對這個NMOS而言，真正用來作為通道、讓載流子通過的只有MOS電容正下方半導體的表面區(qū)域。當一個正電壓施加在柵極上，帶負電的電子就會被吸引至表面，形成通道，讓N型半導體的多數(shù)載流子—電子可以從源極流向漏極。如果這個電壓被移除，或是放上一個負電壓，那么通道就無法形成，載流子也無法在源極與漏極之間流動。假設操作的對象換成PMOS，那么源極與漏極為P型、基體則是N型。在PMOS的柵極上施加負電壓，則半導體上的空穴會被吸引到表面形成通道，半導體的多數(shù)載流子—空穴則可以從源極流向漏極。假設這個負電壓被移除，或是加上正電壓，那么通道無法形成，一樣無法讓載流子在源極和漏極間流動。特別要說明的是，源極在MOSFET里的意思是“提供多數(shù)載流子的來源”。對NMOS而言，多數(shù)載流子是電子；對PMOS而言，多數(shù)載流子是空穴。相對的，漏極就是接受多數(shù)載流子的端點。MOSFET的尺寸變小意味著柵極面積減少，如此可以降低等效的柵極電容。耗盡型MOSFET市場

隨半導體制造技術的進步，對于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升，此時用MOSFET設計模擬電路的一個優(yōu)點也隨之浮現(xiàn)。為了減少在印刷電路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成電路數(shù)量、減少封裝成本與縮小系統(tǒng)的體積，很多原本單獨的類比芯片與數(shù)位芯片被整合至同一個芯片內。MOSFET原本在數(shù)位集成電路上就有很大的競爭優(yōu)勢，在類比集成電路上也大量采用MOSFET之后，把這兩種不同功能的電路整合起來的困難度也明顯的下降。另外像是某些混合信號電路（Mixed-signal circuits），如類比/數(shù)位轉換器（Analog-to-Digital Converter,ADC），也得以利用MOSFET技術設計出效能更好的產品。杭州MOSFET費用MOSFET較常見的設計是以一條直線表示通道，兩條和通道垂直的線表示源極與漏極。

單一MOSFET開關：當NMOS用來做開關時，其基極接地，柵極為控制開關的端點。當柵極電壓減去源極電壓超過其導通的臨界電壓時，此開關的狀態(tài)為導通。柵極電壓繼續(xù)升高，則NMOS能通過的電流就更大。NMOS做開關時操作在線性區(qū)，因為源極與漏極的電壓在開關為導通時會趨向一致。PMOS做開關時，其基極接至電路里電位高的地方，通常是電源。柵極的電壓比源極低、超過其臨界電壓時，PMOS開關會打開。NMOS開關能容許通過的電壓上限為（Vgate-Vthn），而PMOS開關則為（Vgate+Vthp），這個值通常不是信號原本的電壓振幅，也就是說單一MOSFET開關會有讓信號振幅變小、信號失真的缺點。

DC/DC開關控制器的MOSFET選擇是一個復雜的過程。只考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內，必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中，這種情況會變得更加復雜。選擇FET時需要考慮的因素包括額定電壓、環(huán)境溫度、開關頻率、控制器驅動能力和散熱組件面積。關鍵問題是，如果功耗過高且散熱不足，則FET可能會過熱起火。我們可以利用封裝/散熱組件ThetaJA或者熱敏電阻、FET功耗和環(huán)境溫度估算某個FET的結溫。降低高壓MOSFET導通電阻的原因：不同耐壓的MOSFET，其導通電阻中各部分電阻比例分布也不同。

一個NMOS晶體管的立體截面圖左圖是一個N型 MOSFET（以下簡稱NMOS）的截面圖。如前所述，MOSFET的 是位于 的MOS電容，而左右兩側則是它的源極與漏極。源極與漏極的特性必須同為N型（即NMOS）或是同為P型（即PMOS）。右圖NMOS的源極與漏極上標示的“N+” 著兩個意義：⑴N 摻雜（doped）在源極與漏極區(qū)域的雜質極性為N；⑵“+” 這個區(qū)域為高摻雜濃度區(qū)域（heavily doped region），也就是此區(qū)的電子濃度遠高于其他區(qū)域。在源極與漏極之間被一個極性相反的區(qū)域隔開，也就是所謂的基極（或稱基體）區(qū)域。如果是NMOS，那么其基體區(qū)的摻雜就是P型。反之對PMOS而言，基體應該是N型，而源極與漏極則為P型（而且是重（讀作zhong）摻雜的P+）?；w的摻雜濃度不需要如源極或漏極那么高，故在右圖中沒有“+”。垂直式功率MOSFET多半用來做開關切換之用。廈門DUAL P-CHANNELMOSFET技術參數(shù)

在集成電路中的MOSFET通常因為使用同一個基極（common bulk），所以不標示出基極的極性。耗盡型MOSFET市場

功率MOSFET按垂直導電結構的差異，又分為利用V型槽實現(xiàn)垂直導電的VVMOSFET和具有垂直導電雙擴散MOS結構的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET），功率MOSFET為多元集成結構，MOSFET的漏極伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對應于GTR的截止區(qū)）；飽和區(qū)（對應于GTR的放大區(qū)）；非飽和區(qū)（對應于GTR的飽和區(qū)）。電力MOSFET工作在開關狀態(tài)，即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來回轉換。電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時器件導通。電力MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對器件并聯(lián)時的均流有利。耗盡型MOSFET市場

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