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電壓和電流的選擇。額定電壓越大，器件的成本就越高。根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護(hù)，使MOSFET不 會(huì)失效。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓，即較大VDS。設(shè)計(jì)工程師需要考慮的其他安全因素...

搭建如下電路，使集電結(jié)反偏，發(fā)射結(jié)正偏。反向偏置的集電結(jié)在外部電場(chǎng)的幫助下變寬，同時(shí)正向偏置的發(fā)射結(jié)，由于內(nèi)部電場(chǎng)被削弱，自由電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)，發(fā)射區(qū)內(nèi)部的大量自由電子擴(kuò)散到了基區(qū)，被集電結(jié)的內(nèi)部電場(chǎng)捕獲，被電場(chǎng)加速送到了集電結(jié)，集電區(qū)內(nèi)部的自由電子被反向偏置...

溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理：vGS對(duì)iD及溝道的控制作用① vGS=0 的情況，增強(qiáng)型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個(gè)背靠背的PN結(jié)。當(dāng)柵——源電壓vGS=0時(shí)，即使加上漏——源電壓vDS，而且不論vDS的極性如何，總有一個(gè)PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，...

晶體三極管的種類：硅管和鍺管（按半導(dǎo)體材料分），鍺管比硅管的起始工工作電壓低、飽和壓降較低。三極管導(dǎo)通時(shí)，發(fā)射極和集電極的電壓鍺管比硅管更低。因?yàn)殒N材料制成的PN結(jié)比硅材料制成的PN結(jié)的正向?qū)妷旱停罢邽?.2～0.3V，后者為0.6～0.7V。所以鍺三極...

二極管的伏安特性曲線，半導(dǎo)體二極管較重要的特性是單向?qū)щ娦浴＜串?dāng)外加正向電壓時(shí)，它呈現(xiàn)的電阻（正向電阻）比較小，通過(guò)的電流比較大，當(dāng)外加反向電壓時(shí)，它呈現(xiàn)的電阻（反向電阻）很大，通過(guò)的電流很小（通?？梢院雎圆挥?jì)）。反映二極管的電流隨電壓變化的關(guān)系曲線，叫做二極...

二極管串聯(lián)的情況。顯然在理想條件下,有幾只管子串聯(lián),每只管子承受的反向電壓就應(yīng)等于總電壓的幾分之一。但因?yàn)槊恐欢O管的反向電阻不盡相同,會(huì)造成電壓分配不均:內(nèi)阻大的二極管,有可能由于電壓過(guò)高而被擊穿,并由此引起連鎖反應(yīng),逐個(gè)把二極管擊穿。在二極管上并聯(lián)的電阻R...

三極管的應(yīng)用：放大作用，三極管較主要的功能就是放大功能。通過(guò)控制輸入信號(hào)的大小，三極管可以對(duì)電流進(jìn)行放大，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)信號(hào)的增強(qiáng)。其基于小電流控制大電流的原則，通過(guò)較小的基極電流IB來(lái)控制較大的集電極電流IC。當(dāng)基極電流IB有微小的變化時(shí)，會(huì)引發(fā)集電極電流IC和...

穩(wěn)壓二極管和普通二極管結(jié)構(gòu)區(qū)別，穩(wěn)壓二極管和普通二極管在結(jié)構(gòu)上也有所不同。穩(wěn)壓二極管一般由三層不同類型的半導(dǎo)體材料組成，即P型半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體和Intrinsic型半導(dǎo)體。這種特殊結(jié)構(gòu)使得穩(wěn)壓二極管在反向電壓超過(guò)其工作電壓時(shí)，能夠迅速將反向電流增大，同時(shí)保持...

極限參數(shù)：a.集電極較大允許電流ICM集電極較大允許電流是指當(dāng)集電極電流IC增加到某一數(shù)值，引起β值下降到額定值的2/3或1/2時(shí)的IC值。所以當(dāng)集電極電流超過(guò)集電極較大允許電流時(shí)，雖然不致使管子損壞，但β值明顯下降，影響放大質(zhì)量。b.集電極—基極擊穿電壓U(...

以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個(gè)高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通，二者總保持等電位。當(dāng)漏接電源正極，源極接電源負(fù)極并使VGS=0時(shí)，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的...

