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技術(shù)挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢 更高分辨率需求： ? EUV光刻膠需解決“線邊緣粗糙度（LER）”問題（目標(biāo)＜5nm），通過納米顆粒分散技術(shù)或新型聚合物設(shè)計(jì)改善。 缺陷控制： ? 半導(dǎo)...

技術(shù)優(yōu)勢：23年研發(fā)沉淀與細(xì)分領(lǐng)域突破 全流程自主化能力 吉田在光刻膠研發(fā)中實(shí)現(xiàn)了從樹脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化。例如，其納米壓印光刻膠通過自主開發(fā)的樹脂體系，實(shí)現(xiàn)了3μm的分辨率，適用于MEMS傳感器、光學(xué)...

關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域 半導(dǎo)體制造： ? 在晶圓表面涂覆光刻膠，通過掩膜曝光、顯影，刻蝕出晶體管、電路等納米級結(jié)構(gòu)（如EUV光刻膠用于7nm以下制程）。 印刷電路板（PCB）： ? 保護(hù)電路圖形或作為...

LCD 正性光刻膠（YK-200）應(yīng)用場景：LCD 面板的電極圖案化（如 TFT-LCD 的柵極、源漏極）、彩色濾光片制造。特點(diǎn)：高感光度與均勻涂布性，確保顯示面板的高對比度和色彩還原度。 厚膜光刻膠（JT-3001）應(yīng)用場景：Mini LED/Micro...

吉田半導(dǎo)體的光刻膠產(chǎn)品覆蓋芯片制造、顯示面板、PCB 及微納加工等領(lǐng)域，通過差異化技術(shù)（如納米壓印、厚膜工藝）和環(huán)保特性（水性配方），滿足從傳統(tǒng)電子到新興領(lǐng)域（如第三代半導(dǎo)體、Mini LED）的多樣化需求。其產(chǎn)品不僅支持高精度、高可靠性的制造工藝，還通過材料...

半導(dǎo)體集成電路 ? 應(yīng)用場景： ? 晶圓制造：正性膠為主（如ArF/EUV膠），實(shí)現(xiàn)20nm以下線寬，用于晶體管柵極、接觸孔等精細(xì)結(jié)構(gòu)； ? 封裝工藝：負(fù)性膠用于凸點(diǎn)（Bump）制造，厚膠（5-50μm）耐...

綠色制造與循環(huán)經(jīng)濟(jì) 公司采用水性光刻膠技術(shù)，溶劑揮發(fā)量較傳統(tǒng)產(chǎn)品降低60%，符合歐盟REACH法規(guī)和國內(nèi)環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí)，其光刻膠廢液回收項(xiàng)目已投產(chǎn)，通過膜分離+精餾技術(shù)實(shí)現(xiàn)90%溶劑循環(huán)利用，年減排VOCs（揮發(fā)性有機(jī)物）超100噸。 ...

行業(yè)地位與競爭格局 1. 國際對比 ? 技術(shù)定位：聚焦細(xì)分市場（如納米壓印、LCD），而國際巨頭（如JSR、東京應(yīng)化）主導(dǎo)半導(dǎo)體光刻膠（ArF、EUV）。 ? 成本優(yōu)勢：原材料自主化率超80%，成...

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，主要涵蓋厚板、負(fù)性、正性、納米壓印及光刻膠等類別，以滿足不同領(lǐng)域的需求。 厚板光刻膠：JT-3001 型號，具有優(yōu)異的分辨率和感光度，抗深蝕刻性能良好，符合歐盟 ROHS 標(biāo)準(zhǔn)，保質(zhì)期 1 年。適...

半導(dǎo)體集成電路 ? 應(yīng)用場景： ? 晶圓制造：正性膠為主（如ArF/EUV膠），實(shí)現(xiàn)20nm以下線寬，用于晶體管柵極、接觸孔等精細(xì)結(jié)構(gòu)； ? 封裝工藝：負(fù)性膠用于凸點(diǎn)（Bump）制造，厚膠（5-50μm）耐...

