功率MOSFET的設(shè)計過程中采取措施使其中的寄生晶體管盡量不起作用。在不同代功率MOSFET中其措施各有不同，但總的原則是使漏極下的橫向電阻RB 盡量小。因為只有在漏極N區(qū)下的橫向電阻流過足夠電流為這個N區(qū)建立正偏的條件時，寄生的雙極性晶閘管才開始發(fā)難。然而在嚴峻的動態(tài)條件下，因du/dt 通過相應(yīng)電容引起的橫向電流有可能足夠大。此時這個寄生的雙極性晶體管就會起動，有可能給MOSFET帶來損壞。所以考慮瞬態(tài)性能時對功率MOSFET器件內(nèi)部的各個電容（它是dv/dt的通道）都必須予以注意。瞬態(tài)情況是和線路情況密切相關(guān)的，這方面在應(yīng)用中應(yīng)給予足夠重視。對器件要有深入了解，才能有利于理解和分析相應(yīng)的問題。MOSFET柵極使用多晶硅取代了金屬。張家港高壓P管MOSFET設(shè)計

柵極氧化層漏電流增加?xùn)艠O氧化層隨著MOSFET尺寸變小而越來越薄，主流的半導(dǎo)體制程中，甚至已經(jīng)做出厚度 有1.2納米的柵極氧化層，大約等于5個原子疊在一起的厚度而已。在這種尺度下，所有的物理現(xiàn)象都在量子力學(xué)所規(guī)范的世界內(nèi)，例如電子的穿隧效應(yīng)（tunneling effect）。因為穿隧效應(yīng)，有些電子有機會越過氧化層所形成的位能障壁（potential barrier）而產(chǎn)生漏電流，這也是 集成電路芯片功耗的來源之一。為了解決這個問題，有一些介電常數(shù)比二氧化硅更高的物質(zhì)被用在柵極氧化層中。例如鉿（Hafnium）和鋯（Zirconium）的金屬氧化物（二氧化鉿、二氧化鋯）等高介電常數(shù)的物質(zhì)均能有效降低柵極漏電流。柵極氧化層的介電常數(shù)增加后，柵極的厚度便能增加而維持一樣的電容大小。廈門高壓N管MOSFET技術(shù)參數(shù)MOSFET結(jié)構(gòu)：為了改善某些參數(shù)的特性，如提高工作電流、提高工作電壓特性等有不同的結(jié)構(gòu)及工藝。

為何要把MOSFET的尺寸縮小基于以下幾個理由，我們希望MOSFET的尺寸能越小越好。 ，越小的MOSFET象征其通道長度減少，讓通道的等效電阻也減少，可以讓更多電流通過。雖然通道寬度也可能跟著變小而讓通道等效電阻變大，但是如果能降低單位電阻的大小，那么這個問題就可以解決。其次，MOSFET的尺寸變小意味著柵極面積減少，如此可以降低等效的柵極電容。此外，越小的柵極通常會有更薄的柵極氧化層，這可以讓前面提到的通道單位電阻值降低。不過這樣的改變同時會讓柵極電容反而變得較大，但是和減少的通道電阻相比，獲得的好處仍然多過壞處，而MOSFET在尺寸縮小后的切換速度也會因為上面兩個因素加總而變快。第三個理由是MOSFET的面積越小，制造芯片的成本就可以降低，在同樣的封裝里可以裝下更高密度的芯片。一片集成電路制程使用的晶圓尺寸是固定的，所以如果芯片面積越小，同樣大小的晶圓就可以產(chǎn)出更多的芯片，于是成本就變得更低了。

功率MOSFET的基本特性：漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關(guān)系稱為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性，ID較大時，ID與UGS的關(guān)系近似線性，曲線的斜率定義為跨導(dǎo)Gfs。MOSFET的漏極伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對應(yīng)于GTR的截止區(qū)）；飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的放大區(qū)）；非飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）。電力 MOSFET工作在開關(guān)狀態(tài)，即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來回轉(zhuǎn)換。電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時器件導(dǎo)通。電力 MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對器件并聯(lián)時的均流有利。MOSFET是電壓驅(qū)動的。

