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用萬用表判斷半導(dǎo)體三極管的極性和類型（用指針式萬用表）：a.先選量程：R﹡100或R﹡1K檔位。b.判別半導(dǎo)體三極管基極：用萬用表黑表筆固定三極管的某一個電極，紅表筆分別接半導(dǎo)體三極管另外兩各電極，觀察指針偏轉(zhuǎn)，若兩次的測量阻值都大或是都小，則改腳所接就是基極...

接面電壓，當二極管的P-N結(jié)處于正向偏置時，必須有相當?shù)碾妷罕挥脕碡炌ê谋M區(qū)，導(dǎo)致形成一反向的電壓源，此電壓源的電壓就稱為障壁電壓，硅二極管的障壁電壓約0.6V～0.7V，鍺二極管的障壁電壓約0.3～0.4V。種類：依照材料及發(fā)展年代分類：二極真空管；鍺二極管...

二極管是電路中經(jīng)常用的一種電子元器件看，它的英文名稱是Diode,又稱晶體二極管，是用P型和N型半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子元器件。它具有單向?qū)щ娦阅?，即給二極管陽極加上正向電壓時，二極管導(dǎo)通。當給陽極和陰極加上反向電壓時，二極管截止。因此，二極管...

在要求輸入阻抗較高的場合使用時，必須采取防潮措施，以免由于溫度影響使場效應(yīng)管的輸入電阻降低。如果用四引線的場效應(yīng)管，其襯底引線應(yīng)接地。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性，應(yīng)注意避光使用。對于功率型場效應(yīng)管，要有良好的散熱條件。因為功率型場效應(yīng)管在高負荷條件下運用，必須...

什么是三極管？三極管全稱是“晶體三極管”，也被稱作“晶體管”，是一種具有放大功能的半導(dǎo)體器件。通常指本征半導(dǎo)體三極管，即BJT管。典型的三極管由三層半導(dǎo)體材料，有助于連接到外部電路并承載電流的端子組成。施加到晶體管的任何一對端子的電壓或電流控制通過另一對端子的...

場效應(yīng)管是一種電壓控制器件，其工作原理是通過改變柵極（Gate）與源極（Source）之間的電壓來控制漏極（Drain）與源極之間的電流。與傳統(tǒng)的雙極型晶體管（BJT）相比，F(xiàn)ET只利用單一類型的載流子（電子或空穴）進行導(dǎo)電，因此也被稱為單極型晶體管。分類：結(jié)...

三極管的作用：1、用作開關(guān)，三極管的作用之二就是用作開關(guān)。三極管在飽和導(dǎo)通時，其CE極間電壓很小，低于PN結(jié)導(dǎo)通電壓，CE極間相當于短路，“開關(guān)”呈現(xiàn)開的狀態(tài);三極管在截止狀態(tài)時，其CE極間電流很小，相當于斷路，“開關(guān)”呈現(xiàn)關(guān)的狀態(tài)。因此可完成開關(guān)的功能，且其...

雪崩二極管，雪崩二極管的英文名稱為Avalanche diode，它是利用半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中載流子的碰撞電離和渡越時間兩種物理效應(yīng)而產(chǎn)生負阻的固體微波器件。當反向電壓增大到一定數(shù)值時，PN結(jié)被反向擊穿，載流子倍增就像雪崩一樣，反向電流突然快速增加。雪崩二極管用于在特...

電壓和電流的選擇。額定電壓越大，器件的成本就越高。根據(jù)實踐經(jīng)驗，額定電壓應(yīng)當大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護，使MOSFET不 會失效。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓，即較大VDS。設(shè)計工程師需要考慮的其他安全因素...

什么是三極管，三極管，不管是在模電還是數(shù)電中都是常見的電子器件，利用它的特性，在模電中通常作放大作用，而在數(shù)電中則作開關(guān)或者邏輯轉(zhuǎn)換。三極管的主要結(jié)構(gòu)是PN結(jié)，可以是NPN組合，也可以是PNP組合。三極管較基本的作用是放大，把微弱的電信號放大成一定強度的信號，...

三極管的作用：代換，三極管的作用之四就是代換作用，在一定情況下與某些電子元器件相結(jié)合可代換其它器件，完成相應(yīng)功能。比如：兩只三極管串聯(lián)可代換調(diào)光臺燈中的雙向觸發(fā)二極管;在某些電路中，三極管可以代換8V的穩(wěn)壓管，代換30V的穩(wěn)壓管等等。三極管的分類：1、按材質(zhì)分...

什么是三極管？三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也被稱為雙極型晶體管或晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。它的主要功能是將微弱的電信號放大成幅度值較大的電信號，同時也被用作無觸點開關(guān)。三極管的分類，根據(jù)結(jié)構(gòu)和工作原理的不同，三極管可以分為NPN型和PNP型兩種...

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過...

場效應(yīng)管主要參數(shù)：一、飽和漏源電流。飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流。二、夾斷電壓，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。三、開啟電壓。開啟電壓UT是指加強型絕緣柵場效應(yīng)...

