MOSFET應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，而雙極結(jié)型晶體管是電流控制元件。在只允許從取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用雙極晶體管。有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比雙極晶體管好。場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而雙極結(jié)型晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。因此被稱之為雙極型器件。MOSFET本身的操作速度越來(lái)越快，幾乎成為各種半導(dǎo)體主動(dòng)元件中極快的一種。張家港低壓N+PMOSFET開(kāi)關(guān)管

MOSFET需求增長(zhǎng)源于物聯(lián)網(wǎng)、3C產(chǎn)品、云端運(yùn)算及服務(wù)器等的快速發(fā)展。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，簡(jiǎn)稱包括NMOS、PMOS等。MOSFET的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時(shí)關(guān)注以下主要參數(shù)：1、IDSS—飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓UGS=0時(shí)的漏源電流。2、UP—夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。3、UT—開(kāi)啟電壓。是指增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。4、gM—跨導(dǎo)。是表示柵源電壓UGS—對(duì)漏極電流ID的控制能力，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM是衡量場(chǎng)效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。廈門高壓P管MOSFET定制MOSFET的柵極選擇電性良好的導(dǎo)體，多晶硅在經(jīng)過(guò)重?fù)诫s之后的導(dǎo)電性可以用在MOSFET的柵極上。

當(dāng)芯片上的晶體管數(shù)量大幅增加后，有一個(gè)無(wú)法避免的問(wèn)題也跟著發(fā)生了，那就是芯片的發(fā)熱量也大幅增加。一般的集成電路元件在高溫下操作可能會(huì)導(dǎo)致切換速度受到影響，或是導(dǎo)致可靠度與壽命的問(wèn)題。在一些發(fā)熱量非常高的集成電路芯片如微處理器，需要使用外加的散熱系統(tǒng)來(lái)緩和這個(gè)問(wèn)題。在功率晶體管（Power MOSFET）的領(lǐng)域里，通道電阻常常會(huì)因?yàn)闇囟壬叨黾?，這樣也使得在元件中pn-接面（pn-junction）導(dǎo)致的功率損耗增加。假設(shè)外置的散熱系統(tǒng)無(wú)法讓功率晶體管的溫度保持在夠低的水平，很有可能讓這些功率晶體管遭到熱破壞（thermal runaway）的命運(yùn)。

對(duì)這個(gè)NMOS而言，真正用來(lái)作為通道、讓載流子通過(guò)的只有MOS電容正下方半導(dǎo)體的表面區(qū)域。當(dāng)一個(gè)正電壓施加在柵極上，帶負(fù)電的電子就會(huì)被吸引至表面，形成通道，讓N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子—電子可以從源極流向漏極。如果這個(gè)電壓被移除，或是放上一個(gè)負(fù)電壓，那么通道就無(wú)法形成，載流子也無(wú)法在源極與漏極之間流動(dòng)。假設(shè)操作的對(duì)象換成PMOS，那么源極與漏極為P型、基體則是N型。在PMOS的柵極上施加負(fù)電壓，則半導(dǎo)體上的空穴會(huì)被吸引到表面形成通道，半導(dǎo)體的多數(shù)載流子—空穴則可以從源極流向漏極。假設(shè)這個(gè)負(fù)電壓被移除，或是加上正電壓，那么通道無(wú)法形成，一樣無(wú)法讓載流子在源極和漏極間流動(dòng)。特別要說(shuō)明的是，源極在MOSFET里的意思是“提供多數(shù)載流子的來(lái)源”。對(duì)NMOS而言，多數(shù)載流子是電子；對(duì)PMOS而言，多數(shù)載流子是空穴。相對(duì)的，漏極就是接受多數(shù)載流子的端點(diǎn)。在MOSFET器件應(yīng)用時(shí)必須掌握在應(yīng)用中如何保護(hù)器件，不使器件在瞬態(tài)變化中受損害。

一個(gè)NMOS晶體管的立體截面圖左圖是一個(gè)N型 MOSFET（以下簡(jiǎn)稱NMOS）的截面圖。如前所述，MOSFET的 是位于 的MOS電容，而左右兩側(cè)則是它的源極與漏極。源極與漏極的特性必須同為N型（即NMOS）或是同為P型（即PMOS）。右圖NMOS的源極與漏極上標(biāo)示的“N+” 著兩個(gè)意義：⑴N 摻雜（doped）在源極與漏極區(qū)域的雜質(zhì)極性為N；⑵“+” 這個(gè)區(qū)域?yàn)楦邠诫s濃度區(qū)域（heavily doped region），也就是此區(qū)的電子濃度遠(yuǎn)高于其他區(qū)域。在源極與漏極之間被一個(gè)極性相反的區(qū)域隔開(kāi)，也就是所謂的基極（或稱基體）區(qū)域。如果是NMOS，那么其基體區(qū)的摻雜就是P型。反之對(duì)PMOS而言，基體應(yīng)該是N型，而源極與漏極則為P型（而且是重（讀作zhong）摻雜的P+）。基體的摻雜濃度不需要如源極或漏極那么高，故在右圖中沒(méi)有“+”。MOSFET計(jì)算系統(tǒng)的散熱要求，可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET。太倉(cāng)P-CHANNELMOSFET

MOSFET的臨界電壓是由柵極與通道材料的功函數(shù)之間的差異來(lái)決定的 。張家港低壓N+PMOSFET開(kāi)關(guān)管

功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)通常要求：觸發(fā)脈沖要具有足夠快的上升和下降速度；②開(kāi)通時(shí)以低電阻力柵極電容充電，關(guān)斷時(shí)為柵極提供低 電阻放電回路，以提高功率MOSFET的開(kāi)關(guān)速度；③為了使功率MOSFET可靠觸發(fā)導(dǎo)通，觸發(fā)脈沖電壓應(yīng)高于管子的開(kāi)啟電壓，為了防止誤導(dǎo)通，在其截止 時(shí)應(yīng)提供負(fù)的柵源電壓；④功率開(kāi)關(guān)管開(kāi)關(guān)時(shí)所需驅(qū)動(dòng)電流為柵極電容的充放電電流，功率管極間電容越大，所需電流越大，即帶負(fù)載能力越大。功率MOSFET屬于電壓型控制器件，只要柵極和源極之間施加的電壓超過(guò)其閥值電壓就會(huì)導(dǎo)通。由于MOSFET存在結(jié)電容，關(guān)斷時(shí)其漏源兩端電壓的突然上升將會(huì)通過(guò)結(jié)電容在柵源兩端產(chǎn)生干擾電壓。常用的互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)斷回路阻抗小，關(guān)斷速度較快，但它不能提供負(fù)壓，故抗干擾性較差。為了提高電路的抗干 擾性，可在此種驅(qū)動(dòng)電路的基礎(chǔ)上增加一級(jí)有V1、V2、R組成的電路，產(chǎn)生一個(gè)負(fù)壓。張家港低壓N+PMOSFET開(kāi)關(guān)管

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