產(chǎn)品優(yōu)勢：多元化布局與專業(yè)化延伸 全品類覆蓋 吉田產(chǎn)品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導(dǎo)體錫膏等，形成“光刻膠+配套材料”的完整產(chǎn)品線。例如： ? 芯片光刻膠：覆蓋i線、g線光刻膠，適用于6...

“設(shè)備-材料-工藝”閉環(huán)驗(yàn)證 吉田半導(dǎo)體與中芯國際、華虹半導(dǎo)體等晶圓廠建立了聯(lián)合研發(fā)機(jī)制，針對28nm及以上成熟制程開發(fā)專門使用光刻膠，例如其KrF光刻膠已通過中芯國際北京廠的產(chǎn)線驗(yàn)證，良率達(dá)95%以上。此外，公司參與國家重大專項(xiàng)（如02專項(xiàng)），與中...

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，各有特性與優(yōu)勢，適用于不同領(lǐng)域。 LCD 正性光刻膠 YK - 200：具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力的特點(diǎn)，重量 100g。適用于液晶顯示領(lǐng)域的光刻工藝，能確保 LCD 生產(chǎn)過程中圖形的精確轉(zhuǎn)移和...

憑借多年研發(fā)積累，公司形成了覆蓋光刻膠、焊接材料、電子膠等領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品線。在焊接材料方面，不僅提供常規(guī)錫膏、助焊膏，還針對特殊場景開發(fā)了 BGA 助焊膏、針筒錫膏等定制化產(chǎn)品，滿足精密電子組裝的多樣化需求。同時(shí)，感光膠系列產(chǎn)品分為水性與油性兩類，兼具耐潮...

作為深耕半導(dǎo)體材料領(lǐng)域二十余年的綜合性企業(yè)，廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司始終將環(huán)保理念融入產(chǎn)品研發(fā)與生產(chǎn)全流程。公司位于東莞松山湖產(chǎn)業(yè)集群，依托區(qū)域產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢，持續(xù)推出符合國際環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體材料解決方案。 公司在錫膏、焊片等產(chǎn)品中采用無...

主要應(yīng)用場景 印刷電路板（PCB）： ? 通孔/線路加工：負(fù)性膠厚度可達(dá)20-50μm，耐堿性蝕刻液（如氯化鐵、堿性氯化銅），適合制作大尺寸線路（線寬/線距≥50μm），如雙面板、多層板的外層電路。 ...

技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)重構(gòu)的臨界點(diǎn) 光刻膠技術(shù)的加速突破正在推動芯片制造行業(yè)進(jìn)入“材料定義制程”的新階段。中國在政策支持和資本推動下，已在KrF/ArF領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)局部突破，但EUV等領(lǐng)域仍需5-10年才能實(shí)現(xiàn)替代。未來3-5年，EUV光刻膠研發(fā)、...

綠色制造與循環(huán)經(jīng)濟(jì) 公司采用水性光刻膠技術(shù)，溶劑揮發(fā)量較傳統(tǒng)產(chǎn)品降低60%，符合歐盟REACH法規(guī)和國內(nèi)環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí)，其光刻膠廢液回收項(xiàng)目已投產(chǎn)，通過膜分離+精餾技術(shù)實(shí)現(xiàn)90%溶劑循環(huán)利用，年減排VOCs（揮發(fā)性有機(jī)物）超100噸。 ...

吉田半導(dǎo)體 JT-3001 厚板光刻膠：歐盟 RoHS 認(rèn)證，PCB 電路板制造 憑借抗深蝕刻性能與環(huán)保特性，吉田 JT-3001 厚板光刻膠成為 PCB 行業(yè)材料。 吉田半導(dǎo)體推出的 JT-3001 厚板光刻膠，分辨率達(dá) 1.5μm，抗深蝕刻速率...

納米制造與表面工程 ? 納米結(jié)構(gòu)模板：作為納米壓印光刻（NIL）的母版制備材料，通過電子束光刻膠寫出高精度納米圖案（如50nm以下的柱陣列、孔陣列），用于批量復(fù)制微流控芯片或柔性顯示基板。 ? 表面功能化：在基底表面構(gòu)建納米...