選擇正確的MOSFET的方式：計算導(dǎo)通損耗，MOSFET器件的功率耗損可由Iload2×RDS（ON）計算，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對便攜式設(shè)計來說，采用較低的電壓比較容易 （較為普遍），而對于工業(yè)設(shè)計，可采用較高的電壓。注意RDS（ON）電阻會隨著電流輕微上升。計算系統(tǒng)的散熱要求，設(shè)計人員必須考慮兩種不同的情況，即壞情況和真實情況。建議采用針對壞情況的計算結(jié)果，因為這 個結(jié)果提供更大的安全余量，能確保系統(tǒng)不會失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量數(shù)據(jù)；比如封裝器件的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻，以及大的結(jié)溫。開關(guān)損耗其實也是一個很重要的指標(biāo)。導(dǎo)通瞬間的電壓電流乘積相當(dāng)大，一定程度上決定了器件的開關(guān)性能。不過，如果系統(tǒng)對開關(guān)性能要求比較高，可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET。我們所說的MOSFET，指的是什么？廈門高壓N管MOSFET技術(shù)參數(shù)

MOSFET的特點有哪些？張家港高壓P管MOSFET設(shè)計

當(dāng)VGS繼續(xù)增大，負電荷增加，導(dǎo)電溝道擴大，電阻降低，ID也隨之增加，并且呈較好線性關(guān)系，如圖3所示。此曲線稱為轉(zhuǎn)換特性。因此在一定范圍內(nèi)可以認為，改變VGS來控制漏源之間的電阻，達到控制ID的作用。由于這種結(jié)構(gòu)在VGS=0時，ID=0，稱這種MOSFET為增強型。另一類MOSFET，在VGS=0時也有一定的ID（稱為IDSS），這種MOSFET稱為耗盡型。它的結(jié)構(gòu)如圖4所示，它的轉(zhuǎn)移特性如圖5所示。VP為夾斷電壓（ID=0）。耗盡型與增強型主要區(qū)別是在制造SiO2絕緣層中有大量的正離子，使在P型襯底的界面上感應(yīng)出較多的負電荷，即在兩個N型區(qū)中間的P型硅內(nèi)形成一N型硅薄層而形成一導(dǎo)電溝道，所以在VGS=0時，有VDS作用時也有一定的ID(IDSS）；當(dāng)VGS有電壓時（可以是正電壓或負電壓），改變感應(yīng)的負電荷數(shù)量，從而改變ID的大小。VP為ID=0時的-VGS，稱為夾斷電壓。張家港高壓P管MOSFET設(shè)計

上海光宇睿芯微電子有限公司坐落在張衡路198弄10號樓502A，是一家專業(yè)的上海光宇睿芯微電子有限公司座落于上海浦東張江高科技園區(qū)內(nèi)，是專業(yè)從事半導(dǎo)體過電壓保護器件、功率MOSFT頁件、集成電照的設(shè)計與銷售的****，是國內(nèi)掌握半導(dǎo)體過壓保護器件和集成電路設(shè)計的供應(yīng)商之一。公司產(chǎn)品品種多，覆蓋范圍廣，已廣泛應(yīng)用于通訊系統(tǒng)的接口保護、手機接口保護、掌上數(shù)碼產(chǎn)品接口保護、電源系統(tǒng)的過壓保護、鋰電池的BMS和電機驅(qū)動。 公司。公司目前擁有專業(yè)的技術(shù)員工，為員工提供廣闊的發(fā)展平臺與成長空間，為客戶提供高質(zhì)的產(chǎn)品服務(wù)，深受員工與客戶好評。公司業(yè)務(wù)范圍主要包括：MOSFET場效應(yīng)管，ESD保護器件，穩(wěn)壓管價格，傳感器等。公司奉行顧客至上、質(zhì)量為本的經(jīng)營宗旨，深受客戶好評。公司憑著雄厚的技術(shù)力量、飽滿的工作態(tài)度、扎實的工作作風(fēng)、良好的職業(yè)道德，樹立了良好的MOSFET場效應(yīng)管，ESD保護器件，穩(wěn)壓管價格，傳感器形象，贏得了社會各界的信任和認可。