三極管（英語：transistor）是一種電子器件，具有電流放大作用。三極管的三個電極連接著交流電源的正負極，中間部分是基區(qū)。當基區(qū)加上正向電壓時，集電結(jié)正偏而形成發(fā)射結(jié)；反之集電結(jié)反偏而形成漏極-源二極。三極管是電子設(shè)備中較重要的無源元件之一，在電路中用"v...

恒流二極管 （ 英語 ： Constant Current Diode ） （或稱定電流二極管，CRD、Current Regulative Diode），被施加順方向電壓的場合，無論電壓多少，可以得到一定的電流的元件。通常的電流容量在1~15mA的范圍。雖然...

電流放大原理，下面的分析只對于NPN型硅三極管.我們把從基極B流至發(fā)射極E的電流叫做基極電流Ib;把從集電極C流至發(fā)射極E的電流叫做集電極電流 Ic.這兩個電流的方向都是流出發(fā)射極的,所以發(fā)射極E上就用了一個箭頭來表示電流的方向.三極管的放大作用就是：集電極電...

三極管的分類：1、按材質(zhì)分: 硅管（導(dǎo)通壓降0.7V）、鍺管（導(dǎo)通壓降0.3V）。2、按結(jié)構(gòu)分: NPN 、 PNP。3、按功能分: 開關(guān)管、功率管、達林頓管、光敏管。達林頓管：又叫復(fù)合管，將兩個三極管串聯(lián)，以組成一只等效的新的三極管。接法總共有4種：NPN+...

三極管飽和情況，像圖1因為受到電阻Rc的限制(Rc是固定值，那么較大電流為U/Rc，其中U為電源電壓)，集電極電流是不能無限增加下去的。當基極電流的增大，不能使集電極電流繼續(xù)增大時，三極管就進入了飽和狀態(tài)。一般判斷三極管是否飽和的準則是：Ib*β〉Ic。進入飽...

反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu)，使價電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊...

二極管的反向特性：當外加反向電壓時，所加的反向電壓加強了內(nèi)電場對多數(shù)載流子的阻擋，所以二極管中幾乎沒有電流通過。但是這時的外電場能促使少數(shù)載流子漂移，所以少數(shù)載流子形成很小的反向電流。由于少數(shù)載流子數(shù)量有限，只要加不大的反向電壓就可以使全部少數(shù)載流子越過PN結(jié)...

二極管的分類：一、按半導(dǎo)體材料分類，二極管按其使用的材料可分為鍺（Ge）二極管、硅（Si）二極管、砷化鎵（GaAs）二極管、磷化鎵（GaP）二極管等。二、按封裝形式分類，二極管按其封裝形式可分為塑料二極管、玻璃二極管、金屬二極管、片狀二極管、無引線圓柱形二極管...

場效應(yīng)管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是電子技術(shù)中普遍使用的一種半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗、噪聲低和低功耗等優(yōu)點。場效應(yīng)管的用途：一、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解...

雪崩二極管，雪崩二極管的英文名稱為Avalanche diode，它是利用半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中載流子的碰撞電離和渡越時間兩種物理效應(yīng)而產(chǎn)生負阻的固體微波器件。當反向電壓增大到一定數(shù)值時，PN結(jié)被反向擊穿，載流子倍增就像雪崩一樣，反向電流突然快速增加。雪崩二極管用于在特...

二極管的英文是diode。二極管的正.負二個端子,一端稱為陽極,一端稱為陰極。電流只能從陽極向陰極方向移動。二極管是由半導(dǎo)體組成的器件。半導(dǎo)體無論哪個方向都能流動電流。二極管（英語：Diode），電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過。...

晶體三極管的種類：硅管和鍺管（按半導(dǎo)體材料分），鍺管比硅管的起始工工作電壓低、飽和壓降較低。三極管導(dǎo)通時，發(fā)射極和集電極的電壓鍺管比硅管更低。因為鍺材料制成的PN結(jié)比硅材料制成的PN結(jié)的正向?qū)妷旱?，前者?.2～0.3V，后者為0.6～0.7V。所以鍺三極...

反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu)，使價電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊...

1874年，德國物理學(xué)家卡爾·布勞恩在卡爾斯魯厄理工學(xué)院發(fā)現(xiàn)了晶體的整流能力。因此1906年開發(fā)出的頭一代二極管——“貓須二極管”是由方鉛礦等礦物晶體制成的。早期的二極管還包含了真空管，真空管二極管具有兩個電極 ，一個陽極和一個熱式陰極。在半導(dǎo)體性能被發(fā)現(xiàn)后，...

可以通過手動調(diào)節(jié)晶體表面上的導(dǎo)線，以獲得較佳的信號。這個較為麻煩的設(shè)備在20世紀20年代由熱離子二極管所取代。20世紀50年代，高純度的半導(dǎo)體材料出現(xiàn)。因為新出現(xiàn)的鍺二極管價格便宜，晶體收音機重新開始被大規(guī)模使用。貝爾實驗室還開發(fā)了鍺二極管微波接收器。20世紀...

MOS場效應(yīng)管，即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的...