光刻膠（如液晶平板顯示器光刻膠） 液晶平板顯示器制造：在液晶平板顯示器（LCD）的生產(chǎn)過程中，光刻膠用于制作液晶盒內(nèi)的各種精細(xì)圖案，包括像素電極、公共電極、取向?qū)訄D案等。這些圖案的精度和質(zhì)量直接影響液晶顯示器的顯示效果，如分辨率、對比度、視角...

關(guān)鍵工藝流程 涂布： ? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠，厚度控制在0.1-5μm（依制程精度調(diào)整），需均勻無氣泡（旋涂轉(zhuǎn)速500-5000rpm）。 前烘（Soft Bake）： ...

感光機(jī)制 ? 重氮型（雙液型）：需混合光敏劑（如二疊氮二苯乙烯二磺酸鈉），曝光后通過交聯(lián)反應(yīng)固化，適用于精細(xì)圖案（如PCB電路線寬≤0.15mm）。 ? SBQ型（單液型）：預(yù)混光敏劑，無需調(diào)配，感光度高（曝光時(shí)間...

國際標(biāo)準(zhǔn)與客戶認(rèn)證 公司通過ISO9001、ISO14001等認(rèn)證，并嚴(yán)格執(zhí)行8S現(xiàn)場管理，生產(chǎn)環(huán)境潔凈度達(dá)Class 10級。其光刻膠產(chǎn)品已通過京東方、TCL華星的供應(yīng)商認(rèn)證，在顯示面板領(lǐng)域的市占率約5%，成為本土企業(yè)中少數(shù)能與日本JSR、德國默克...

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，各有特性與優(yōu)勢，適用于不同領(lǐng)域。 厚板光刻膠 JT - 3006：具有優(yōu)異的分辨率和感光度，抗深蝕刻性能良好，符合歐盟 ROHS 標(biāo)準(zhǔn)，保質(zhì)期 1 年。需保存在干燥區(qū)域并密封，使用前要閱讀參考技術(shù)資料。適用...

技術(shù)研發(fā)：從配方到工藝的經(jīng)驗(yàn)壁壘 配方設(shè)計(jì)的“黑箱效應(yīng)” 光刻膠配方涉及成百上千種成分的排列組合，需通過數(shù)萬次實(shí)驗(yàn)優(yōu)化。例如，ArF光刻膠需在193nm波長下實(shí)現(xiàn)0.1μm分辨率，其光酸產(chǎn)率、熱穩(wěn)定性等參數(shù)需精確匹配光刻機(jī)性能...

關(guān)鍵工藝流程 涂布： ? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠，厚度控制在0.1-5μm（依制程精度調(diào)整），需均勻無氣泡（旋涂轉(zhuǎn)速500-5000rpm）。 前烘（Soft Bake）： ...

客戶認(rèn)證：從實(shí)驗(yàn)室到產(chǎn)線的漫長“闖關(guān)” 驗(yàn)證周期與試錯(cuò)成本 半導(dǎo)體光刻膠需經(jīng)歷PRS（性能測試）、STR（小試）、MSTR（中批量驗(yàn)證）等階段，周期長達(dá)2-3年。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動驗(yàn)證，直至2025年才通過客戶5...

技術(shù)驗(yàn)證周期長 半導(dǎo)體光刻膠的客戶驗(yàn)證周期通常為2-3年，需經(jīng)歷PRS（性能測試）、STR（小試）、MSTR（批量驗(yàn)證）等階段。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動驗(yàn)證，預(yù)計(jì)2025年才能進(jìn)入穩(wěn)定供貨階段。 原材料依賴仍存 ...

納米壓印光刻膠 微納光學(xué)器件制造：制作衍射光學(xué)元件、微透鏡陣列等微納光學(xué)器件時(shí)，納米壓印光刻膠可實(shí)現(xiàn)高精度的微納結(jié)構(gòu)復(fù)制。通過納米壓印技術(shù)，將模板上的微納圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠上，再經(jīng)過后續(xù)處理，可制造出具有特定光學(xué)性能的微納光學(xué)器件，應(yīng)用于光通信...