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來源: 發(fā)布時間:2025-05-22

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    本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液,通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑,來改善磷酸的浸潤性和表面張力,使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術(shù):氮化硅是一種具有很高的化學(xué)穩(wěn)定性的絕緣材料,氫氟酸和熱磷酸能對氮化硅進行緩慢地腐蝕。在半導(dǎo)體制造工藝中,一般是采用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻,一直到了90nm的制程也是采用熱磷酸來蝕刻氮化硅。但隨著半導(dǎo)體制程的飛速發(fā)展,器件的特征尺寸越來越小,集成度越來越高,對制造工藝中的各工藝節(jié)點要求也越來越高,如蝕刻工藝中對蝕刻后晶圓表面的均勻性、蝕刻殘留、下層薄膜的選擇性等都有要求。在使用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻時,晶圓表面會出現(xiàn)不均勻的現(xiàn)象,體現(xiàn)于在蝕刻前后進行相同位置取點的厚度測量時,檢測點之間蝕刻前后的厚度差值存在明顯差異。為了解決氮化硅蝕刻不均勻的問題,通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑可以實現(xiàn)氮化硅層的均勻蝕刻。技術(shù)實現(xiàn)要素:本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種能均勻蝕刻氮化硅層的蝕刻液。本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液,所述蝕刻液的組成包括:占蝕刻液總重量≥88%的磷酸、%的醇醚類、%的表面活性劑。進一步地,本發(fā)明涉及上述蝕刻液。

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