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MOSFET的特性和作用：MOS管導(dǎo)作用，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的，由于SiO2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個(gè)電容存在，電壓VGS產(chǎn)生電場(chǎng)從而導(dǎo)致源source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在...

二極管是否損壞如何判斷：反向擊穿電壓的檢測(cè)，二極管反向擊穿電壓（耐壓值）可以用晶體管直流參數(shù)測(cè)試表測(cè)量。其方法是：測(cè)量二極管時(shí)，應(yīng)將測(cè)試表的“NPN/PNP”選擇鍵設(shè)置為NPN狀態(tài)，再將被測(cè)二極管的正極接測(cè)試表的“C”插孔內(nèi)，負(fù)極插入測(cè)試表的“e”插孔，然后按...

導(dǎo)電溝道的形成：當(dāng)vGS數(shù)值較小，吸引電子的能力不強(qiáng)時(shí)，漏——源極之間仍無(wú)導(dǎo)電溝道出現(xiàn)，如圖1(b)所示。vGS增加時(shí)，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當(dāng)vGS達(dá)到某一數(shù)值時(shí)，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個(gè)N型薄層，且與兩個(gè)N+區(qū)相連通，在漏——源極...

MOS管的工作原理，在開(kāi)關(guān)電源中常用MOS管的漏極開(kāi)路電路，如圖2漏極原封不動(dòng)地接負(fù)載，叫開(kāi)路漏極，開(kāi)路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓，都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流。是理想的模擬開(kāi)關(guān)器件。這就是MOS管做開(kāi)關(guān)器件的原理。當(dāng)然MOS管做開(kāi)關(guān)使用的電路形式比較多了。N...

變?nèi)荻O管：變?nèi)荻O管英文名稱(chēng)為Varactor Diodes，又稱(chēng)可變電抗二極管，是利用PN結(jié)反偏時(shí)結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時(shí)結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大，變?nèi)荻O管的電容量一般較小，其較大值為幾十pF到幾百pF，較大電容與較小電容...

MOSFET的作用如下：1.可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。3.可以用作可變電阻。4.可以方便地用作恒流源。5.可以用作電子...

三極管的作用是通過(guò)電阻將三極管的電流放大作用轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷悍糯笞饔谩?、半導(dǎo)體三極管(Bipolar Junction Transistor)，也稱(chēng)雙極型晶體管、晶體三極管。雙極性晶體管是電子學(xué)歷史上具有革新意義的一項(xiàng)發(fā)明，其發(fā)明者威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特...

二極管（英語(yǔ)：Diode），是一種具有不對(duì)稱(chēng)電導(dǎo)的雙電極電子元件。理想的二極管在正向?qū)〞r(shí)兩個(gè)電極（陽(yáng)極和陰極）間擁有零電阻，而反向時(shí)則有無(wú)窮大電阻，即電流只允許由單一方向流過(guò)二極管。肖特基二極管，基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導(dǎo)體（N型硅片）的接觸面上，用...

三極管的分類(lèi)：1、按材質(zhì)分: 硅管（導(dǎo)通壓降0.7V）、鍺管（導(dǎo)通壓降0.3V）。2、按結(jié)構(gòu)分: NPN 、 PNP。3、按功能分: 開(kāi)關(guān)管、功率管、達(dá)林頓管、光敏管。達(dá)林頓管：又叫復(fù)合管，將兩個(gè)三極管串聯(lián)，以組成一只等效的新的三極管。接法總共有4種：NPN+...

在電子工程領(lǐng)域，二極管作為基礎(chǔ)的電子元件，其種類(lèi)繁多，功能各異。其中，穩(wěn)壓二極管和普通二極管因其獨(dú)特的特性和應(yīng)用場(chǎng)景而備受關(guān)注。本文將詳細(xì)比較穩(wěn)壓二極管與普通二極管的不同之處，以便讀者更好地理解和應(yīng)用這兩種元件。功能區(qū)別，穩(wěn)壓二極管，也被稱(chēng)為齊納二極管，其主要...

二極管的電壓與電流不是線性關(guān)系，所以在將不同的二極管并聯(lián)的時(shí)候要接相適應(yīng)的電阻。二極管工作原理（正向?qū)щ?，反向不?dǎo)電），晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成了空間電荷層，并且建有自建電場(chǎng)，當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，因?yàn)閜-n結(jié)兩...

MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開(kāi)關(guān)電路，MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱(chēng)為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管可分為NPN型PNP型。...

MOS管發(fā)熱情況有：1.電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開(kāi)關(guān)，G級(jí)電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒(méi)有完全打開(kāi)而壓降過(guò)大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大...

在高電壓或大電流的情況下,如果手頭沒(méi)有承受高電壓或整定大電濾的整流元件,可以把二極管串聯(lián)或并聯(lián)起來(lái)使用，二極管并聯(lián)的情況:兩只二極管并聯(lián)、每只分擔(dān)電路總電流的一半口三只二極管并聯(lián),每只分擔(dān)電路總電流的三分之一。總之,有幾只二極管并聯(lián),"流經(jīng)每只二極管的電流就等...

三極管的性質(zhì)以NPN三極管為例：電流： 從基極B出來(lái)的電子和從集電極C出來(lái)的電子較終都會(huì)回到發(fā)射極E，當(dāng)作注入電子。即IE=IB+IC。UBE： 當(dāng)基極與發(fā)射極間電壓UBE0.7V時(shí)，IB激增，但是IB相對(duì)于IC來(lái)說(shuō)還是很小。IC： 當(dāng)UC的值低于0.7V時(shí)，...

