡稱石英晶體或晶振，是利用石英晶體（又稱水晶）的壓電效應，用來產生高精度振蕩頻率的一種電子元件，屬于被動元件。該元件主要由石英晶片、基座、外殼、銀膠、銀等成分組成。根據引線狀況可分為直插（有引線）與表面貼裝（無引線）兩種類型。當前常見的主要封裝型號有HC-49U、HC-49/S、GLASS、UM-1、UM-4、UM-5與SMD。杭州25兆晶振批發(fā)

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