三極管的分類：三極管的應(yīng)用十分普遍，種類繁多，分類方式也多種多樣。根據(jù)結(jié)構(gòu)：NPN型三極管；PNP型三極管。根據(jù)功率：小功率三極管；中等功率三極管；大功率三極管。根據(jù)工作頻率：低頻三極管；高頻三極管。根據(jù)封裝形式：金屬封裝型，塑料封裝型。6、根據(jù)PN結(jié)材料：鍺...

LED 燈具的驅(qū)動(dòng)。設(shè)計(jì)LED燈具的時(shí)候經(jīng)常要使用MOS管，對(duì)LED恒流驅(qū)動(dòng)而言，一般使用NMOS。功率MOSFET和雙極型晶體管不同，它的柵極電容比較大，在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電，當(dāng)電容電壓超過(guò)閾值電壓(VGS-TH)時(shí)MOSFET才開(kāi)始導(dǎo)通。因此，設(shè)計(jì)時(shí)...

二極管的反向特性：當(dāng)外加反向電壓時(shí)，所加的反向電壓加強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多數(shù)載流子的阻擋，所以二極管中幾乎沒(méi)有電流通過(guò)。但是這時(shí)的外電場(chǎng)能促使少數(shù)載流子漂移，所以少數(shù)載流子形成很小的反向電流。由于少數(shù)載流子數(shù)量有限，只要加不大的反向電壓就可以使全部少數(shù)載流子越過(guò)PN結(jié)...

晶體三極管的種類：硅管和鍺管（按半導(dǎo)體材料分），鍺管比硅管的起始工工作電壓低、飽和壓降較低。三極管導(dǎo)通時(shí)，發(fā)射極和集電極的電壓鍺管比硅管更低。因?yàn)殒N材料制成的PN結(jié)比硅材料制成的PN結(jié)的正向?qū)妷旱停罢邽?.2～0.3V，后者為0.6～0.7V。所以鍺三極...

什么叫二極管？二極管分為哪幾種？二極管的主要參數(shù)有哪些？二極管基礎(chǔ)概念，二極管又稱晶體二極管,簡(jiǎn)稱二極管(diode)，另外，還有早期的真空電子二極管；它是一種具有單向傳導(dǎo)電流的電子器件。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個(gè)PN結(jié)兩個(gè)引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方...

二極管特性及參數(shù)：1、二極管伏安特性，導(dǎo)通后分電壓值約為 0.7 V（硅管）或0.3V（鍺管）（LED 約為 1-2 V，電流 5-20 mA）。反向不導(dǎo)通，但如果達(dá)到反向擊穿電壓，那將導(dǎo)通（超過(guò)反向較大電壓可能燒壞）。正向電壓很小時(shí)不導(dǎo)通（0.5 V 以上時(shí)...

三極管飽和情況，像圖1因?yàn)槭艿诫娮鑂c的限制(Rc是固定值，那么較大電流為U/Rc，其中U為電源電壓)，集電極電流是不能無(wú)限增加下去的。當(dāng)基極電流的增大，不能使集電極電流繼續(xù)增大時(shí)，三極管就進(jìn)入了飽和狀態(tài)。一般判斷三極管是否飽和的準(zhǔn)則是：Ib*β〉Ic。進(jìn)入飽...

晶體管的分類 晶體管的種類很多，按照不同的標(biāo)準(zhǔn)可分為多種類型：按導(dǎo)電方式分有npn型晶體管和 pnp型晶體管；按結(jié)構(gòu)形式分有雙極性管（bjt）和三極型晶體管等；按工作電流分有小功率管（小于1a）、大功率管（1~10a）等； 按照用途來(lái)分則有普通型和特種型之分：...

MOSFET應(yīng)用案例解析：開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用從定義上而言，這種應(yīng)用需要MOSFET定期導(dǎo)通和關(guān)斷。同時(shí)，有數(shù)十種拓?fù)淇捎糜陂_(kāi)關(guān)電源，這里考慮一個(gè)簡(jiǎn)單的例子。DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依靠?jī)蓚€(gè)MOSFET來(lái)執(zhí)行開(kāi)關(guān)功能(下圖)，這些開(kāi)關(guān)交替在電感里存儲(chǔ)能量，...