電機(jī)驅(qū)動(dòng)：在電機(jī)控制系統(tǒng)中，場(chǎng)效應(yīng)管用于控制電機(jī)的啟動(dòng)、停止和速度調(diào)節(jié)。LED驅(qū)動(dòng)：場(chǎng)效應(yīng)管用于LED驅(qū)動(dòng)電路中，提供恒流源以保證LED的穩(wěn)定亮度。場(chǎng)效應(yīng)管的這些應(yīng)用展示了其在現(xiàn)代電子技術(shù)中的多樣性和重要性。通過(guò)選擇合適的場(chǎng)效應(yīng)管類(lèi)型和設(shè)計(jì)合適的電路，可以實(shí)現(xiàn)...

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個(gè)方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過(guò)...

三極管，全稱(chēng)應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱(chēng)雙極型晶體管，晶體三極管，是一種電流控制電流的半導(dǎo)體器件。下面一起來(lái)了解一下三極管的作用是什么。三極管的作用是什么？1、擴(kuò)流。在某些情況下，可擴(kuò)大電流限值或電容容量等。比如：將小功率可控硅與大功率三級(jí)管相結(jié)合，可以得到大功率可...

值得注意的是，隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，穩(wěn)壓二極管和普通二極管也在不斷升級(jí)和優(yōu)化。新型的穩(wěn)壓二極管具有更高的精度和更低的功耗，能夠滿足更高要求的電路應(yīng)用；而新型普通二極管則具有更快的響應(yīng)速度和更高的可靠性，能夠更好地適應(yīng)復(fù)雜的電路環(huán)境?？傊€(wěn)壓二極管和普通二極...

靜電放電（ESD）二極管，靜電放電的英文全稱(chēng)為Electro-Static Discharge，簡(jiǎn)稱(chēng)ESD，ESD二極管是一種具有兩個(gè)電極的半導(dǎo)體器件，當(dāng)加在兩極間的電壓達(dá)到一定值時(shí)，在其間產(chǎn)生電場(chǎng)使電子移動(dòng)而形成電流。當(dāng)ESD二極管的兩只引腳之間加有交變電壓...

三極管的原理，三極管可以看做一個(gè)小閥門(mén)控制大閥門(mén)的元件，基極和發(fā)射極原理為一個(gè)二極管，當(dāng)給基極一個(gè)電壓，基極和發(fā)射極就會(huì)導(dǎo)通，基極也就有了電流，這個(gè)時(shí)候集電極和發(fā)射極也會(huì)導(dǎo)通，當(dāng)基極電壓越大集電極流向發(fā)射極的電流也會(huì)越大，也就是閥門(mén)打開(kāi)的越大，微弱的基極電流和...

Zener二極管：Zener二極管是一種具有特殊穩(wěn)壓特性的二極管，可以在一定范圍內(nèi)穩(wěn)定地維持電壓輸出，普遍應(yīng)用于電源穩(wěn)壓器、電路保護(hù)器等領(lǐng)域?？傊O管在電子領(lǐng)域中應(yīng)用非常普遍，不同類(lèi)型的二極管在不同的電路中都有不同的作用和功能。肖特基二極管： 基本原理是在...

三極管的種類(lèi)：1）低頻小功率三極管，特征頻率在3MHz以下，功率小于1W，一般作為小信號(hào)放大用；2）高頻小功率三極管，特征頻率大于3MHz，功率小于1W，主要用于高頻振蕩、放大電路；3）低頻大功率三極管，特征頻率小于3MHz，功率大于1W，低頻大功率三極管品種...

半導(dǎo)體二極管的參數(shù)介紹如下：1、反向電流IR：指管子末擊穿時(shí)的反向電流， 其值愈小，則管子的單向?qū)щ娦杂?。由于溫度增加，反向電流?huì)急劇增加，所以在使用二極管時(shí)要注意溫度的影響。2、正向壓降VD：在規(guī)定的正向電流下，二極管的正向電壓降。小電流硅二極管的正向壓降...

三極管其作用是把微弱信號(hào)放大成輻值較大的電信號(hào)，也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。晶體三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的主要元件。接下來(lái)小編為大家介紹三極管的作用及三極管工作原理。三極管的作用：電流放大，三極管的作用之一就是電流放大，這也是其較基本...

開(kāi)關(guān)作用原理，下面說(shuō)說(shuō)三極管的飽和情況.像上面那樣的圖,因?yàn)槭艿诫娮?Rc的限制(Rc是固定值,那么較大電流為U/Rc,其中U為電源電壓),集電極電流是不能無(wú)限增加下去的.當(dāng)基極電流的增大,不能使集電極電流繼續(xù)增大 時(shí),三極管就進(jìn)入了飽和狀態(tài).一般判斷三極管是...

場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：1、漏源擊穿電壓。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。2、較大耗散功率。較大耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞...

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)：（1）為了安全使用場(chǎng)效應(yīng)管，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過(guò)管的耗散功率，較大漏源電壓、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值。（2）各類(lèi)型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中，要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)，N溝...

MOSFET應(yīng)用案例解析：開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用從定義上而言，這種應(yīng)用需要MOSFET定期導(dǎo)通和關(guān)斷。同時(shí)，有數(shù)十種拓?fù)淇捎糜陂_(kāi)關(guān)電源，這里考慮一個(gè)簡(jiǎn)單的例子。DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依靠?jī)蓚€(gè)MOSFET來(lái)執(zhí)行開(kāi)關(guān)功能(下圖)，這些開(kāi)關(guān)交替在電感里存儲(chǔ)能量，...

場(chǎng)效應(yīng)管由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個(gè)主要部分組成。在JFET中，柵極和通道之間通過(guò)PN結(jié)隔離；而在MOSFET中，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離。當(dāng)在柵極施加適當(dāng)?shù)碾妷簳r(shí)，會(huì)在柵極下方的半導(dǎo)體中形成一個(gè)導(dǎo)...