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    所述的磷酸濃度為82-87%。進(jìn)一步地,本發(fā)明涉及上述蝕刻液,醇醚類的含量為%。進(jìn)一步地,本發(fā)明涉及上述蝕刻液,表面活性劑的含量為%。進(jìn)一步地,本發(fā)明涉及上述蝕刻液,所述的醇醚類為選自二乙二醇單甲醚、丙二醇丁醚、二丙二醇甲醚、二乙二醇丁醚、三乙二醇乙醚、三丙二醇單甲醚、三甘醇單丁醚等中的至少一種;表面活性劑為選自脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p、壬基酚聚氧乙烯醚np-10、聚乙二醇硬脂酸酯egms、烷基酚聚氧乙烯醚硫酸鈉、月桂酰氨乙基硫酸鈉、醇醚羧酸鹽等中的至少一種。進(jìn)一步地,在使用本發(fā)明的蝕刻液進(jìn)行氮化硅層蝕刻時(shí),蝕刻溫度為152-165℃,蝕刻時(shí)間為5-60min。通過(guò)在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑,改善了磷酸的浸潤(rùn)性和表面張力,明顯提高了蝕刻液對(duì)氮化硅層的潤(rùn)濕和蝕刻均勻性。為了便于驗(yàn)證氮化硅薄膜層的蝕刻均勻性,本發(fā)明使用淀積了氮化硅薄膜的晶圓樣片(初始厚度約為)。蝕刻液配制完成后,先使用表面張力儀檢測(cè)該蝕刻液的表面張力;然后將氮化硅晶圓片切割成1cm*3cm的小樣片,采用超純水清洗和氮?dú)獯蹈珊?,使用接觸角測(cè)量?jī)x檢測(cè)蝕刻液對(duì)氮化硅層的接觸角大小。在蝕刻前,使用橢圓偏振光譜儀對(duì)氮化硅樣片取不同位置共6個(gè)點(diǎn)進(jìn)行厚度的測(cè)量。

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    本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液,通過(guò)在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑,來(lái)改善磷酸的浸潤(rùn)性和表面張力,使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術(shù):氮化硅是一種具有很高的化學(xué)穩(wěn)定性的絕緣材料,氫氟酸和熱磷酸能對(duì)氮化硅進(jìn)行緩慢地腐蝕。在半導(dǎo)體制造工藝中,一般是采用熱磷酸對(duì)氮化硅進(jìn)行蝕刻,一直到了90nm的制程也是采用熱磷酸來(lái)蝕刻氮化硅。但隨著半導(dǎo)體制程的飛速發(fā)展,器件的特征尺寸越來(lái)越小,集成度越來(lái)越高,對(duì)制造工藝中的各工藝節(jié)點(diǎn)要求也越來(lái)越高,如蝕刻工藝中對(duì)蝕刻后晶圓表面的均勻性、蝕刻殘留、下層薄膜的選擇性等都有要求。在使用熱磷酸對(duì)氮化硅進(jìn)行蝕刻時(shí),晶圓表面會(huì)出現(xiàn)不均勻的現(xiàn)象,體現(xiàn)于在蝕刻前后進(jìn)行相同位置取點(diǎn)的厚度測(cè)量時(shí),檢測(cè)點(diǎn)之間蝕刻前后的厚度差值存在明顯差異。為了解決氮化硅蝕刻不均勻的問(wèn)題,通過(guò)在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑可以實(shí)現(xiàn)氮化硅層的均勻蝕刻。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種能均勻蝕刻氮化硅層的蝕刻液。本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液,所述蝕刻液的組成包括:占蝕刻液總重量≥88%的磷酸、%的醇醚類、%的表面活性劑。進(jìn)一步地,本發(fā)明涉及上述蝕刻液。BOE蝕刻液公司的聯(lián)系方式。安徽技術(shù)密集BOE蝕刻液訂做價(jià)格

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