三極管，又叫做雙極型三極管，是一種電流控制電流型半導(dǎo)體元器件，目前的三極管的主要用途是信號(hào)放大，或者作為電子開(kāi)關(guān)使用。復(fù)合管（達(dá)林頓管），復(fù)合晶體管是將兩個(gè)和更多個(gè)晶體管的集電極連在一起，而將頭一只晶體管的發(fā)射極直接耦合到第二只晶體管的基極，依次連接而成，較后...

三極管的兩個(gè)PN結(jié)，類似于兩個(gè)共陰或共陽(yáng)的二極管。與晶閘管和MOS管相比，三極管的特點(diǎn)是具有放大功能，而晶閘管和MOS管則沒(méi)有這種功能。三極管的工作原理。三極管的工作原理基于小電流控制大電流的原則，其工作機(jī)制像一個(gè)可控制的閥門。根據(jù)不同的工作狀態(tài)和連接方式，三...

二極管伏安特性曲線說(shuō)明：1.反向特性，二極管兩端加上反向電壓時(shí)，在開(kāi)始很大范圍內(nèi)，二極管相當(dāng)于非常大的電阻，反向電流很小，且不隨反向電壓而變化。此時(shí)的電流稱之為反向飽和電流IR，見(jiàn)圖中OC（OC′）段。2.溫度對(duì)特性的影響，由于二極管的主要是一個(gè)PN結(jié)，它的導(dǎo)...

三極管工作原理：NPN型三極管的工作原理：我們以NPN型三極管為例，來(lái)講解三極管的工作原理，如圖3所示，為方便理解：以下正電子（空穴），負(fù)電子（自由電子）。（1）當(dāng)NPN三極管b極沒(méi)有電壓輸入時(shí)，由于三極管是兩個(gè)背對(duì)背的PN結(jié)組成，即NP之間、PN之間建立了2...

電流放大原理，下面的分析只對(duì)于NPN型硅三極管.我們把從基極B流至發(fā)射極E的電流叫做基極電流Ib;把從集電極C流至發(fā)射極E的電流叫做集電極電流 Ic.這兩個(gè)電流的方向都是流出發(fā)射極的,所以發(fā)射極E上就用了一個(gè)箭頭來(lái)表示電流的方向.三極管的放大作用就是：集電極電...

眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源極和漏極較大程度上致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同，其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):頭一，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；第二，具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動(dòng)，...

三極管的開(kāi)關(guān)功能，三極管的集電極電流在一定范圍內(nèi)隨基極電流呈線性變化，這就是放大特性。當(dāng)基極電流高過(guò)此范圍時(shí)，三極管集電極電流會(huì)達(dá)到飽和值 （導(dǎo)通），基極電流低于此范圍時(shí)，三極管會(huì)進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)（斷路）， 這種導(dǎo)通或截止的特性在電路中還可起到開(kāi)關(guān)作用。三極管的其...

對(duì)于開(kāi)關(guān)頻率小于100kHz的信號(hào)一般?。?00～500）kHz載波頻率較好，變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅(qū)動(dòng)電路只適合于信號(hào)頻率小于100kHz的場(chǎng)合，因信號(hào)頻率相對(duì)載波頻率太高的話，相對(duì)延時(shí)太多，且...

MOS管發(fā)熱情況有：1.電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開(kāi)關(guān)，G級(jí)電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒(méi)有完全打開(kāi)而壓降過(guò)大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大...

用萬(wàn)用表判斷半導(dǎo)體三極管的極性和類型（用指針式萬(wàn)用表）：1.判別半導(dǎo)體三極管的c極和e極：確定基極后，對(duì)于NPN管，用萬(wàn)用表兩表筆接三極管另外兩極，交替測(cè)量?jī)纱?，若兩次測(cè)量的結(jié)果不相等，則其中測(cè)得阻值較小得一次黑筆接的是e極，紅筆接得是c極（若是PNP型管則黑...

二極管應(yīng)用：1.整流，整流二極管主要用于整流電路，即把交流電變換成脈動(dòng)的直流電。整流二極管都是面結(jié)型，因此結(jié)電容較大，使其工作頻率較低，一般為3kHZ以下。2.開(kāi)關(guān)，二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當(dāng)于一只接通的開(kāi)關(guān)；在反向電壓作用下，電阻很大...